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【发明公布】外腔可调谐半导体激光器_雄安创新研究院_202311664418.8 

申请/专利权人:雄安创新研究院

申请日:2023-12-06

公开(公告)日:2024-04-12

公开(公告)号:CN117878720A

主分类号:H01S5/14

分类号:H01S5/14;H01S5/10;H01S5/40;H01S5/06

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要:本公开提供了一种外腔可调谐半导体激光器,该外腔可调谐半导体激光器包括增益模块、光开关模块和光选模模块。增益模块包括多个增益芯片,增益芯片适用于提供初始激光,多个增益芯片的增益谱覆盖范围不重叠,以扩大初始激光的增益带宽;光开关模块适用于对初始激光进行分束,以由多路输出端口输出分束激光;以及光选模模块包括多个选模组件,多个选模组件分别适用于基于分束激光选择输出多路输出激光,并基于输出激光获得反馈光,其中,每路输出激光具有特定的波长,以输出波长范围的可调谐的窄线宽激光。

主权项:1.一种外腔可调谐半导体激光器,包括:增益模块,包括多个增益芯片,所述增益芯片适用于提供初始激光,多个所述增益芯片的增益谱覆盖范围不重叠,以扩大所述初始激光的增益带宽;光开关模块,适用于对所述初始激光进行分束,以使多路输出端口输出分束激光;以及光选模模块,包括多个选模组件,多个所述选模组件分别适用于基于所述分束激光选择输出多路输出激光,并基于所述输出激光获得反馈光,其中,每路输出激光具有特定的波长,以输出波长范围的可调谐的窄线宽激光。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 雄安创新研究院 外腔可调谐半导体激光器

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