申请/专利权人：赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117865058A

主分类号：B81C1/00

分类号：B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请的实施例提供了一种微机电器件硅通孔结构的制备方法、及微机电器件，所述方法包括：提供一硅晶圆和一衬底基板，硅晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设置有第一凹槽，第一凹槽的侧壁与第一表面垂直或近似垂直；将硅晶圆的第一表面与衬底基板进行键合，得到键合衬底；对键合衬底中的第二表面进行干法刻蚀，以在第二表面形成与第一凹槽连通的第二凹槽，第二凹槽的侧壁与第二表面垂直或近似垂直，第二凹槽的宽度不等于第一凹槽的宽度；分离刻蚀后的所述键合衬底中的硅晶圆和衬底基板，得到具有硅通孔结构的硅晶圆。本申请的实施例能在不同晶相的硅晶圆上刻蚀得到上下不同尺寸且侧壁垂直或近似垂直的硅通孔结构。

主权项：1.一种微机电器件硅通孔结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一硅晶圆和一衬底基板，所述硅晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设置有第一凹槽，所述第一凹槽的侧壁与所述第一表面垂直或近似垂直；将所述硅晶圆的第一表面与所述衬底基板进行键合，得到键合衬底；对所述键合衬底中的所述第二表面进行干法刻蚀，以在所述第二表面形成与所述第一凹槽连通的第二凹槽，所述第二凹槽的侧壁与所述第二表面垂直或近似垂直，所述第二凹槽的宽度不等于所述第一凹槽的宽度；分离刻蚀后的所述键合衬底中的硅晶圆和衬底基板，得到具有硅通孔结构的硅晶圆。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司 微机电器件硅通孔结构的制备方法、及微机电器件

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