申请/专利权人：西电芜湖研究院有限责任公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832288A

主分类号：H01L29/861

分类号：H01L29/861;H01L29/06;H01L23/367;H01L21/329

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明提供了一种双正角刻蚀结构的横向碳化硅DAS器件及其制备方法。其中，双正角刻蚀结构的横向碳化硅DAS器件包括：N+衬底、N‑基区、钝化层、P+区、N+区、阳极以及阴极；N‑基区位于N+衬底的上表面；P+区和N+区分别设置于N‑基区的左右两侧，且与N‑基区的左右两侧面接触；N‑基区、P+区以及N+区的外表面均覆盖有钝化层；阳极设置于P+区上表面，阴极设置于N+区上表面；N‑基区的上表面以及前、后面均形成内凹的正角结构；其中，在正角结构中，N‑基区的上表面、以及前、后面与P+区和N+区接触形成的角度均为锐角。通过上述结构设置，提高了器件工作过程中的稳定性以及可靠性。

主权项：1.一种双正角刻蚀结构的横向碳化硅DAS器件，其特征在于，包括：N+衬底、N-基区、钝化层、P+区、N+区、阳极以及阴极；所述N-基区位于所述N+衬底的上表面；所述P+区和所述N+区分别设置于所述N-基区的左右两侧，且与所述N-基区的左右两侧面接触；所述N-基区、所述P+区以及所述N+区的外表面均覆盖有所述钝化层；所述阳极设置于所述P+区上表面，所述阴极设置于所述N+区上表面；所述N-基区的上表面以及前、后面均形成内凹的正角结构；其中，在所述正角结构中，所述N-基区的上表面、以及前、后面与所述P+区和所述N+区接触形成的角度均为锐角。

全文数据：

权利要求：

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