申请/专利权人：西电芜湖研究院有限责任公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810271A

主分类号：H01L29/861

分类号：H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及一种垂直型碳化硅DAS器件及其制备方法，该垂直型碳化硅DAS器件，包括：衬底；外延结构，位于衬底的上表面，外延结构包括自下而上依次层叠设置的N+缓冲区、N‑基区和P+有源区；外延结构的两侧面设置有朝向外延结构的中心凹陷的刻蚀台面；刻蚀台面在外延结构中的PN结和NN结处的刻蚀角度均为正角；钝化层，覆盖刻蚀台面以及P+有源区靠近刻蚀台面位置处的部分上表面；阴极，设置在衬底的下表面；阳极，设置在P+有源区的上表面上未被钝化层覆盖的区域。本发明的垂直型碳化硅DAS器件，在外延结构的两侧面设置的刻蚀台面，在外延结构中的PN结和NN结处的刻蚀角度均为正角，消除了器件表面的电场集中，确保了器件正常工作。

主权项：1.一种垂直型碳化硅DAS器件，其特征在于，包括：衬底1；外延结构，位于所述衬底1的上表面，所述外延结构包括自下而上依次层叠设置的N+缓冲区2、N-基区3和P+有源区5；所述外延结构的两侧面设置有朝向所述外延结构的中心凹陷的刻蚀台面9；所述刻蚀台面9在所述外延结构中的PN结和NN结处的刻蚀角度均为正角；钝化层6，覆盖所述刻蚀台面9以及所述P+有源区5靠近所述刻蚀台面9位置处的部分上表面；阴极7，设置在所述衬底1的下表面；阳极8，设置在所述P+有源区5的上表面上未被所述钝化层6覆盖的区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西电芜湖研究院有限责任公司 一种垂直型碳化硅DAS器件及其制备方法

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