申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2019-09-20

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN112585736B

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H01L23/498;H01L23/48;H10B80/00

优先权：["20180921 US 16/138,435"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2021.04.16#实质审查的生效;2021.03.30#公开

摘要：本发明的实施例涉及用于测试可例如用于耦合半导体存储器装置的层的硅衬底穿孔TSV的设备及方法。所述TSV及或所述TSV周围的裸片可需要测试。开关电路可用于将一或多个测试电路选择性地耦合到放大器。所述测试电路可产生和正测试的所述TSV的一或多个参数有关的电压。所述放大器可放大所述电压，所述电压可用于确定所述TSV是否通过由所述开关电路所选择的所述测试电路确定的特定测试。所述开关电路及或所述测试电路的其它组件可由控制信号控制以确定特定测试的操作。

主权项：1.一种半导体设备，其包括：接口IF裸片；及至少一个存储器裸片，其中所述至少一个存储器裸片通过多个衬底穿孔TSV堆叠于所述IF裸片上方；其中所述IF裸片包括：开关电路，其经配置以选择多个测试中的一者；以及仪表放大器，其经配置以耦合到所述多个TSV中的目标TSV以执行所述多个测试中的经选择一者，所述多个测试包含：第一测试，其用以测量和所述多个TSV中的所述目标TSV与所述多个TSV中的一或多个其它TSV之间的电压降有关的第一电压降；第二测试，其用以测量和所述多个TSV中的所述目标TSV与第一电力供应线之间的电压降有关的第二电压降；第三测试，其用以测量和所述多个TSV中的所述目标TSV与第二电力供应线之间的电压降有关的第三电压降；及第四测试，其用以测量和跨越形成于所述多个TSV周围的导电线的电压降有关的第四电压降。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 用于选择性TSV块测试的设备

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