申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-07-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN111762753B

主分类号：B81C1/00

分类号：B81C1/00;B81B7/02

优先权：["20190401 US 16/371,421"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.13#公开

摘要：本公开实施例涉及一种微机电系统装置及其形成方法，所述方法包括在第一压电层之上沉积第一电极层。接着在第一电极层之上沉积硬掩模层。在硬掩模层上形成具有第一电极图案的光刻胶掩模。使用光刻胶掩模向硬掩模层中进行第一刻蚀，以将第一电极图案转移到硬掩模层。接着移除光刻胶掩模。使用硬掩模层进行第二刻蚀，以将第一电极图案转移到第一电极层，以及移除硬掩模层。

主权项：1.一种形成微机电系统装置的方法，其特征在于，包括：在第一压电层之上沉积第一电极层；在所述第一电极层之上沉积硬掩模层；在所述硬掩模层上形成具有第一电极图案的光刻胶掩模；在所述光刻胶掩模就位的情况下，对所述硬掩模层进行第一刻蚀，以将所述第一电极图案转移到所述硬掩模层；移除所述光刻胶掩模；在所述硬掩模层就位的情况下，对所述第一电极层进行第二刻蚀，以将所述第一电极图案转移到所述第一电极层；移除所述硬掩模层；在所述第一电极层上沉积第二压电层；在所述第二压电层上沉积第二电极层；在所述第二电极层上沉积第三压电层；进行穿过所述第二电极层及所述第二压电层的刻蚀，以形成第一开口，所述第一开口暴露出所述第一电极层、所述第二电极层的侧壁及所述第二压电层的压电侧壁；进行穿过所述第三压电层的刻蚀，以形成第二开口，所述第二开口暴露出所述第二电极层；沉积介电衬里层，所述介电衬里层覆盖所述第一电极层及所述第二电极层并衬于所述第一开口及所述第二开口；对所述介电衬里层进行回蚀，以暴露出所述第一开口中的所述第一电极层及所述第二开口中的所述第二电极层；以及在所述第一开口中形成第一导电接触件并在所述第二开口中形成第二导电接触件，其中所述第一导电接触件电耦合到所述第一电极层，且通过所述介电衬里层与所述第二电极层的所述侧壁电隔离，其中所述第二电极层的所述侧壁的平均表面粗糙度比所述第二电极层的顶表面和所述压电侧壁的平均表面粗糙度高。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 微机电系统装置及其形成方法

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