申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-10-14

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954424A

主分类号：H01L23/538

分类号：H01L23/538;H10B12/00;H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本公开提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，半导体结构包括，多个有源柱，相邻的有源柱之间设置有隔离层，有源柱的顶面低于隔离层的顶面；多个接触孔，一一对应设置于多个有源柱上方，且接触孔的孔径与有源柱的直径相同，接触孔的内壁与有源柱的外表面对齐；多个接触垫，分别对应设置在多个接触孔底部，且覆盖多个有源柱的顶面。在本公开中，有源柱的顶面比隔离层的顶面低，有源柱和隔离层的高度差在有源柱的上方自对准形成接触孔，接触孔和有源柱的对准精度高，接触孔中设置的接触垫接触面积大、接触电阻小，半导体结构的电性能更好。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：多个有源柱，相邻的所述有源柱之间设置有隔离层，所述有源柱的顶面低于所述隔离层的顶面；多个接触孔，一一对应设置于多个所述有源柱上方，且所述接触孔的孔径与所述有源柱的直径相同，所述接触孔的内壁与所述有源柱的外表面对齐；多个接触垫，分别对应设置在多个所述接触孔底部，且覆盖多个所述有源柱的顶面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制作方法

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