申请/专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司

申请日：2023-12-05

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117866637A

主分类号：C09K13/08

分类号：C09K13/08;C09K13/00;C09K13/10;H01L21/306

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种多晶硅的均匀蚀刻液，包括以下质量百分数原料：10‑30%碱性物质，1‑10%氧化剂，0.2‑5%含氟化合物，0.1‑1%氟离子稳定剂，0.01‑0.05%氧化剂稳定剂，余量为去离子水。可将不同浓度硅含量下的多晶硅蚀刻速率调节为同一速率，从而解决深孔上下因蚀刻时间和距离造成的蚀刻速率不一致问题，该蚀刻方法可解决蚀刻液最高600ppm硅酸浓度，粗糙度Ra0.5nm，蚀刻6h后蚀刻速率不变化。

主权项：1.一种多晶硅的均匀蚀刻液，其特征在于：包括以下质量百分数原料：10~30%碱性物质；1~10%氧化剂；0.2~5%含氟化合物；0.1~1%氟离子稳定剂；0.01~0.05%氧化剂稳定剂；余量为去离子水。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种多晶硅的均匀蚀刻液

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