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信息存储应用技术
用于半导体存储器中的刷新操作的设备和方法_美光科技公司_201911275497.7
描述了一种用于半导体存储器中的刷新操作的设备和方法以及用于其的系统。所述系统包含例如存储器库中的存储器单元,所述存储器单元在自刷新操作或自动刷新操作期间被刷新。所述自刷新操作包含与所述自动刷新操作不同的刷新激活次数。所述系统进一步包含行控制...
存储器设备及操作存储器设备的方法_北极星特许集团有限责任公司_201980010699.0
本公开包含与使用存储器单元的逻辑运算有关的设备和方法。一种示范性设备包括:第一存储器单元,其被控制以反转其中存储的数据值;和第二存储器单元,其被控制以反转其中存储的数据值。所述设备可以进一步包含耦合到所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的...
一种低功耗抗单粒子翻转SRAM存储单元_复旦大学_202410058745.7
本发明属于集成电路设计技术领域,具体为低功耗抗单粒子翻转的SRAM存储单元。本发明SRAM存储单元电路结构包含低电压摆幅的下拉网络、耦合上拉网络和半摆幅电压控制;具体分为双耦合存储单元和4耦合存储单元两种类型;本发明以半VDD电压控制下拉堆...
DDR SDRAM信号校准装置与方法_瑞昱半导体股份有限公司_202011261107.3
本发明公开了一种信号校准装置及方法,能够因应电压及/或温度的变化。该校准装置包含:一致能信号设定电路,用来产生数据选通(Data Strobe,DQS)致能设定;一信号垫,用来输出一数据选通信号;一信号闸控电路,耦接该致能信号设定电路与该信...
用于行锤击缓解的方法及采用所述方法的存储器装置及系统_美光科技公司_201980051486.2
本发明提供一种操作存储器装置的方法,其包括:在第一计时周期期间确定对应于存储器位置的操作的数目;及在所述第一计时周期之后在经确定的操作的数目超过预定阈值时针对所述存储器位置调度额外刷新操作。本发明提供一种存储器装置,其包括:存储器,其包含存...
基于极性加固技术的抗辐射SRAM存储单元电路、芯片_安徽大学_202211191120.5
本发明涉及集成电路设计领域,尤其涉及一种基于极性加固技术的抗辐射SRAM存储单元电路、芯片。本发明的基于极性加固技术的抗辐射SRAM存储单元电路采用NMOS晶体管N7、N8和PMOS晶体管P5、P6配合,并采用双字线WL1、WL2控制。本发...
存储器电路及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202110504049.0
提供了一种存储器电路,包括第一驱动器电路、耦合至第一驱动器电路的第一存储器单元列、第一电流源、被配置为跟踪第一存储器单元列的泄漏电流的跟踪电路,以及耦合至第一存储器单元列、第一电流源和跟踪电路的脚部电路。本发明的实施例还提供了一种操作存储器...
MRAM读电路及读操作方法_浙江驰拓科技有限公司_202211232142.1
本发明提供一种MRAM读电路及读操作方法。MRAM读电路包括:与MRAM存储器位宽相对应的多个数据读电路、多个第二开关管和辅助MTJ,每个数据读电路用于读出存储阵列的1比特数据,每个数据读电路包括灵敏放大器、参考电阻和第一开关管,其中,参考...
一种超级电容器及其制备方法_重庆文理学院_202410147368.4
一种超级电容器的制备方法,是以Fe
2
O
3
空心管/石墨烯复合材料、乙炔黑和聚偏氟乙烯混合后,加入甲基吡咯烷酮研磨成糊状物,将糊状物作为活性物质涂覆于泡沫镍表面,将涂覆了活性物质的泡沫镍进行压片得超级...
三维堆叠存储器架构及其处理方法、存储器_浙江力积存储科技有限公司_202311772980.2
本公开的实施例提供一种三维堆叠存储器架构及其处理方法、存储器。所述三维堆叠存储器架构包括:N个存储阵列层,每个存储阵列层包括M个存储阵列、H个RAS反馈电路及M个硅通孔;逻辑控制层,N个存储阵列层沿竖直方向依次堆叠在逻辑控制层上。每个存储阵...
一种DRAM锤压侦测电路及方法_西安紫光国芯半导体有限公司_201710010168.4
本发明一种DRAM锤压侦测电路,提供可物理实现的侦测方案,电路结构简单,实际电路的设计成本低,保证DRAM数据存储的可靠性。其包括,串联移位寄存器链,用来移位锁存DRAM芯片内部激活指令的行地址A_i;输出地址锁存器,连接在串联移位寄存器链...
非易失三维存储单元、存储方法、芯片组件和电子设备_西安紫光国芯半导体有限公司_202111544069.7
本申请的实施例公开了一种非易失三维存储单元、存储方法、芯片组件和电子设备。易失性存储芯片用于存储数据。接口芯片通过三维异质集成结构与易失性存储芯片三维堆叠连接。非易失性存储芯片通过三维异质集成结构与易失性存储芯片和接口芯片中至少之一三维堆叠...
用于经由协同方法保护存储器设备的方法和装置_超威半导体公司_202280057656.X
一种用于减轻动态随机存取存储器(DRAM)中的串扰的协同方法,该协同方法实现了使用随机数生成器来使计数器以概率性方式递增。该计数器是通过回收双倍数据速率(DDR)故障隔离特征的字节来形成的。可将随机数生成器值与预定参数值进行比较,并且可基于...
闪存的筛选方法、装置、电子设备和存储介质_上海江波龙数字技术有限公司_202211215916.X
本发明提供了一种闪存的筛选方法、装置、电子设备和存储介质,该方法包括:(1)收集芯片中每个块的FBC值;(2)将FBC值超过FBC阈值的块剔除;(3)计算剩余块的FBC的中位值和标准差,构建关于剩余块的FBC值的标准正态分布函数,将FBC值...
存储器装置及其操作方法_爱思开海力士有限公司_202010960340.4
提供了一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括:多个子块,其相对于包括缓冲单元的缓冲页来划分;电压发生器,其用于在多个子块当中的所选子块的编程操作中,将第一通过电压施加到与所选子块连接的未选字线,并且将低于第一通过电压的第二通过电压施加...
一种复合电极材料的制备方法、超级电容器及电池_兰州大学_202210852203.8
本发明公开了一种复合电极材料的制备方法、超级电容器及电池,属于电化学储能器件技术领域,能够有效地提高电极材料的电化学性能。所述制备方法包括:以金属箔为工作电极,并将其置于电解质溶液中,施加预设电压进行电化学腐蚀氧化,得到表面包覆有金属氧化物...
激光预调仪_广东希普斯科技有限公司_202322415179.4
本实用新型公开了一种激光预调仪,包括机座,机座设置有刀具夹座,刀具夹座与机座转动式连接,机座设置有平移机构及检测仪,检测仪通过平移机构与机座活动式连接,平移机构内装设有记录检测仪移动距离的直线光栅尺,记录检测仪包括对射式光电开关及激光位移传...
一种非对称活性炭电极材料制备方法、非对称超级电容器_榆林学院_202311695034.2
本发明公开了一种非对称活性炭电极材料制备方法、非对称超级电容器,涉及生物质基碳材料技术领域,该非对称性活性炭电极材料的制备过程:称取一定量的电容炭、聚偏氟乙烯和N‑甲基吡咯烷酮,置于玛瑙研钵中,强力搅拌后,再加入适量的炭黑,继续搅拌,得到的...
一种一体化柔性非对称超级电容器及其制备方法和应用_五邑大学_202410047944.8
本发明公开了一体化柔性非对称超级电容器及其制备方法和应用,该超级电容器包括电解质层,所述电解质层两侧分别设有电极层,所述超级电容器内还含有诱导溶剂;其中,所述电极层和电解质层中均含有乙烯‑乙烯醇共聚物,所述乙烯‑乙烯醇共聚物由乙烯‑乙烯醇共...
存储设备及其编程方法_三星电子株式会社_202311260683.X
公开了一种用于对包括非易失性存储器设备和用于存储多比特数据的存储控制器的存储设备进行编程的方法,由存储控制器基于预编程操作将多比特数据编程到非易失性存储器设备中,基于预编程操作的编程结果,读取在非易失性存储器设备中生成的多比特数据的状态组数...
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