申请/专利权人：中科华艺(天津)科技有限公司

申请日：2024-01-26

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117637661B

主分类号：H01L23/488

分类号：H01L23/488;H01L23/495;H01L23/367;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：本发明提供了一种具备开关特性的RF射频芯片封装结构及其制造方法，包括分为射频芯片固定部和MOSFET固定部的框架；MOSFET固定部包括基岛，一MOSFET芯片固设于基岛上；射频芯片固定部包括射频管脚组，且射频管脚组上跨设有射频芯片；开关管脚组包括源极管脚，射频管脚组包括电源输入管脚和信号输入管脚，电源输入管脚和源极管脚连接，基岛与信号输入管脚连接，射频芯片的信号输入焊窗与信号输入管脚电连接，MOSFET芯片的漏极与基岛电连接。本发明采用将MOSFET芯片和射频芯片封装在一个器件内，节省了外部电路连接所需要的空间，降低了电子产品的体积，同时减少了芯片之间电流和信号的损耗，降低了芯片线路干扰。

主权项：1.一种具备开关特性的RF射频芯片封装结构，其特征在于：包括框架及固设于框架上的MOSFET芯片和射频芯片，所述框架包括射频芯片固定部和MOSFET固定部；所述MOSFET芯片固定部包括基岛，所述基岛的一侧固设有开关管脚组，MOSFET芯片固设于基岛上并通过引线将MOSFET芯片上的焊窗与相对应的开关管脚组电连接；所述射频芯片固定部包括射频管脚组，且射频管脚组上跨设有射频芯片，所述射频芯片的焊窗通过引线与对应的射频管脚电连接；所述开关管脚组包括源极管脚，所述射频管脚组包括电源输入管脚和信号输入管脚，所述电源输入管脚和源极管脚连接，所述基岛与信号输入管脚连接，且所述射频芯片的信号输入焊窗与信号输入管脚电连接，所述MOSFET芯片的漏极与基岛电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中科华艺(天津)科技有限公司 一种具备开关特性的RF射频芯片封装结构及其制造方法

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