申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

申请日：2023-11-20

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954551A

主分类号：H01L33/44

分类号：H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明公开了一种正装LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，该正装LED芯片包括外延片、以及依次层叠于外延片上的电流阻挡层、透明导电层、接触层、反射层、钝化层、包覆层以及焊线层，反射层包括Al材料层，钝化层包括氧化物层，钝化层层叠于反射层上时，反射层中至少部分的Al材料层被钝化层中的氧化物层氧化，以在反射层和钝化层之间形成包覆另一部分反射层的氧化层，氧化层和反射层上开设有供至少部分包覆层穿设的连接孔，通过该设置，从而可以防止焊线层的Au与反射层的Al之间出现迁移互溶，避免二者互溶产生中间相产物，使得在一些高温大电流的情况下，可以避免LED芯片的电压飙升，进而引发LED芯片失效的问题。

主权项：1.一种正装LED芯片，其特征在于，包括：外延片、以及依次层叠于所述外延片上的电流阻挡层、透明导电层、接触层、反射层、钝化层、包覆层以及焊线层；所述反射层包括Al材料层，所述钝化层包括氧化物层，所述钝化层层叠于所述反射层上时，所述反射层中至少部分的Al材料层被所述钝化层中的氧化物层氧化，以在所述反射层和所述钝化层之间形成包覆另一部分所述反射层的氧化层；其中，所述氧化层和所述反射层上开设有供至少部分所述包覆层穿设的连接孔，以使部分所述包覆层与所述反射层进行接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种正装LED芯片及其制备方法

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