申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2023-07-18

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN220753425U

主分类号：H01L23/538

分类号：H01L23/538;H01L25/00

优先权：["20220804 US 63/395,226","20230105 US 18/150,539"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权

摘要：一种封装体结构，包括：一第一芯片结构以及位于第一芯片结构旁侧的一第二芯片结构。封装体结构也包括位于第一芯片结构及第二芯片结构上，并接触第一芯片结构及第二芯片结构的一内连线结构。内连线结构具有多个介电层及多个导电特征部件。导电特征部件的其中一者延伸跨越第一芯片结构的一第一边缘及第二芯片结构的一第二边缘，且电性连接第一芯片结构及第二芯片结构。封装体结构也包括一第三芯片结构，第三芯片结构通过介电质对介电质接合及金属对金属接合直接接合至内连线结构。

主权项：1.一种封装体结构，其特征在于，包括：一第一芯片结构；一第二芯片结构，位于该第一芯片结构旁侧；一内连线结构，位于该第一芯片结构及该第二芯片结构上，并接触该第一芯片结构及该第二芯片结构，其中该内连线结构具有多个介电层及多个导电特征部件，且该多个导电特征部件的其中一者延伸跨越该第一芯片结构的一第一边缘及该第二芯片结构的一第二边缘，且电性连接该第一芯片结构及该第二芯片结构；以及一第三芯片结构，通过介电质对介电质接合及金属对金属接合直接接合至该内连线结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 封装体结构

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