申请/专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117866713A

主分类号：C11D7/06

分类号：C11D7/06;H01L21/02;C11D11/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请提供了一种去除硅片表面污染的碱腐蚀洗液及硅片清洗工艺。通过增加了使用氢氧化钾去除POLY‑SI这条返工工艺。通过碱腐蚀法，将硅片表面的不良多晶层进行有效去除，之后在被去除多晶层的硅片表面，重新长一层多晶层，通过这种返工方法使原不良品变成良品，提升良率，降低成本。

主权项：1.一种去除硅片表面污染的碱腐蚀洗液，其特征在于，所述碱腐蚀洗液为氢氧化钾溶液。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 一种去除硅片表面污染的碱腐蚀洗液及硅片清洗工艺

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