申请/专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司

申请日：2021-08-24

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN113707540B

主分类号：H01L21/027

分类号：H01L21/027;H01L21/033;H01L23/544

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2021.12.14#实质审查的生效;2021.11.26#公开

摘要：本发明提供一种晶圆对准曝光方法及半导体器件，包括：提供第一晶圆，其具有相对的第一表面和第二表面；提供光罩，其上设置有光罩图形，光罩图形与第一标记层的图形对应；光刻机台通过光罩对第一光阻层曝光，在对应透光区的位置形成第一开孔；刻蚀第一晶圆形成沟槽。本发明的光罩图形与第一标记层的图形对应，通过曝光后刻蚀形成沟槽，沟槽在第二表面的投影至少覆盖一个子标记在第二表面的投影；使光刻机台识别第一标记层需穿透的厚度识别厚度变小，实现较厚晶圆加工时，光刻机台可以从晶圆厚度方向上的一侧识别另一侧的对准标识图形，满足后续工艺对准要求，提高工艺精度。

主权项：1.一种晶圆对准曝光方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，其具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面上形成有第一光阻层；靠近所述第二表面一侧形成有第一标记层；所述第一标记层包括至少一个子标记；提供光罩，其上设置有光罩图形，所述光罩图形与所述第一标记层的图形对应，所述光罩图形包括透光区；光刻机台通过所述光罩对所述第一光阻层曝光，在对应所述透光区的位置形成第一开孔；以曝光后的所述第一光阻层为掩膜，刻蚀所述第一晶圆形成沟槽，所述沟槽的底部到所述第一标记层的厚度小于等于光刻机台的最大识别厚度，所述沟槽在所述第二表面的投影至少覆盖一个所述子标记在所述第二表面的投影。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉新芯集成电路制造有限公司 晶圆对准曝光方法及半导体器件

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