申请/专利权人：华芯程(杭州)科技有限公司

申请日：2023-12-04

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117348334B

主分类号：G03F1/36

分类号：G03F1/36;G03F7/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2024.01.23#实质审查的生效;2024.01.05#公开

摘要：本发明涉及光刻制程领域，特别是涉及一种光学临近效应修正方法、装置、设备及介质，通过获取待校掩膜及目标版图图案；对待校掩膜进行试验光刻，并对所述试验光刻的结果进行扫描，得到实际图像；根据所述实际图像，确定扫描边缘图案；确定所述目标版图图案上的取样点；将所述扫描边缘图案与所述目标版图图案叠图；确定各个所述取样点在垂直于所述目标版图图案的边缘的方向上，与所述扫描边缘图案的距离，作为凭证距离；根据各个所述取样点对应的凭证距离及所述目标版图图案，得到校正版图图案；对所述校正版图图案进行OPC处理，得到目标掩膜。本发明依据得到的实际图像对目标版图图案进行调整优化，提升了光学邻近效应修正的精度与准确度。

主权项：1.一种光学临近效应修正方法，其特征在于，包括：获取待校掩膜及目标版图图案；对待校掩膜进行试验光刻，并对所述试验光刻的结果进行扫描，得到实际图像；根据所述实际图像，确定扫描边缘图案；对所述目标版图图案进行圆角化处理；确定所述目标版图图案上的取样点；将所述扫描边缘图案与所述目标版图图案叠图；确定各个所述取样点在垂直于所述目标版图图案的边缘的方向上，与所述扫描边缘图案的距离，作为凭证距离；根据各个所述取样点对应的凭证距离及所述目标版图图案，得到校正版图图案；对所述校正版图图案进行OPC处理，得到目标掩膜；所述确定所述目标版图图案上的取样点包括：在所述目标版图图案的每条边上设置取样点；相应地，所述根据各个所述取样点对应的凭证距离及所述目标版图图案，得到校正版图图案包括：所述目标版图上的每条边，根据包括的取样点的凭证距离调整位置，得到校正版图图案；或所述确定所述目标版图图案上的取样点包括：将所述目标版图图案转化为多个矩形的拼接图案；在所述拼接图案的每条外侧的边上设置取样点；相应地，所述根据各个所述取样点对应的凭证距离及所述目标版图图案，得到校正版图图案包括：每条所述外侧的边，根据包括的取样点的凭证距离调整位置，得到校正版图图案；在所述边上设置取样点的过程包括：在所述边上的N等分点均设置取样点；N为大于等于2的整数；每条所述边，根据包括的取样点的凭证距离调整位置，得到校正版图图案包括：确定每条所述边对应的位移距离；所述位移距离为所述边包括的全部取样点的凭证距离的平均值；将所述边在对应的延伸方向的垂直方向上，移动所述位移距离，得到校正版图图案。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华芯程(杭州)科技有限公司 一种光学临近效应修正方法、装置、设备及介质

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