申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司

申请日：2024-01-15

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117937242A

主分类号：H01S5/20

分类号：H01S5/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明提出了一种半导体激光器芯片，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述有源层具有弹性系数分布、介电常数分布和禁带宽度分布特性。本发明将半导体激光器芯片中的有源层设计具有特定弹性系数分布、介电常数分布和禁带宽度分布特性，提升有源区载流子饱和后的双极性电导效应，减少有源层的串联电阻，降低激光器的电压和阈值电流密度。

主权项：1.一种半导体激光器芯片，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述有源层具有弹性系数分布、介电常数分布和禁带宽度分布特性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种半导体激光器芯片

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