申请/专利权人：湖北九峰山实验室

申请日：2023-09-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN220774376U

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权

摘要：本实用新型涉及一种具有底部互连通路的异质外延结构。该结构包括衬底、制作在衬底上的P+区域、外延生长在P+区域上的外延层，所述P+区域的掺杂浓度达到简并状态且其上刻蚀有沟槽，所述沟槽用于分隔出不同区域的有源区，所述外延层外延生长在沟槽和P+区域表面。本实用新型通过异质外延技术生长具有底部互连通路的大尺寸宽禁带半导体材料晶圆，不仅能在外延层底部实现不同区域之间的互连，不需要在表面进行金属互连，避免了因为尺寸缩小带来的寄生参数的急剧增大以及互连线之间的干扰带来的噪声，而且还可以通过沟槽实现不同区域之间自隔离以及和衬底之间起到pn结隔离的作用。

主权项：1.一种具有底部互连通路的异质外延结构，其特征在于，包括衬底1、制作在衬底1上的P+区域2、外延生长在P+区域2上的外延层3，所述P+区域2的掺杂浓度达到简并状态且其上刻蚀有沟槽4，所述沟槽4用于分隔出不同区域的有源区，所述外延层3外延生长在沟槽4和P+区域2表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北九峰山实验室 一种具有底部互连通路的异质外延结构

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