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电子电路装置的制造及其应用技术
压电结构及其制造方法以及包括该压电结构的压电谐振器_苏州汉天下电子有限公司_202110666170.3
本公开涉及具有优化的机电耦合系数的压电结构及其制造方法以及包括该压电结构的压电谐振器。根据本公开的压电结构可以包括以第一掺杂浓度掺杂有第一掺杂元素的压电层,其中第一掺杂浓度沿压电层的厚度方向以至少两种变化率变化,其中压电层沿其厚度方向具有连...
晶振片、晶振以及电子设备_华为技术有限公司_202180101077.6
本申请提供了一种晶振片、晶振以及电子设备,该晶振片呈对称形状薄片,该晶振片的对称轴上至少具有第一点和第二点,该第一点到该对称轴上的第一端点的距离小于该第二点到该第一端点的距离,该晶振片经过该第一点沿第一方向的宽度大于经过该第二点沿第一方向的...
声波元件、声波滤波器及射频模组_北京超材信息科技有限公司_202311373631.3
本申请提供一种声波元件、声波滤波器以及射频模组,其中声波元件包括:压电晶圆、支撑结构以及上盖层。在围绕压电晶圆的主动功能区的支撑结构设置多个第一通孔,第一通孔中设置电性连接的芯片焊盘和第一导电体。上盖层与支撑结构和主动功能区形成空腔结构,上...
双模声表面波器件及其制备方法_苏州达波新材科技有限公司_202410009274.0
本发明公开了一种双模声表面波器件及其制备方法。所述双模声表面波器件包括沿选定方向依次层叠设置的衬底、压电层和叉指电极,所述叉指电极的厚度为10nm~5μm,以激发一阶水平剪切波模态,从而使得所述双模声表面波器件具有基态水平剪切波和一阶水平剪...
一种D-BAW空气环结构及其形成方法_深圳新声半导体有限公司_202410168208.8
本发明提出了一种D‑BAW空气环结构及其形成方法。所述D‑BAW空气环结构包括下电极以及下电极与围栏层形成的体声波空腔内的下电极一端设置有第一空气环结构,以及,在上电极的一端设置第二空气环结构。所述D‑BAW空气环结构还包括基底、压电层、下...
一种D-BAW框架结构及其形成方法_深圳新声半导体有限公司_202410182213.4
本发明提出了一种D‑BAW框架结构及其形成方法,属于体声波滤波器技术领域;所述D‑BAW框架结构包括基底、围栏层、下电极、保护层、压电层、填充层、上电极和调频层;所述围栏层、下电极、保护层、压电层、填充层、上电极和调频层依次沉积于基底上;所...
一种数据采集卡电路_广州致远仪器有限公司_202310193736.4
本申请公开了一种数据采集卡电路,本申请属于电子电路技术领域。本申请所提供的电路包括:信号输入端,用于接收信号;电阻R1,用于进行阻抗匹配;信号输出端,用于输出信号;偏置电压端,用于接入偏置电压;所述信号输入端与所述信号输出端之间设置有:低频...
一种超宽带数字移相器_北京无线电测量研究所_202311121950.5
本发明公开一种超宽带数字移相器,包括移相电路模块和控制电路模块;移相电路模块包括射频信号输入端、射频信号输出端、输入信号通路开关选择电路、输出信号通路开关选择电路、参考信号通路、移相信号通路;控制电路模块与输入信号通路开关选择电路和输出信号...
一种可编程控制的级联射频功率放大电路_武汉船舶通信研究所(中国船舶集团有限公司第七二二研究所)_202311595497.1
本发明公开了一种可编程控制的级联射频功率放大电路,包括:偏置电压控制电路,第一级功率放大电路和第二级功率放大电路;偏置电压控制电路用于通过编程调整各路D/A输出通道的电压大小;第一级功率放大电路用于根据偏置电压控制电路输出的第一控制信号将射...
一种频率源自检校准电路及其控制方法_成都爱科特科技发展有限公司_202311773973.4
本发明公开了一种频率源自检校准电路及其控制方法,该电路包括参考修正电路和频率源锁相环电路,所述参考修正电路的输入端接入外部基准信号,并将外部基准信号与内部参考信号进行频率比较,计算频率误差,进而修正频率源的输出频率,并作为频率源锁相环电路的...
频率输出装置_麦斯塔微电子(深圳)有限公司_202410070609.X
本申请公开一种频率输出装置,频率输出装置包括用于提供设定频率信号的主振荡源以及第一时钟电路,第一时钟电路设置有一使能端,使能端用于调节第一时钟电路的工作状态;使能端接入使能信号,第一时钟电路被配置为接收设定频率信号以输出第一时钟;使能端由接...
一种带电容电压系数消除和电容复用的SARADC电容阵列_北京微电子技术研究所_202311744402.8
本发明公开了一种带电容电压系数消除和电容复用的SARADC电容阵列,包括:两组高段P端拆分采样电容C
PH1,1
~C
PH1,j
、C
PH2,1
~C
PH2,j
...
一种用于低噪声放大器的高倍频程超宽带输入匹配电路_中国电子科技集团公司第五十四研究所_201910564675.1
本发明涉及一种用于低噪声放大器的高倍频程超宽带输入匹配电路,属于射频集成电路技术领域。该输入匹配电路包括电流复用放大单元、第一电感、第二电感和电阻,其中电流复用放大单元包含栅极和漏极相连的NMOS晶体管和PMOS晶体管,匹配电路的输入端通过...
频率输出装置_麦斯塔微电子(深圳)有限公司_202410069568.2
本申请公开一种频率输出装置,其包括主振荡源和锁相环电路;主振荡源包括振荡器和第一多路分频器,振荡器用于提供初始频率信号,第一多路分频器用于对初始频率信号进行分频处理以获得多个参考信号;锁相环电路包括相位比较子电路、压控振荡器和第二多路分频器...
具有模拟多路复用器(MUX)的集成电路(IC)_恩智浦美国有限公司_202311167566.9
集成电路包括多个模拟输入和模拟多路复用器(MUX)。所述MUX包括被配置成提供MUX输出的共同输出节点、多个模拟开关和共享缓冲器。每个开关包括耦合到对应传递晶体管的控制电极的对应自举电路,其中所述对应自举电路包括对应升压电容器。所述多个模拟...
一种超宽带低噪声放大器_南京米乐为微电子科技有限公司_201811454973.7
本发明公开了一种超宽带低噪声放大器,包括第一双极型晶体管Q1、第二双极型晶体管Q2、第三双极型晶体管Q3和第四双极型晶体管Q4。本发明通过第二电感L2和第二电阻R2构成负反馈回路,对第一双极型晶体管Q1进行超宽带的功率匹配和噪声匹配,从而能...
偏置电路和功率放大器电路_瑞典爱立信有限公司_201980088536.4
公开用于PA(100)的偏置电路(200)。它包括:第一晶体管(M1),漏极端和栅极端连接到第一电路节点(x),且源极端连接到第一供电端(GND);连接到第一电路节点(x)的第一电流源(I1);及连接在第一电路节点(x)和第二电路节点(y)...
基于共源共栅结构的电容交叉耦合跨导增强低噪声放大器_电子科技大学_202111645851.8
本发明属于无线通信技术领域,提供一种基于共源共栅结构的改进的电容交叉耦合型跨导增强低噪声放大器,用以解决现有基于共源共栅结构的低噪声放大器存在的高频增益衰减和低频稳定性差的问题。本发明由差分共源共栅结构电路与改进的电容交叉耦合型跨导增强结构...
插值滤波电路、插值滤波器、控制方法、装置及存储介质_北京奕斯伟计算技术股份有限公司_202110673912.5
本申请实施例提供了一种插值滤波电路、插值滤波器、控制方法、装置及存储介质。该插值滤波电路,包括:数据预处理单元,用于根据指定的通信协议对应的插值处理模式,对原始数据进行插值处理,得到预处理数据;数据滤波单元,与数据预处理单元电连接,用于根据...
一种基于GaAs pHEMT工艺的中频放大器_南京米乐为微电子科技有限公司_201811600161.9
本发明公开了一种基于GaAs pHEMT工艺的中频放大器,包括:输入匹配单元、共源共栅放大单元、输出匹配单元和反馈单元;输入匹配单元、共源共栅放大单元和输出匹配单元依次相连,反馈单元设置在输入匹配单元和输出匹配单元之间,利用集总的方式防止了...
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