申请/专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司

申请日：2022-10-31

公开（公告）日：2024-05-07

公开（公告）号：CN117995740A

主分类号：H01L21/683

分类号：H01L21/683;G03F7/20

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.05.07#公开

摘要：本发明公开了硅片真空吸盘的设计方法、硅片真空吸盘及光刻设备，属于光刻设备领域。该设计方法包括：吸盘真空腔设计：确定真空腔的边界、确定真空腔的体积和高度、确定吸盘真空孔布局；凸台设计：凸台位置初始布局、凸台位置优化、凸台结构设计；仿真验证及实物测试。硅片真空吸盘的凸台的内部区域呈现近似等边三角形的布局，边界处呈现近似圆形的布局；硅片真空吸盘的真空孔位于真空孔理想位置附近一个三角形中，且真空孔位于三个凸台组成的三角形的中心位置。该硅片真空吸盘能提高吸盘吸附的性能和吸附的均匀性，减小吸附后硅片的水平向和垂向位置误差；提高吸盘吸附的气流流畅度，减小行程压力损耗，缩短吸附时间，提高光刻机套刻和成像指标。

主权项：1.硅片真空吸盘的设计方法，其特征在于，包括：吸盘真空腔设计：确定真空腔的边界、确定真空腔的体积和高度、确定吸盘真空孔布局；凸台设计：凸台位置初始布局、凸台位置优化、凸台结构设计。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海微电子装备(集团)股份有限公司 硅片真空吸盘的设计方法、硅片真空吸盘及光刻设备

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