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【发明授权】一种适用于LDO的极限负载跳变动态加速电路_江苏帝奥微电子股份有限公司_202311103096.X 

申请/专利权人:江苏帝奥微电子股份有限公司

申请日:2023-08-30

公开(公告)日:2024-04-05

公开(公告)号:CN117331395B

主分类号:G05F1/56

分类号:G05F1/56;H03F3/16

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.05#授权;2024.01.19#实质审查的生效;2024.01.02#公开

摘要:本发明公开了一种适用于LDO的极限负载跳变动态加速电路,包含动态加速模块、偏置电流模块、误差放大器、第一PMOS管、补偿电容、电阻反馈网络、电流负载和第十NMOS管。本发明可以在电流负载从空载跳变满载的极限跳变过程中动态的给LDO电路提供加速功能,使LDO能够快速响应。

主权项:1.一种适用于LDO的极限负载跳变动态加速电路,其特征在于:包含动态加速模块、偏置电流模块、误差放大器、第一PMOS管、补偿电容、电阻反馈网络、电流负载和第十NMOS管,动态加速模块的输出端与偏置电流模块的输入端连接,偏置电流模块的输出端与第十NMOS管的栅极连接,第十NMOS管的源极接地,第十NMOS管的漏极连接误差放大器的第一偏置端,误差放大器的反向输入端连接基准电压,误差放大器的输出端与补偿电容的一端和第一PMOS管的栅极连接,第一PMOS管的漏极与补偿电容的另一端、电阻反馈网络的输入端、电流负载的一端和动态加速模块的输入端连接,电流负载的另一端接地,电阻反馈网络的输出端连接误差放大器的同向输入端,误差放大器的第二偏置端和第一PMOS管的源极连接电源VDD;所述动态加速模块包含第一电流源、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、电容器,第一电流源的正极连接电源VDD,第一电流源的负极与第一NMOS管的漏极、第一NMOS管栅极、第二NMOS管的栅极和第四NMOS管的栅极连接,第一NMOS管、第二NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管的源极接地,第二NMOS管的漏极与电容器的一端、第二PMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极连接,电容器的另一端作为动态加速模块的输入端,第二PMOS管和第三PMOS管的源极连接电源VDD,第三PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极、第三NMOS管栅极和第五NMOS管的栅极连接,第三NMOS管的源极与第四NMOS管的漏极连接,第五NMOS管的漏极作为动态加速模块的输出端。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 江苏帝奥微电子股份有限公司 一种适用于LDO的极限负载跳变动态加速电路

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