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最新专利技术
  • 锂金属电池
    锂金属电池_中国石油化工股份有限公司_202311530996.2
    本发明涉及锂金属电池技术领域，具体涉及一种锂金属电池，包括正极片、负极片、用于隔离正极片和负极片的隔膜和电解液，所述负极片包括锂金属和负载于锂金属表面的LiX涂层，X为Cl、Br、I中的至少一种；所述电解液中，锂盐浓度不高于0.6mol/k...
    2025-08-03
  • 封装装置、封装设备及封装方法
    封装装置、封装设备及封装方法_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311534229.9
    本申请提供了一种封装装置、封装设备及封装方法。封装装置包括第一壳体、第一定位机构、刺破机构、负压机构和热封机构，第一壳体具有容纳腔。第一定位机构连接于第一壳体，第一定位机构用于定位工件并将工件转移至容纳腔内。刺破机构连接于第一壳体，刺破机构...
    2025-08-03
  • 碳硅材料及其制备方法和应用
    碳硅材料及其制备方法和应用_中国石油化工股份有限公司_202311533198.5
    本发明提供一种硅碳材料及其制备方法和应用，该硅碳材料包括碳骨架和沉积在碳骨架上的硅单质；所述硅碳材料的拉曼光谱在波数为1350cm‑1‑1650cm‑1范围内具有D峰和G峰，且ID/IG为1.0～...
    2025-08-03
  • 高镍三元正极材料及其制备方法、正极极片和锂电池
    高镍三元正极材料及其制备方法、正极极片和锂电池_中国石油化工股份有限公司_202311533169.9
    本发明涉及锂电池技术领域，具体涉及一种高镍三元正极材料及其制备方法、正极极片和锂电池；该正极材料包括完整型类球形二次颗粒和缺陷型类球形二次颗粒，且缺陷型类球形二次颗粒与完整型类球形二次颗粒的数量比≤10％，缺陷型类球形二次颗粒含量低；可充分...
    2025-08-03
  • 一种改性层状氧化物正极材料及其制备方法和应用
    一种改性层状氧化物正极材料及其制备方法和应用_南京同宁新材料研究院有限公司_202311530173.X
    本申请实施例涉及一种改性层状氧化物正极材料及其制备方法和应用，属于钠离子电池技术领域。本申请实施例的改性层状氧化物正极材料，包括内核以及包覆在内核的至少部分表面的包覆层；包覆层包括NaaCabA<...
    2025-08-03
  • 一种硅碳材料及其制备方法、负极极片和二次电池
    一种硅碳材料及其制备方法、负极极片和二次电池_万华化学(烟台)电池材料科技有限公司_202311529482.5
    本发明公开了一种硅碳材料及其制备方法、负极极片和二次电池，涉及二次电池技术领域。将硅颗粒沉积于多孔碳上形成硅碳内核，通过在硅碳内核上形成硅酸锂盐包覆层，在实现均匀“钝化”的同时也可以引入锂元素，实现硅碳材料表面预锂化的过程，能够很大程度上提...
    2025-08-03
  • 正极极片、钠离子二次电池、用电装置
    正极极片、钠离子二次电池、用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311531803.5
    本申请属于电池技术领域，尤其涉及正极极片、钠离子二次电池、用电装置。所述正极极片包含补钠剂和正极活性材料，补钠剂包含NaqMnxMyO2，1≤q≤1.2...
    2025-08-03
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202311543079.8
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决如何改善晶圆切割过程产生的机械应力导致半导体器件产生缺口或者裂纹等缺陷的问题。本公开实施例提供一种半导体器件，包括器件本体和第一保护层。器件本体包括多个侧表面...
    2025-08-03
  • 一种形成铜阻挡层的方法和含铜导电结构及其形成方法
    一种形成铜阻挡层的方法和含铜导电结构及其形成方法_成都紫光半导体科技有限公司_202311543170.X
    本公开涉及一种形成铜阻挡层的方法和含铜导电结构及其形成方法。包括以下步骤：S1、对半导体器件的介质层进行双大马士革镶嵌处理，以在介质层刻蚀出孔和槽；S2、在Co前驱体存在条件下，通过化学气相沉积在刻蚀后的半导体器件的表面沉积Co层；S3、在...
    2025-08-03
  • 用于半导体热处理设备的回转机构及半导体热处理设备
    用于半导体热处理设备的回转机构及半导体热处理设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202311532159.3
    本发明提供一种用于半导体热处理设备的回转机构及半导体热处理设备，半导体热处理设备还包括晶舟，回转机构包括：支撑部，用于承载晶舟，支撑部具有第一限位部；驱动轴，用于驱动支撑部转动，驱动轴具有第二限位部，第一限位部与第二限位部可拆卸地插接配合，...
    2025-08-03
  • 拾取芯片的方法及芯片拾取设备
    拾取芯片的方法及芯片拾取设备_华润润安科技(重庆)有限公司_202311545950.8
    一种拾取芯片的方法及芯片拾取设备。拾取芯片的方法包括：获取放置在芯片拾取设备上的第一晶圆的第一图像；在第一图像的芯片中选取M个参考芯片，并确定各参考芯片的第一位置信息；根据第一位置信息确定第一晶圆的第一基准芯片与参考芯片的第一相对位置信息；...
    2025-08-03
  • 半导体工艺制程中挡片的管控方法及半导体加工系统
    半导体工艺制程中挡片的管控方法及半导体加工系统_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202311533751.5
    本发明提供了一种半导体工艺制程中挡片的管控方法及半导体加工系统，该管控方法应用于半导体工艺设备，用以提升炉内挡片的利用率，节省生产成本，该管控方法包括：感知决策执行系统通过制造执行系统接收来自机台的报警信息，所述报警信息包括所需挡片的类型和...
    2025-08-03
  • 在半导体元件上形成超低介电常数薄膜的方法和得到的半导体元件
    在半导体元件上形成超低介电常数薄膜的方法和得到的半导体元件_成都紫光半导体科技有限公司_202311543155.5
    本公开涉及一种在半导体元件上形成超低介电常数薄膜的方法和得到的半导体元件，本公开的方法在设置有多个存储单元的半导体元件上分步形成超低介电常数薄膜，同时控制每次形成的第一部分的超低介电常数薄膜的厚度与相邻两个存储单元的距离的比例，并且在每次形...
    2025-08-03
  • 一种SONOS闪存存储管及其制备方法和应用
    一种SONOS闪存存储管及其制备方法和应用_成都紫光半导体科技有限公司_202311534353.5
    本发明提供了一种SONOS闪存存储管及其制备方法和应用，该方法包括以下步骤：在半导体基底上形成隧穿二氧化硅层；在具有隧穿二氧化硅层的半导体基底上进行沉积，使得所述隧穿二氧化硅层上形成有氮化物层；对所述半导体基底进行硅离子注入，以使所述氮化物...
    2025-08-03
  • 一种强化氮化钽薄膜的方法
    一种强化氮化钽薄膜的方法_成都紫光半导体科技有限公司_202311543145.1
    本公开涉及一种强化氮化钽薄膜的方法，该方法包括：采用原子层沉积方法在过渡层上方形成氮化钽薄膜，而后通过物理气相沉积对氮化钽薄膜进行致密处理形成致密氮化钽层，能够使氮化钽层，尤其是氮化钽层上表面的致密性提升，不仅能够提升氮化钽层阻挡离子的效果...
    2025-08-03
  • 具有反应性金属箔的无铅熔断器装置
    具有反应性金属箔的无铅熔断器装置_力特保险丝公司_202311529547.6
    本发明提供了一种无铅熔断器装置，其中熔断器装置中的元件和熔断器装置中的端子之间的电气接头可以使用设置在元件和端子之间的反应性金属箔来形成。熔断器装置可以包括主体、容纳在主体内的元件、延伸到主体的第一端部的外部的元件的第一端部、设置在主体的第...
    2025-08-03
  • 二维碳片及其制备方法和应用
    二维碳片及其制备方法和应用_中国石油化工股份有限公司_202311532950.4
    本发明涉及二维碳片电极材料制备技术领域，公开了一种二维碳片，其中，该二维碳片含有片层结构、掺杂元素N和氧元素，其中，掺杂元素N原子数占总原子数的百分比为4.5‑8.8％，氧元素的原子数占总原子数的百分比为12％以上。本发明所述二维碳片的片层...
    2025-08-03
  • 二维碳片及其制备方法和应用
    二维碳片及其制备方法和应用_中国石油化工股份有限公司_202311532584.2
    本发明涉及二维碳片电极材料制备技术领域，公开了一种二维碳片及其制备方法和应用。该二维碳片含有片层结构，还含有掺杂元素Fe、B和N，其中，以所述二维碳片的总量为基准，所述掺杂元素Fe的含量为0.8‑3.5wt％，所述掺杂元素B的含量为5‑8....
    2025-08-03
  • 分级核壳结构镍钴金属氢氧化物纳米片包覆氮掺杂碳纳米纤维膜及其制备方法和应用
    分级核壳结构镍钴金属氢氧化物纳米片包覆氮掺杂碳纳米纤维膜及其制备方法和应用_中原工学院_202311529385.6
    本发明属于纳米材料领域，涉及一种分级核壳结构镍钴金属氢氧化物纳米片包覆氮掺杂碳纳米纤维膜及其制备方法和应用，本发明采用氮掺杂碳纳米纤维膜作为导电基底，在其表面生长分级核壳结构镍钴金属氢氧化物纳米片阵列，所述核壳结构是指纳米片上负载纳米片。制...
    2025-08-03
  • 线上诊疗服务的时效监控方法、系统、设备及存储介质
    线上诊疗服务的时效监控方法、系统、设备及存储介质_京东方科技集团股份有限公司_202311533321.3
    本发明提供一种线上诊疗服务的时效监控方法、系统、设备及存储介质，该方法包括：获取产生的问诊订单；获取针对问诊订单的目标操作；基于目标操作确定问诊订单当前所处的诊疗服务节点，其中，一个问诊订单包括多个诊疗服务节点；向当前所处的诊疗服务节点对应...
    2025-08-03
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