申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请日：2024-01-15

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117872530A

主分类号：G02B6/136

分类号：G02B6/136;G02B6/13;G02B6/122;G02B6/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及半导体光电技术领域，特别涉及一种光子芯片的制备方法及光子芯片。通过提供一光子结构；所述光子结构包括支撑衬底和位于所述支撑衬底上的钽酸锂层；在所述钽酸锂层上形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，对所述钽酸锂层进行刻蚀，以在所述支撑衬底上形成钽酸锂波导；去除所述光刻胶，得到光子芯片。通过对钽酸锂层进行深刻蚀，使得得到的条形波导可以有效改善水平方向的光场限制，降低波导弯曲半径大小的限制，从而获得更高集成密度的钽酸锂光子芯片。

主权项：1.一种光子芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供一光子结构；所述光子结构包括支撑衬底和位于所述支撑衬底上的钽酸锂层；在所述钽酸锂层上形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，对所述钽酸锂层进行刻蚀，以在所述支撑衬底上形成钽酸锂波导；去除所述光刻胶，得到光子芯片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种光子芯片的制备方法及光子芯片

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