申请/专利权人：中国科学院金属研究所

申请日：2020-12-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN114622281B

主分类号：C30B29/52

分类号：C30B29/52;C30B11/00;B22D27/00;B22D27/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2024.03.08#专利实施许可合同备案的生效;2022.07.01#实质审查的生效;2022.06.14#公开

摘要：本发明公开了一种液态金属冷却定向凝固法制备单晶叶片过程中的低熔点金属污染控制方法，属于定向凝固技术领域。该方法是在采用液态金属冷却定向凝固法制备单晶叶片过程中，预先充入一定量的高纯氩气，并在保温炉与低熔点熔池之间采用动态隔热层进行隔热，有效控制低熔点金属Sn的挥发，进而控制单晶叶片中的Sn元素含量。采用本发明控制方法制备的单晶叶片中Sn元素含量小于10ppm。

主权项：1.一种液态金属冷却定向凝固法制备单晶叶片过程中的低熔点金属污染控制方法，其特征在于：该方法是在采用液态金属冷却定向凝固法制备单晶叶片过程中，预先充入一定量的高纯氩气，并在保温炉与低熔点熔池之间采用动态隔热层进行隔热，有效控制低熔点金属Sn的挥发，进而控制单晶叶片中的Sn元素含量；该方法包括如下步骤：1在LMC定向凝固设备中进行单晶叶片制备，在低熔点金属熔池表面预铺一层厚度50-100mm、直径1-3mm的空心氧化铝球，形成动态隔热层；2将结晶器上的型壳升入保温炉中，LMC定向凝固设备抽真空至工艺要求后，保温炉开始加热，加热到1500℃时，感应电源送电加热高温合金母合金，直至合金完全融化；3高温合金完全融化后浇注到保温炉内单晶叶片型壳中，然后马上向定向炉内冲入高纯氩气，充至0.2-0.5个大气压，然后型壳以一定的速率从保温炉中抽拉出并进入低熔点熔池，实现定向凝固。

全文数据：

权利要求：

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