申请/专利权人：无锡尚积半导体科技有限公司

申请日：2024-03-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117867454A

主分类号：C23C14/34

分类号：C23C14/34;C23C14/16;C23C14/54;C23C14/56;H01L21/67;H01L21/687

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明提供一种PVD提高金属膜回流效率的装置，包括溅射腔、升降载台部、副腔、盖件；溅射腔用于晶圆覆膜；升降载台部包括能够沿竖直方向升降的晶圆加热载台、位于晶圆加热载台顶部的静电吸附件、贯穿所述晶圆加热载台和静电吸附件的气路；副腔位于溅射腔的一侧面并连通于溅射腔；盖件运转于溅射腔和副腔之间，所述盖件顶部中心处设置有排气孔；其中，当所述盖件运转至溅射腔内时，所述盖件罩住晶圆并在盖件和静电吸附件之间形成辅热腔室，热气从气路进入辅热腔室内，先后流经晶圆背面、晶圆侧面、晶圆正面，最后从排气孔排出辅热腔室。本申请实现晶圆表面均匀受热受压，减少金属膜回流填孔的时间，提高晶圆镀膜的效率。

主权项：1.一种PVD提高金属膜回流效率的装置，其特征在于，包括：溅射腔（100），用于晶圆覆膜；升降载台部（200），包括能够沿竖直方向升降的晶圆加热载台（210）、位于晶圆加热载台（210）顶部的静电吸附件（220）、贯穿所述晶圆加热载台（210）和静电吸附件（220）的气路（230）；副腔（300），位于溅射腔（100）的一侧面并连通于溅射腔（100）；盖件（400），运转于溅射腔（100）和副腔（300）之间，所述盖件（400）顶部中心处设置有排气孔（410）；转运件（600），用于转运盖件（400）；其中，当所述盖件（400）运转至溅射腔（100）内时，所述盖件（400）罩住晶圆并在盖件（400）和静电吸附件（220）之间形成辅热腔室（500），热气从气路（230）进入辅热腔室（500）内，先后流经晶圆正面、晶圆侧面、晶圆背面，最后从排气孔（410）排出辅热腔室（500）。

全文数据：

权利要求：

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