申请/专利权人：亿铖达科技(江西)有限公司;哈尔滨工业大学

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117862735A

主分类号：B23K35/26

分类号：B23K35/26;B23K35/40

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种柔性电子封装用低熔点钎料及其制备方法，属于钎焊材料及其制备技术领域。本发明解决了现有低温钎料的低熔点和高性能无法兼得的问题。本发明以Sn、Bi、In、Zn和Ag金属为原料制成的低温钎料，通过调整Sn、Bi和In的复配比例，使三者形成三元共晶体系，使熔点降低至80℃左右，并进一步的通过Zn和Ag加入降低熔点的同时，改善钎料的润湿性。此外，Zn和Ag的加入不改变Sn、Bi和In三元合金的主体物相，而是出现了微量的增强相Ag5Zn8，且增强相均匀的弥散在钎料内部，而不发生团聚，实现了对钎料微观组织的细化，有效改善钎料的力学性能。

主权项：1.一种低熔点钎料，其特征在于，由以下质量分数的组分组成：Sn13-18％，Bi49-58％，In27-32％，Zn0-5％，Ag0-4％。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 亿铖达科技(江西)有限公司;哈尔滨工业大学 一种柔性电子封装用低熔点钎料及其制备方法

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