申请/专利权人：住友电气工业株式会社

申请日：2020-11-10

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN114761628B

主分类号：C30B29/36

分类号：C30B29/36;H01L21/304

优先权：["20191202 JP 2019-218126"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.08.02#实质审查的生效;2022.07.15#公开

摘要：碳化硅衬底具有第一主面和与第一主面相对的第二主面。碳化硅衬底包含螺旋位错和凹坑，所述凹坑在与第一主面平行的方向上的最大直径为1μm以上且10μm以下。在对第一主面观测螺旋位错和凹坑的情况下，凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1％以下。在第一主面中，镁的浓度小于1×1011原子cm2。

主权项：1.一种碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面，其中，所述碳化硅衬底包含螺旋位错和凹坑，所述凹坑在与所述第一主面平行的方向上的最大直径为1μm以上且10μm以下，在对所述第一主面观测所述螺旋位错和所述凹坑的情况下，所述凹坑的数量除以所述螺旋位错的数量而得到的比率为1％以下，并且在所述第一主面中，镁的浓度小于1×1011原子cm2，所述第一主面中的所述螺旋位错的面积密度为100cm-2以上且5000cm-2以下。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 住友电气工业株式会社 碳化硅衬底和碳化硅衬底的制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD