申请/专利权人：思特威(合肥)电子科技有限公司

申请日：2022-09-30

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117881187A

主分类号：H10B20/20

分类号：H10B20/20;H10B69/00;H01L27/146;H10B20/00;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明提供一种可编程存储器及其制备方法和控制方法、图像传感器，可编程存储器包括可编程阵列，可编程阵列包括多条字线、多条位线以及呈阵列排布的可编程单元，每个可编程单元与至少一条字线和至少一条位线电性连接，可编程单元包括编程晶体管，编程晶体管包括第一栅极以及与第一栅极对应设置的栅极氧化物膜，栅极氧化物膜包括供基于电压击穿的击穿区。本申请的可编程存储器，击穿电压稳定，击穿后的电阻均匀，使数据读取准确可靠。本申请还提供一种可编程存储器的制备方法和控制方法、图像传感器。

主权项：1.一种可编程存储器，其特征在于，包括可编程阵列，所述可编程阵列包括多条字线、多条位线以及呈阵列排布的可编程单元，每个所述可编程单元与至少一条所述字线和至少一条所述位线电性连接，所述可编程单元包括编程晶体管，所述编程晶体管包括第一栅极以及与所述第一栅极对应设置的栅极氧化物膜，所述栅极氧化物膜包括供基于电压击穿的击穿区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 思特威(合肥)电子科技有限公司 可编程存储器及其制备方法和控制方法、图像传感器

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