申请/专利权人：镓特半导体科技(上海)有限公司

申请日：2020-01-19

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN111223763B

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L29/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2020.06.26#实质审查的生效;2020.06.02#公开

摘要：本发明涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法：包括如下步骤：提供衬底；于衬底上形成氮化物缓冲层；于氮化物缓冲层上形成多层图形化掩膜层，所述多层图形化掩膜层中的底层图形化掩膜层的材料包括硅基氧化物、硅基氮化物、金属氧化物及金属氮化物中的至少一种，顶层图形化掩膜层为图形化金属掩膜层。本发明有利于多层图形化掩膜层上形成的氮化镓层的自剥离；保证在多层图形化掩膜层上形成的氮化镓层的质量；不会存在金属掩膜层处剥离存在的在剥离过程中只能实现部分剥离而造成裂片，从而影响氮化镓层的质量的问题。

主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，用于制备自剥离的氮化镓层，包括如下步骤：提供衬底；于所述衬底上形成氮化物缓冲层，包括：于所述衬底上形成至少一层第一氮化物缓冲层，所述第一氮化物缓冲层包括MgxInyGazAlwN层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，0≤w≤1且x+y+z+w=1；于所述第一氮化物缓冲层的表面形成第二氮化物缓冲层，所述第二氮化物缓冲层包括MgxInyGazAlwN层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0＜z≤1，0≤w≤1且x+y+z+w=1；于所述氮化物缓冲层上形成多层图形化掩膜层，其中，所述多层图形化掩膜层中的底层图形化掩膜层的材料包括硅基氧化物、硅基氮化物、金属氧化物及金属氮化物中的至少一种，顶层图形化掩膜层为图形化金属掩膜层，所述顶层掩膜层包括单层金属层或至少两种金属形成的合金层；所述多层图形化掩膜层还包括中间图形化掩膜层，位于顶层图形化掩膜层和底层图形化掩膜层之间；所述中间图形化掩膜层的材料包括硅基氧化物、硅基氮化物、金属氧化物、金属氮化物及金属中的至少一种。

全文数据：

权利要求：

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