申请/专利权人：海南航芯高科技产业集团有限责任公司

申请日：2023-08-18

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN220856573U

主分类号：H01L25/18

分类号：H01L25/18;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/367

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权

摘要：本实用新型公开了一种搭接式可保护二极管芯片的IGBT功率模块封装结构，包括导电片、二极管芯片、IGBT芯片和CLIP连接件，导电片包括第一导电片、第二导电片，IGBT芯片的C电极和二极管芯片的负电极焊接于第一导电片上，CLIP连接件包括第一CLIP连接件和第二CLIP连接件，第一CLIP连接件包括第一焊接片和焊接于IGBT芯片的E极的E极焊接片，第二CLIP连接件包括第二焊接片和焊接于第二导电片上的第三焊接片，第一焊接片和第二焊接片其中之一焊接在二极管芯片的正电极上并形成搭接焊区，其中焊接于搭接焊区上，使第一CLIP连接件和第二CLIP连接件电连接在一起，IGBT芯片的E极的电流依次沿第一CLIP连接件和第二CLIP连接件到第二导电片，防止大电流损伤二极管正电极。

主权项：1.一种搭接式可保护二极管芯片的IGBT功率模块封装结构，包括一个或多个IGBT单元，每一所述IGBT单元包括导电片、二极管芯片、IGBT芯片和CLIP连接件，所述导电片包括第一导电片、第二导电片，所述IGBT芯片的C电极和二极管芯片的负电极焊接于所述第一导电片上，所述CLIP连接件包括第一CLIP连接件和第二CLIP连接件，其特征在于：所述第一CLIP连接件包括第一焊接片和焊接于所述IGBT芯片的E极的E极焊接片，所述第二CLIP连接件包括第二焊接片和焊接于所述第二导电片上的第三焊接片，所述第一焊接片和第二焊接片二者之一焊接于所述二极管芯片的正电极上并形成搭接焊区，所述第一焊接片和第二焊接片二者另一承载并焊接于所述搭接焊区上，使所述第一CLIP连接件和第二CLIP连接件电连接在一起，所述IGBT芯片的E极的电流依次沿所述第一CLIP连接件和第二CLIP连接件到第二导电片。

全文数据：

权利要求：

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