申请/专利权人：武汉优炜芯科技有限公司

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878204A

主分类号：H01L33/14

分类号：H01L33/14;H01L33/06;H01L33/20;H01L33/24

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明提供的深紫外发光二极管首先通过在电流扩展层上沉积图形化绝缘层，图形化绝缘层至少暴露部分电流扩展层，且图形化绝缘层的表面不能外延生长AlGaN材料，之后，在电流扩展层上还沉积上表面具有多个坑洞的AlGaN膜层，在不影响后续生长的量子阱有源层以及电子阻挡层的晶体质量的同时，生长形成若干V型缺陷，从而使空穴更加容易进入量子阱有源层前几个阱之中，进而提高载流子注入效率，最终提高深紫外发光二极管的发光效率。

主权项：1.一种深紫外发光二极管，其特征在于，包括沿生长方向依次层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层以及欧姆接触层，所述电流扩展层上还分别沉积有图形化绝缘层以及过渡层，所述图形化绝缘层至少暴露部分所述电流扩展层，且所述图形化绝缘层的表面不能外延生长AlGaN材料，所述过渡层为上表面具有多个坑洞的AlGaN膜层，且所述过渡层的厚度大于所述图形化绝缘层的厚度；其中，所述量子阱有源层以及所述电子阻挡层均为具有若干V型缺陷的AlGaN膜层，所述V型缺陷为锥状结构且孔径为1～200nm的V型纳米孔，所述V型纳米孔与所述图形化绝缘层对应设置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉优炜芯科技有限公司 一种深紫外发光二极管

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