申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2022-08-26

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117882173A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;B23K26/53;H01L21/304

优先权：["20210906 JP 2021-145022","20211209 JP 2021-200094"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.12#公开

摘要：一种用于对第一基板与第二基板接合而成的重叠基板进行处理的方法，在所述第一基板的表面侧形成有包含多个器件的器件层，所述方法包括：向含氧膜照射第一激光束来形成漏光防止层，所述含氧膜形成在所述第一基板的要形成成为剥离的基点的改性层的形成位置与所述器件层之间；在形成所述漏光防止层之后，向所述第一基板的内部照射第二激光束来形成所述改性层；以及以所述改性层为基点将所述第一基板剥离来进行薄化。

主权项：1.一种基板处理方法，是用于对第一基板与第二基板接合而成的重叠基板进行处理的方法，在所述第一基板的表面侧形成有包含多个器件的器件层，所述基板处理方法包括：向含氧膜照射第一激光束来形成漏光防止层，所述含氧膜形成在所述第一基板的要形成成为剥离的基点的改性层的形成位置与所述器件层之间；在形成所述漏光防止层之后，向所述第一基板的内部照射第二激光束来形成所述改性层；以及以所述改性层为基点将所述第一基板剥离来进行薄化。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 基板处理方法和基板处理装置

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