申请/专利权人:美光科技公司
申请日:2020-02-27
公开(公告)日:2024-04-19
公开(公告)号:CN113544856B
主分类号:H01L29/423
分类号:H01L29/423;H01L29/417;H01L29/78;H01L29/16;H01L29/20;H01L29/26;H10B12/00
优先权:["20190306 US 16/294,759"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.19#授权;2021.11.09#实质审查的生效;2021.10.22#公开
摘要:一些实施例包含一种集成组合件,其具有多晶第一半导体材料且具有直接邻近于所述多晶第一半导体材料的第二半导体材料。所述第二半导体材料具有不同于所述多晶第一半导体材料的成分。导电性增强掺杂剂在所述第二半导体材料内。所述导电性增强掺杂剂相对于所述多晶第一半导体材料是中性类型掺杂剂。电栅极邻近于所述多晶第一半导体材料的区,并且经配置以在所述多晶第一半导体材料的所述区内感应电场。所述栅极不邻近于所述第二半导体材料。
主权项:1.一种集成组合件,其包括:多晶第一半导体材料;第二半导体材料,其直接邻近于所述多晶第一半导体材料且具有不同于所述多晶第一半导体材料的成分;导电性增强掺杂剂,其在所述第二半导体材料内,所述导电性增强掺杂剂相对于所述多晶第一半导体材料是中性类型掺杂剂;及电栅极,其邻近于所述多晶第一半导体材料的区,并且经配置以在所述多晶第一半导体材料的所述区内感应电场;所述栅极不邻近于所述第二半导体材料。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 美光科技公司 具有邻近导电掺杂第二半导体材料的多晶第一半导体材料的集成组合件
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