申请/专利权人：江苏卓胜微电子股份有限公司

申请日：2018-12-18

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN109449126B

主分类号：H01L23/31

分类号：H01L23/31;H01L21/56

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2019.04.02#实质审查的生效;2019.03.08#公开

摘要：本发明实施例提供了一种电子器件及其制备方法、电子装置，该电子器件的电路基板具有电路连接面，该电路连接面具有工作区和围绕工作区的边缘区；在电路基板的电路连接面的工作区设置有至少一个功能模块，同时在电路基板的电路连接面的边缘区设置有边缘凸起结构，并在功能模块和至少部分边缘凸起结构上覆盖封装结构。本发明实施例通过在电路基板的电路连接面的边缘区设置有边缘凸起结构，减小边缘区与工作区之间的高度差，从而缓解边缘区覆盖封装结构的滑塌现象，改善电子器件的外观，提高电子器件可靠性。

主权项：1.一种电子器件，其特征在于，包括：电路基板，所述电路基板包括电路连接面，所述电路连接面包括工作区和围绕所述工作区的边缘区；至少一个功能模块，位于所述电路基板的工作区的；边缘凸起结构，位于所述工作区至少一侧的所述边缘区；以及覆盖所述功能模块和部分所述边缘凸起结构的封装结构；所述封装结构包括第一封装区和第二封装区；所述第一封装区覆盖所述功能模块，所述第二封装区覆盖部分所述边缘凸起结构；在垂直于所述电路连接面的方向上，所述第一封装区的厚度与所述第二封装区的厚度之差小于等于0.002cm；在沿所述工作区指向所述边缘区的方向上，所述边缘凸起结构具有第一宽度L1；在沿所述工作区指向所述边缘区的方向上，覆盖所述边缘凸起结构的所述第二封装区具有第二宽度L2；其中，0.2*L1≤L2≤0.95*L1。

全文数据：一种电子器件及其制备方法、电子装置技术领域本发明涉及电子应用技术领域，尤其涉及一种电子器件及其制备方法、电子装置。背景技术当前，随着信息科技和网络技术的发展，例如手机、运动手表和射频识别设备等多种电子装置为人们生活和消费带来极大便利，逐渐成为人们生活、物流运输或工业制造领域等中不可或缺的一部分。通常使用的电子装置基本都采用印刷电路板PCB作为其承载处理芯片或存储芯片等各种功能芯片的电路基板。通常使用的印刷电路板为平坦的多层结构，在功能芯片通过常用的焊接技术例如表面贴片技术、双列直插等电性连接到印刷电路板后，还会采用环氧树脂等将功能芯片和印刷电路板整体覆盖起来，并进行热压固等固化处理形成最终的电子装置。但由于印刷电路板的功能芯片大多排布在中部区域，其外缘较少排布功能芯片，使得在进行热压固时外缘区域由于缺乏像中部区域中由其功能芯片提供的支持，从而使得热固化后最终形成的环氧树脂壳体在电子器件外缘出现不平或滑塌。如此一方面会造成相关电子装置外观不良，另一方面也会在不平或滑塌的外缘区域埋下电子器件可靠性的隐患。发明内容本发明实施例提供一种电子器件及其制备方法、电子装置，能够解决现有技术中由于电子器件的外边缘与中部区域高度不一致，致使封装时外边缘出现不平或滑塌，从而造成电子器件的外观不良，且存在可靠性隐患的技术问题。第一方面，本发明实施例提供了一种电子器件，包括：电路基板，所述电路基板包括电路连接面，所述电路连接面包括工作区和围绕所述工作区的边缘区；至少一个功能模块，位于所述电路基板的工作区的；边缘凸起结构，位于所述工作区至少一侧的所述边缘区；以及覆盖所述功能模块和至少部分所述边缘凸起结构的封装结构。可选的，所述封装结构包括第一封装区和第二封装区；所述第一封装区覆盖所述功能模块，所述第二封装区覆盖至少部分所述边缘凸起结构；在垂直于所述电路连接面的方向上，所述第一封装区的厚度与所述第二封装区的厚度之差小于等于0.002cm。可选的，在沿所述工作区指向所述边缘区的方向上，所述边缘凸起结构具有第一宽度L1；在沿所述工作区指向所述边缘区的方向上，覆盖所述边缘凸起结构的所述第二封装区具有第二宽度L2；其中，0.2*L1≤L2≤0.95*L1。可选的，所述第一宽度的取值范围为：0.1cm≤L1≤0.4cm可选的，所述至少一个功能模块中距离所述边缘凸起结构最近的功能模块与所述边缘凸起结构之间具有第一距离S1；所述第一距离S1的取值范围为0cm≤S1≤0.02cm。可选的，在垂直所述电路连接面的方向上，所述边缘凸起结构具有第一厚度T1，所述功能模块具有第二厚度T2；其中，0.2*T2≤T1≤T2。可选的，所述边缘凸起结构包括多个块状子凸起结构，相邻的子凸起结构之间具有间隙。可选的，所述边缘凸起结构围绕所述工作区。可选的，所述边缘凸起结构的材料包括铜或第一树脂材料；所述封装结构的材料包括第二树脂材料；所述第一树脂材料的弹性模量小于所述第二树脂材料的弹性模量。可选的，所述电路基板包括印刷电路基板；所述功能模块包括集成芯片。第二方面，本发明实施例提供了一种电子装置，包括上述电子器件。第三方面，本发明实施例提供了一种电子器件的制备方法，包括：提供一电路基板，所述电路基板包括电路连接面，所述电路连接面包括工作区和围绕所述工作区的边缘区；在所述电路基板的工作区邦定至少一个功能模块；在所述电路基板的边缘区形成边缘凸起结构；在所述功能模块和至少部分所述边缘凸起结构上形成封装结构。可选的，在所述功能模块和至少部分所述边缘凸起结构上形成封装结构，包括：在所述功能模块和至少部分所述边缘凸起结构上形成封装膜层；对所述封装膜层进行热压固工艺形成所述封装结构。可选的，所述热压固工艺中施加压力F的取值范围为：1kgf≤F≤20kgf；所述热压固工艺中固化温度C的取值范围为：40℃≤C≤80℃。本发明实施例提供了一种电子器件及其制备方法、电子装置，该电子器件的电路基板具有电路连接面，该电路连接面具有工作区和围绕工作区的边缘区；在电路基板的电路连接面的工作区设置有至少一个功能模块，同时在电路基板的电路连接面的边缘区设置有边缘凸起结构，并在功能模块和至少部分边缘凸起结构上覆盖封装结构，从而能够解决现有技术中，由于电子器件的边缘区和工作区的具有较大的高度差，致使电子器件边缘区覆盖的封装结构出现滑塌现象，造成电子器件的外观不良，且存在可靠性隐患的技术问题。本发明实施例通过在电路基板的电路连接面的边缘区设置有边缘凸起结构，减小边缘区与工作区之间的高度差，从而缓解边缘区覆盖封装结构的滑塌现象，改善电子器件的外观，提高电子器件可靠性。附图说明图1是现有技术中电子器件的结构示意图；图2是本发明实施例提供的一种电子器件封装前的俯视结构示意图；图3是本发明实施例提供的一种电子器件A-A截面的结构示意图；图4是本发明实施例提供的另一种电子器件封装前的俯视结构示意图；图5是本发明实施例提供的另一种电子器件A-A截面的结构示意图；图6是本发明实施例提供的又一种电子器件封装前的俯视结构示意图；图7是本发明实施例提供的再一种电子器件封装前的俯视结构示意图；图8是本发明实施例提供的一种电子装置的结构示意图；图9是本发明实施例提供一种电子器件制备方法的流程图；图10～图12是本发明实施例提供的一种电子器件的制备过程的结构示意图；图13是本发明实施例提供一种电子器件封装方法的流程图具体实施方式下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。在现有技术中，如图1，电子器件10的电路基板11上通常设置有至少一个功能模块12，该功能模块12例如可以为功能芯片和或其它电子元件。当功能模块12为功能芯片时，例如可以为处理芯片和或存储芯片等。该功能模块12位于电路基板11的电连接面S上，且功能模块12与电路基板11电连接。电子器件10还包括覆盖功能模块12和电路基板11的封装层13，该封装层13可通过热压固等工艺形成于功能模块12和电路基板11上。通常电子器件10的电路基板11的电连接面S为平坦的表面，若将至少一个功能模块12设置于电连接面S的中部区域S1，则在电路基板11指向功能模块12的方向Y上，功能模块12周围的电路基板11的边缘区域S2的高度H1与设置有功能模块12的中部区域S1的高度H2之间具有较大的高度差ΔH1。该高度差ΔH1的存在，使得采用热压固工艺对电子器件10进行封装时，位于电路基板11的边缘区域S2上的封装层13相对于设置有功能模块12的中部区域S1上的封装层13出现不平或滑塌，即出现宽度为W1的斜面M。该斜面M最低点与设置有功能模块12的中部区域S1上的封装层13的具有高度差ΔH2，由此一方面会造成电子器件存在外观上的不良，另一方面封装层无法对边缘处功能结构起到封装保护和电绝缘保护的功能，从而使得电子器件存在可靠性的隐患。本实施例提供了一种电子器件，该电子器件例如可以为具有特定功能的模组。图2是本发明实施例提供的一种电子器件封装前的俯视结构示意图，图3是本发明实施例提供的一种电子器件A-A截面的结构示意图。结合图2和图3，本实施例的电子器件20包括电路基板21，该电路基板21包括电路连接面210、至少一个功能模块22、边缘凸起结构23、以及封装结构24。其中，电路连接面210包括工作区211和围绕工作区211的边缘区212；至少一个功能模块22位于电路基板21的工作区211；边缘凸起结构23位于工作区211至少一侧的边缘区212；封装结构24覆盖功能模块22和至少部分边缘凸起结构23。需要说明的是，电子器件20中电路基板21的工作区211设置有至少一个功能模块22，即电子器件20中功能模块22的个数可以为n个，其中n可以为任意正整数，且当包括两个或两个以上的功能模块22时，各功能模块22可具有相同或不同的功能结构。此外，依据电子器件20中电路基板21工作区211周围的边缘区212的宽度设置相应的边缘凸起结构23，例如可以为围绕工作区211设置边缘凸起结构23，也可以仅在沿X方向尺寸较大的边缘区212设置边缘凸起结构23。如图2和图3，本实施例仅示例性的以电路基板21的工作区211设置有一个功能模块22为例，且仅在沿X方向尺寸较大的边缘区212设置边缘凸起结构23，在其它示例性的方案中功能模块22的个数也可以为大于等于2的整数，同样可依照沿工作区211指向边缘区212的方向上边缘区的尺寸在沿设置相应的边缘凸起结构23，其技术原理与本实施例图2和图3的示例性方案类似，在此不再赘述。具体的，电子器件20中电路基板21的电路连接面210具有工作区211和围绕工作区211的边缘区212。电路基板21的电路连接面210的工作区211能够与功能模块22电连接，以使电子器件20能够实现相应功能。为使封装后电子器件20的电路基板11的工作区211与边缘区212具有较小的厚度差，封装前在工作区211周围至少一侧的边缘区212设置边缘凸起结构23。其中，电子器件20中的电路基板21可选为包括印刷电路板，功能模块22可选为包括集成芯片。示例性的，如图2和图3，电路基板21工作区211的功能模块22在Y方向上的尺寸为T2。在工作区211指向边缘区212的方向上，具有较大尺寸W2的边缘区212上设置有边缘凸起结构23，该边缘凸起结构23在Y方向上的尺寸为T1，从而能够对边缘区212起到垫高的作用，如此将减小设置有功能模块22的工作区211与设置有边缘凸起结构23的边缘区212之间的高度差。采用封装结构24进行封装时，在Y方向上，工作区211对应的封装结构24与边缘区对应的封装结构24之间的最大高度差ΔT减小，从而避免设置于边缘区212的封装结构24出现明显的不平或较大的滑塌现象，进而改善电子器件20的外观，提高电子器件20的可靠性。其中，在改善边缘区212的封装结构24出现明显的不平或较大的滑塌现象，以及实际应用的前提下，封装结构24覆盖至少部分边缘凸起结构23，即封装结构24可将全部的边缘凸起结构23覆盖，也可只覆盖部分的边缘凸起结构23。本发明实施例通过在电路基板的电路连接面的边缘区设置有边缘凸起结构，减小边缘区与工作区之间的高度差，从而缓解边缘区覆盖封装结构的滑塌现象，改善电子器件的外观，提高电子器件可靠性。可选的，图4是本发明实施例提供的另一种电子器件封装前的俯视结构示意图；图5是本发明实施例提供的另一种电子器件A-A截面的结构示意图。如图4和图5，封装结构24包括第一封装区241和第二封装区242。其中，第一封装区241覆盖功能模块22，第二封装区242覆盖至少部分边缘凸起结构23，且在垂直于电路连接面210的方向上，第一封装区241的厚度与第二封装区242的厚度之差小于等于0.002cm。需要说明的是，本实施例中电子器件20包括至少一个功能模块22，即可以为一个、两个或多个功能模块22；边缘凸起结构23设置于工作区211周围的所有边缘区212，也可设置于工作区211周围的部分边缘区212。图4和图5仅为本实施例示例性的附图，在其它示例性的方案中，功能模块22的个数可以为任意正整数，边缘凸起结构23可设置于工作区211周围的任意边缘区212，其技术原理与本实施例示例性的方案类似，在此不再赘述。具体的，在垂直于电路连接面210的方向上，即Y方向上，功能模块22的厚度T2，边缘凸起结构23的厚度为T1，即功能模块22与边缘凸起结构23可存在厚度差，如此可在一定程度上节省原料，降低生产设备的精度，以降低生产成本。在垂直于电路连接面210的方向上，即Y方向上，由于功能模块22与边缘凸起结构23可能存在厚度差，在采用封装结构24封装时，覆盖功能模块22的第一封装区241与覆盖边缘凸起结构23的第二封装区242亦可能存在一定的厚度差。在满足电子器件20实际应用的前提下，第一封装区241与第二封装区242的厚度差可小于等于0.002cm。例如电子器件20在手机、运动手表和射频识别设备等电子装置中应用时，需满足电子器件与其它器件之间的装配需求，以及对电子器件20的保护作用，封装结构24的第一封装区241覆盖全部的功能模块22，封装结构24的第二封装区242覆盖至少部分的边缘凸起结构23，且第一封装区241与第二封装区242之间最大的厚度差ΔT小于等于0.002cm。可选的，继续参见图4和图5，在沿工作区211指向边缘区212的方向上，边缘凸起结构23具有第一宽度L1；在沿工作区211指向边缘区212的方向上，覆盖边缘凸起结构23的所述第二封装区242具有第二宽度L2；其中，第一宽度L1与第二宽度L2的关系为：0.2*L1≤L2≤0.95*L1。具体的，封装结构24的第二封装区242覆盖部分边缘凸起结构23，且覆盖边缘凸起结构23的第二封装区242的宽度L2为边缘凸起结构23的宽度L1的0.2到0.95倍。如此设置能够满足第一封装区241的厚度T1与第二封装区242的厚度T2之差ΔT小于等于0.002cm，以避免设置于边缘区212的封装结构24出现明显的不平或较大的滑塌现象，从而改善电子器件20的外观，提高电子器件20的可靠性。可选的，继续结合参考图4和图5，边缘凸起结构23的取值范围可以为0.1cm≤L1≤0.4cm。相应的，电子器件20中至少一个功能模块22中距离边缘凸起结构23最近的功能模块22与边缘凸起结构23之间具有第一距离S1；且第一距离S1的取值范围可选为0cm≤S1≤0.02cm。可选的，继续结合参考图4和图5，在垂直电路连接面210的方向上，即Y方向上，边缘凸起结构23具有第一厚度T1，功能模块22具有第二厚度T2；其中，0.2*T2≤T1≤T2。具体的，边缘凸起结构23的厚度T1至少为功能模块22的厚度T2的20％，边缘凸起结构23的最大厚度T1可与功能模块22的厚度T2相等。示例性的，在边缘凸起结构23的厚度T1与功能模块22的厚度T2相等的情况下，边缘凸起结构23与相邻功能模块22的第一距离S1的取值范围可以为0cm≤S1≤0.02cm；边缘凸起结构23的第一宽度L1的取值范围可以为0.1cm≤L1≤0.4cm；边缘凸起结构23的厚度T1可以为与其相邻功能模块22厚度T2的25％；当边缘凸起结构23与相邻的功能模块22的之间的第一距离S1在0.01cm至0.02cm的范围内时，边缘凸起结构23的第一宽度L1可以为0.2cm，而覆盖边缘凸起结构23的封装结构24的第二封装区242的第二宽度L2可以为边缘凸起结构23的宽度L1的20％至95％，示例性的，覆盖边缘凸起结构23的封装结构24的第二封装区242的第二宽度L2可以为边缘凸起结构23的第一宽度L1的85％。可选的，图6是本发明实施例提供的又一种电子器件封装前的俯视结构示意图。结合图4和图6，本实施例中，在满足电子器件封装要求的前提下，边缘凸起结构23可包括多个块状子凸起结构231，相邻的子凸起结构231之间具有间隙。可选的，图7是本发明实施例提供的再一种电子器件封装前的俯视结构示意图。如图7，本实施例中，在满足电子器件封装要求的前提下，边缘凸起结构23可围绕工作区211设置。可选的，缘凸起结构的材料可包括铜或第一树脂材料；封装结构的材料包括第二树脂材料；其中，边缘凸起结构的第一树脂材料的弹性模量小于封装结构的第二树脂材料的弹性模量。具体的，边缘凸起结构的材料可由较易获得的铜，通过电镀的方式形成，但考虑到铜的成本较高，边缘凸起结构亦可采用与封装结构不同的树脂材料。该边缘凸起结构的第一树脂例如可以为印刷电路板制作中采用的丙烯酸低聚物。当封装结构的第二树脂材料的弹性模量大于边缘凸起结构的第一树脂材料的弹性模量时，封装结构的第二树脂材料例如可以为环氧树脂等，如此能够在采用热压固工艺等形成封装结构时，使得边缘凸起结构保持形状不变。本发明实施例还提供了一种电子装置，该电子装置例如可以为手机、运动手表和射频识别设备等。图8是本发明实施例提供的一种电子装置的结构示意图。如图8，本实施例提供的电子装置200包括本发明实施例提供的电子器件20。本发明实施例提供的电子装置200中的电子器件20通过在电路基板的电路连接面的边缘区设置有边缘凸起结构，减小边缘区与工作区之间的高度差，从而缓解边缘区覆盖封装结构的滑塌现象，改善电子器件20的外观，提高电子器件20可靠性，进而方便电子器件20与电子装置200中其它器件的装配，同时提高电子装置20的运行可靠性。本发明实施例还提供了一种电子器件的制备方法，该电子器件的制备方法可用于制备本发明实施例提供的电子器件。图9是本发明实施例提供一种电子器件制备方法的流程图。如图9，本实施例的电子器件的制备方法包括：S910、提供一电路基板，所述电路基板包括电路连接面，所述电路连接面包括工作区和围绕所述工作区的边缘区；S920、在所述电路基板的工作区邦定至少一个功能模块。具体的，图10～图12是本发明实施例提供的一种电子器件的制备过程的结构示意图。结合图10、图11和图12，提供一具有承载支撑作用的电路基板21，且该电路基板21具有电路连接面210，该电路连接面包括工作区211和围绕工作区211的边缘区212。电路基板21的工作区211即为该电路基板21能够与其它部件联合实现电子器件20功能的区域。在电路基板21的工作区211上邦定形成至少一个功能模块22，该功能模块22例如可以为集成芯片。在电路基板21上邦定功能模块22的方式例如可以为焊接技术中的表面贴片工艺或双列直插工艺等。S930、在所述电路基板的边缘区形成边缘凸起结构。具体的，继续结合图10、图11和图12，在电路基板21的工作区211形成功能模块22后，该工作区211不再是平坦的结构，而是由于功能模块22的存在形成相应的凸起，为使得边缘区212具有与工作区211对应的凸起，可在电路基板21的边缘区212形成相应的边缘凸起结构23。该边缘凸起结构23具有一定的高度，从而可与功能模块22的高度相对应。S940、在所述功能模块和至少部分所述边缘凸起结构上形成封装结构。具体的，继续结合图10、图11和图12，电子器件20上形成功能模块22和边缘凸起结构23后，开始进行封装，以对电子器件20形成保护。通过在功能模块22和至少部分边缘凸起结构23上形成封装结构24，由于边缘凸起结构23并非电子器件20的功能实现部分，因而在满足封装要求的前提下，可仅对部分的边缘凸起结构23进行封装即可。本发明实施例通过在电路基板的电路连接面的边缘区设置有边缘凸起结构，减小边缘区与工作区之间的高度差，从而缓解边缘区覆盖封装结构的滑塌现象，改善电子器件的外观，提高电子器件可靠性。可选的，在上述实施例的基础上对电子器件进行封装的方式可以为采用热压固的工艺。图13是本发明实施例提供一种电子器件封装方法的流程图。如图13，本发明实施例提供的电子器件的封装方法包括：S941、在所述功能模块和至少部分所述边缘凸起结构上形成封装膜层；S942、对所述封装膜层进行热压固工艺形成所述封装结构。具体的，对电子器件进行封装时，在电子器件的功能模块和至少部分边缘凸起结构上形成封装膜层，该封装膜层例如可以为环氧树脂的膜层。对形成的封装膜层进行热压固的工艺，以使该封装膜层能够充分填充相邻功能模块之间的间隙，以及功能模块与边缘凸起结构之间的间隙，以使相邻的功能模块之间、功能模块与边缘凸起结构之间形成电绝缘，以防功能模块工作时，受其它部件的影响。其中，热压固工艺可在压固室中进行也可在压固平台上进行。可选的，热压固工艺中施加压力F的取值范围为：1kgf≤F≤20kgf；热压固工艺中固化温度C的取值范围为：40℃≤C≤80℃。具体的，对封装膜层进行热压固工艺形成封装结构过程中，热压固工艺中施加的压力F的取值范围可以为1kgf≤F≤20kgf，以使封装结构能够压覆在电路基板、功能模块、以及至少部分边缘凸起结构上，并在40℃至80℃的固化温度C下保持预设压固时间，该预设压固时间例如可以为5秒至10秒钟，示例性的预设压固时间可以为10秒。在实际操作中热压固工艺参数中压力F的取值范围、固化温度的取值范围、以及预设压固时间的取值范围均与封装结构的材料相匹配。示例性的，封装结构的材料可以为环氧树脂等，而边缘凸起结构的材料与封装结构的材料不同，且边缘凸起结构的材料的硬度大于封装结构的材料的硬度。在进行热压固工艺时，封装结构在设施加的压力范围、温度范围和预设压固时间范围内产生软化变形后填充相邻功能模块的间隙、以及功能模块与边缘凸起结构的间隙，然后再固化完成封装。而边缘凸起结构的材料不产生任何软化变形，以使至少部分边缘凸起结构在热压固工艺时，为封装结构起支撑作用，从而使得电子器件中电路基板的边缘区形貌得以改善。示例性的，在垂直于电路基板的电路连接面的方向上，封装结构中覆盖功能模块的第一封装区与覆盖至少部分边缘凸起结构的第二封装区的厚度之差可小于等于0.002cm。本发明实施例提供的电子器件的制备方法，通过在电子器件中电路基板的电路连接面的工作区形成至少一个功能模块，且同时在电路基板的电路连接面的边缘区设置有边缘凸起结构，从而能够减小边缘区与工作区之间的高度差，以缓解边缘区覆盖封装结构的滑塌现象，改善电子器件的外观，提高电子器件可靠性。注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

权利要求：1.一种电子器件，其特征在于，包括：电路基板，所述电路基板包括电路连接面，所述电路连接面包括工作区和围绕所述工作区的边缘区；至少一个功能模块，位于所述电路基板的工作区的；边缘凸起结构，位于所述工作区至少一侧的所述边缘区；以及覆盖所述功能模块和至少部分所述边缘凸起结构的封装结构。2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述封装结构包括第一封装区和第二封装区；所述第一封装区覆盖所述功能模块，所述第二封装区覆盖至少部分所述边缘凸起结构；在垂直于所述电路连接面的方向上，所述第一封装区的厚度与所述第二封装区的厚度之差小于等于0.002cm。3.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，在沿所述工作区指向所述边缘区的方向上，所述边缘凸起结构具有第一宽度L1；在沿所述工作区指向所述边缘区的方向上，覆盖所述边缘凸起结构的所述第二封装区具有第二宽度L2；其中，0.2*L1≤L2≤0.95*L1。4.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于，所述第一宽度的取值范围为：0.1cm≤L1≤0.4cm。5.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述至少一个功能模块中距离所述边缘凸起结构最近的功能模块与所述边缘凸起结构之间具有第一距离S1；所述第一距离S1的取值范围为0cm≤S1≤0.02cm。6.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，在垂直所述电路连接面的方向上，所述边缘凸起结构具有第一厚度T1，所述功能模块具有第二厚度T2；其中，0.2*T2≤T1≤T2。7.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述边缘凸起结构包括多个块状子凸起结构，相邻的子凸起结构之间具有间隙。8.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述边缘凸起结构围绕所述工作区。9.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述边缘凸起结构的材料包括铜或第一树脂材料；所述封装结构的材料包括第二树脂材料；所述第一树脂材料的弹性模量小于所述第二树脂材料的弹性模量。10.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述电路基板包括印刷电路基板；所述功能模块包括集成芯片。11.一种电子装置，其特征在于，包括：权利要求1～10任一项所述的电子器件。12.一种电子器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一电路基板，所述电路基板包括电路连接面，所述电路连接面包括工作区和围绕所述工作区的边缘区；在所述电路基板的工作区邦定至少一个功能模块；在所述电路基板的边缘区形成边缘凸起结构；在所述功能模块和至少部分所述边缘凸起结构上形成封装结构。13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在所述功能模块和至少部分所述边缘凸起结构上形成封装结构，包括：在所述功能模块和至少部分所述边缘凸起结构上形成封装膜层；对所述封装膜层进行热压固工艺形成所述封装结构。14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述热压固工艺中施加压力F的取值范围为：1kgf≤F≤20kgf；所述热压固工艺中固化温度C的取值范围为：40℃≤C≤80℃。

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