申请/专利权人：苏州苏纳光电有限公司

申请日：2024-03-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878106A

主分类号：H01L23/64

分类号：H01L23/64;H01G4/005;H10N97/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种硅电容电极结构及硅电容，其中在硅电容电极结构中，通过在基底上制造按照不同周期性网格分布的多组柱体基元阵列，并将多组柱体基元阵列嵌套组合，提高电极结构表面积的同时提高结构稳定性，降低等效串联电阻，以满足应用需求。

主权项：1.一种硅电容电极结构，其特征在于，包括：基底，具有第一表面；第一柱体基元阵列，形成于所述基底的第一表面上，所述第一柱体基元阵列包括多个呈第一周期性网格分布的第一柱体基元，每个所述第一柱体基元包括位于两端的第一主体部A和第一主体部B以及连接所述第一主体部A和第一主体部B的第一连接部，所述第一柱体基元中的第一主体部A的中心点构成所述第一周期性网格的格点；第二柱体基元阵列，形成于所述基底的第一表面上，所述第二柱体基元阵列包括多个呈第二周期性网格分布的第二柱体基元，每个所述第二柱体基元包括位于两端的第二主体部A和第二主体部B以及连接所述第二主体部A和第二主体部B的第二连接部，所述第二柱体基元中的第二主体部A的中心点构成所述第二周期性网格的格点；其中，所述第一周期性网格的任一格点与所述第二周期性网格的任一格点不重合设置，且所述第一柱体基元与所述第二柱体基元之间不接触设置。

全文数据：

权利要求：

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