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信息存储应用技术
  • 具有外围上单元（CoP）结构的存储器核心电路及包括其的存储器装置
    具有外围上单元（CoP）结构的存储器核心电路及包括其的存储器装置_三星电子株式会社_202410900297.0
    本公开提供了一种具有外围上单元(CoP)结构的存储器核心电路及包括其的存储器装置。该存储器核心电路包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列包括子单元阵列和核心控制电路，核心控制电路包括分别位于子单元阵列下方的子外围电路。每个子单元阵列包括分别连...
    2025-07-02
  • 用于老化保护带减少的自适应电压系统
    用于老化保护带减少的自适应电压系统_英特尔公司_201880015510.2
    提供了一种设备，该设备包括：第一电源节点；第二电源节点；存储器位单元，耦合到第二电源节点；电路，耦合到第一电源节点和第二电源节点，该电路用于在二极管连接模式下操作；以及晶体管，该晶体管并联耦合到电路，其中晶体管能由数字信号控制，使得当晶体管...
    2025-07-02
  • 堆叠型存储芯片及芯片内部上电方法
    堆叠型存储芯片及芯片内部上电方法_北京青耘科技有限公司_202510706854.X
    本发明涉及一种堆叠型存储芯片及一种芯片内部上电方法。所述堆叠型存储芯片包括垂向堆叠键合的至少两个存储裸芯，每个存储裸芯包括一一对应的多个存储单元和多个供电单元，每个存储单元具有独立的内部电源信号，每个供电单元用于获得相应存储裸芯的上电信号并...
    2025-07-02
  • 用于存储器装置的QED移位器
    用于存储器装置的QED移位器_美光科技公司_202210591640.9
    本公开涉及一种用于存储器装置的QED移位器。存储器装置包含被配置成从主机装置接收命令的命令接口。所述存储器装置还包含被配置成接收所述命令的命令移位器。所述命令移位器包含串联耦合且被配置成延迟所述命令的多个级。所述命令移位器包括选择电路系统，...
    2025-07-02
  • 经写入掩码的锁存器位单元
    经写入掩码的锁存器位单元_超威半导体公司_202280031999.9
    SRAM的经写入掩码的锁存器位单元包括写入掩码电路，该写入掩码电路响应于第一写入掩码信号的断言而致使写入数据节点的值为第一值并且响应于第二写入掩码信号的断言而致使该写入数据节点的该值具有第二值。传输门响应于写入字线信号被断言而将该写入数据节...
    2025-07-02
  • 存储器核心电路和包括所述存储器核心电路的存储器设备
    存储器核心电路和包括所述存储器核心电路的存储器设备_三星电子株式会社_202411024489.6
    一种存储器核心电路，包括包括子单元阵列的存储单元阵列和包括子单元阵列下方的子外围电路的核心控制电路。子外围电路被分成第一列边缘区域和第二列边缘区域以及中心区域。中心区域在第一列边缘区域和第二列边缘区域之间。包括多个位线感测放大器的感测放大器...
    2025-07-02
  • 具有用于存储器感测的自动参考微调反馈的存储器内建自测试
    具有用于存储器感测的自动参考微调反馈的存储器内建自测试_西门子工业软件有限公司_202080096119.7
    本申请公开了存储器内建自测试系统，以在存储器读取操作期间使用参考微调来提示存储装置感测出所存储的数据的值。该存储器内建自测试系统可以自动地设置用于存储装置的参考微调。该存储器内建自测试系统包括存储器内建自测试控制器，以提示存储装置使用用于参...
    2025-07-02
  • 地址转换电路
    地址转换电路_长鑫科技集团股份有限公司_202311872867.1
    本公开实施例提供一种地址转换电路。该地址转换电路包括：分频电路，用于接收具有第一频率的第一地址增加信号，处理并输出具有第二频率的第二地址增加信号和具有第二频率的跳转信号；所述跳转信号用于指示第一地址在N个存储体之间跳转；地址计数器，用于接收...
    2025-07-02
  • 读出放大器及其操作方法
    读出放大器及其操作方法_三星电子株式会社_202411414880.7
    提供了一种读出放大器及其操作方法，所述读出放大器用于感测并放大存储在存储单元中的数据，所述读出放大器包括：第一采样电路，所述第一采样电路基于第一电流执行采样操作；第二采样电路，所述第二采样电路基于第二电流执行采样操作；以及读出放大电路，所述...
    2025-07-02
  • 一种非对称双栅控制单元和器件
    一种非对称双栅控制单元和器件_上海新微技术研发中心有限公司_202510726499.2
    本发明提供一种非对称双栅控制单元和器件，控制单元包括依次堆叠的第一半导体结构、栅氧化物和第二半导体结构；第一半导体结构和第二半导体结构相互交叉设置，且具有的多数载流子类型不同；栅氧化物设置于第一半导体结构和第二半导体结构的交叉点处；第一半导...
    2025-07-02
  • 铁电存储器和逻辑单元及操作方法
    铁电存储器和逻辑单元及操作方法_纳姆实验有限责任公司_202010381912.3
    本发明涉及铁电存储器和逻辑单元及操作方法。一个示例提供了存储单元，该存储单元包括：节点；层堆叠，其包括第一电极、连接到节点的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间并具有至少两种极化状态的可极化材料层。第一晶体管包括源极端子、漏极端子和栅极...
    2025-07-02
  • 一种存储单元和存储器件
    一种存储单元和存储器件_上海新微技术研发中心有限公司_202510725100.9
    本发明提供一种存储单元和存储器件，存储单元包括依次堆叠的第一半导体结构、低阻硅合金化物和第二半导体结构；第一半导体结构和第二半导体结构相互交叉设置，且具有的多数载流子类型不同；低阻硅合金化物设置于第一半导体结构和第二半导体结构的交叉点处，分...
    2025-07-02
  • 控制装置
    控制装置_精工爱普生株式会社_202411936891.1
    提供一种控制装置，减轻处理器的处理负荷。控制装置具备：第1存储部，其不需要刷新且具有易失性；第1处理器，其访问第1存储部；总线仲裁器，其对来自第1处理器的访问请求进行调停；第1控制电路，其基于经由总线仲裁器从第1处理器接受的访问请求，进行第...
    2025-07-02
  • 一种本式物品出货机
    一种本式物品出货机_深圳市环阳通信息技术有限公司_202011071344.3
    本发明属于出货机技术领域，具体涉及一种本式物品出货机，包括机体，所述机体的左右两侧安装有滑轨组件，所述滑轨组件匹配片连接有滑动组件，所述滑动组件连接有牵引电机，所述滑动组件连接有安装座，两个所述的安装座之间连接有上连接杆和下连接杆，所述上连...
    2025-07-02
  • 一种软件开发用性能测试平台
    一种软件开发用性能测试平台_西安航空学院_202510355410.6
    本发明提供了一种软件开发用高性能测试平台，涉及软件开发技术领域，通过明确测试目标、标准化测试环境、规范测试数据管理、合理选择性能测试工具、完善性能监控、深入分析结果以及加强团队协作，提高了性能测试的准确性和效率。该平台包括测试目标设定、测试...
    2025-07-02
  • 多个eflash IP并行工作的控制方法和系统
    多个eflash IP并行工作的控制方法和系统_北京全路通信信号研究设计院集团有限公司_202510392167.5
    本发明涉及存储器技术领域，本发明公开了多个eflash IP并行工作的控制方法和系统，所述方法包括在控制电路中设计仲裁机制；控制电路利用仲裁机制对接收的外部指令操作进行仲裁机制处理，并根据处理后的结果分别对多个eflash IP进行对应操作...
    2025-07-02
  • 存储器装置及其测试方法
    存储器装置及其测试方法_爱思开海力士有限公司_202411020545.9
    公开了一种存储器装置及其测试方法，存储器装置可以包括：存储器电路，其在测试模式下生成多个测试数据；多个比较器组，其基于多个测试数据的一部分和多个参考数据的一部分生成第一比较信号，以及基于剩余的测试数据和剩余的参考数据生成第二比较信号；错误计...
    2025-07-02
  • 告警方法、存储介质、电子设备及程序产品
    告警方法、存储介质、电子设备及程序产品_苏州元脑智能科技有限公司_202510725283.4
    本申请公开了一种告警方法、存储介质、电子设备及程序产品，涉及计算机技术领域，首先获取数据请求对应的不同系统层级的响应信息；然后根据不同系统层级的响应信息，确定数据请求中的超时请求，以及超时请求对应的阻塞层级；再基于阻塞层级的响应信息，确定超...
    2025-07-02
  • 一种木质素基环氧树脂衍生多孔碳复合电极材料
    一种木质素基环氧树脂衍生多孔碳复合电极材料_福州大学_202510415912.3
    本发明公开了一种木质素基环氧树脂衍生多孔碳复合电极材料及其制备方法和应用，属于电子材料技术领域。本发明以木质素磺酸钠、对苯二酚、环氧氯丙烷为主要原料，加入间苯二胺缩聚制备木质素基环氧树脂聚合物，然后经过预碳化和高温热解，得到木质素基环氧树脂...
    2025-07-02
  • 存储器电路及其操作方法
    存储器电路及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510269606.3
    一种存储器电路包括存储器阵列，该存储器阵列包括多个第一存储器单元和多个第二存储器单元，多个第一存储器单元中的每一个被配置为存储数据位，多个第二存储器单元中的每一个被配置为存储修复位；多个寄存器电路；以及耦合到多个寄存器电路的比较电路。多个寄...
    2025-07-02
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