申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请日：2024-01-02

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117492335B

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2024.02.23#实质审查的生效;2024.02.02#公开

摘要：本发明提供一种电子束曝光剂量校正方法，根据版图图形中不同占空比的图形区域进行图形分区，各个区域分别采用邻近效应校正计算得到第一剂量校正系数，并根据各个区域的占空比得到第二剂量校正系数，在第一剂量校正系数的基础上叠加第二剂量校正系数，可实现全局图形的高线宽精度及其均匀性；并且，采用多重曝光的方式提升图形曝光的场拼接精度，解决绝缘衬底上大面积电子束曝光时面临图形位置漂移、线宽精度和均匀性控制难、拼接误差大等问题，从而拓展电子束曝光技术在超导量子器件、超导单光子探测器、光量子芯片、长波导器件、高频表面波器件等微纳器件加工中的应用。

主权项：1.一种电子束曝光剂量校正方法，其特征在于，包括以下步骤：提供绝缘衬底，于所述绝缘衬底上形成自下而上层叠的抗蚀剂层和导电胶层，并获取电子束曝光的清除剂量D0；基于版图图形中不同占空比的图形区域进行图形分区，将所述抗蚀剂层划分为i个区域，i为大于1的整数，对所述i个区域进行邻近效应校正计算，获取所述i个区域的第一剂量校正系数，所述第一剂量校正系数分别为kp1、kp2、kp3、……、kpi；对所述i个区域进行占空比计算，所述占空比为每个区域中待曝光图形面积与区域面积的比值，获取所述i个区域的第二剂量校正系数，所述第二剂量校正系数分别为ks1、ks2、ks3、……、ksi；确定所述i个区域的曝光剂量，曝光剂量分别为D0×kp1×ks1、D0×kp2×ks2、D0×kp3×ks3、……、D0×kpi×ksi；采用多重曝光的方式对所述i个区域进行电子束曝光。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种电子束曝光剂量校正方法

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