申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2020-01-28

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN113424320B

主分类号：H10B43/35

分类号：H10B43/35;H10B43/20;H01L29/792;H01L29/66

优先权：["20190215 US 16/277,311"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2021.10.12#实质审查的生效;2021.09.21#公开

摘要：本发明公开一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括形成包括垂直交替绝缘层及字线层的堆叠。形成沿所述垂直交替层竖向延伸的第一电荷阻挡材料。所述第一电荷阻挡材料具有至少7.0的k且包括金属氧化物。在所述第一电荷阻挡材料的横向内形成第二电荷阻挡材料。所述第二电荷阻挡材料具有小于7.0的k。在所述第二电荷阻挡材料的横向内形成存储材料。在所述存储材料的横向内形成绝缘电荷通过材料。在所述绝缘电荷通过材料的横向内形成沿所述绝缘层及所述字线层竖向延伸的通道材料。本发明公开结构实施例。

主权项：1.一种用于形成存储器阵列的方法，所述存储器阵列包括存储器单元串，所述方法包括：形成包括垂直交替绝缘层及字线层的垂直堆叠；形成沿所述垂直堆叠竖向延伸的第一电荷阻挡材料，所述第一电荷阻挡材料具有至少7.0的介电常数k且包括金属氧化物；在所述第一电荷阻挡材料的横向内形成第二电荷阻挡材料，所述第二电荷阻挡材料具有小于7.0的介电常数k；在所述第二电荷阻挡材料的横向内形成存储材料；在所述存储材料的横向内形成绝缘电荷通过材料；在所述绝缘电荷通过材料的横向内形成沿所述绝缘层及所述字线层竖向延伸的通道材料；在所述字线层中形成个别字线的导电材料；在形成所述第一电荷阻挡材料之前形成沿所述垂直堆叠竖向延伸的绝缘体材料；及在形成所述导电材料之前移除所述字线层内的所述绝缘体材料以暴露所述第一电荷阻挡材料的横向外侧壁，在所述字线层中形成直接抵靠所述第一电荷阻挡材料的所述暴露横向外侧壁的所述导电材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 存储器阵列及用以形成存储器阵列的方法

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