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电子电路装置的制造及其应用技术
一种多管芯堆叠式射频器件
本实用新型提供一种多管芯堆叠式射频器件,属于压电复合材料领域,包括第一裸片和多颗滤波器裸片,所述滤波器裸片与第一裸片的正面耦合,在第一裸片与耦合面相对的反面制作信号引出,所述第一裸片包括多层异质键合衬底、功能化金属孔、晶圆级封装以及至少一个...
声表面波滤波器结构及其制造方法、电子设备
一种声表面波滤波器结构及其制造方法、电子设备,所述声表面波滤波器结构包括:基底,所述基底包括压电振荡有效区、环绕所述压电振荡有效区的外围区;声学换能器,位于所述压电振荡有效区的基底上;第一保护层,覆盖所述声学换能器;连接层,位于所述外围区的...
一种用于压电MEMS谐振器的封装结构及电子元件
本申请提供一种用于压电MEMS谐振器的封装结构及电子元件,属于半导体器件领域,封装结构包括器件晶圆、盖帽晶圆以及设置在盖帽晶圆上的第一绝缘层和金属层,其中:器件晶圆包括:衬底层,衬底层包括衬底区域和衬底区域围绕的第一谐振空腔区域;以及设置在...
基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构及其制作方法
本发明公开了一种基于倒装对位键合的扇出型滤波器封装结构及其制作方法,该封装结构包括滤波器芯片和塑封层,在滤波器芯片的芯片焊盘上方设置有凸点和围挡层,围挡层和凸点上远离滤波器芯片的表面平齐并设置有重布线层和钝化层,钝化层设有容纳重布线层的第一...
基板、电子器件和模块
本发明实施例提供一种基板、电子器件和模块。本发明实施例提供的基板包括多晶材料层,且所述多晶材料层中晶粒的密度大于或者等于1000颗/mm
2
,所述多晶材料层的厚度大于或者等于所述多晶材料层中最大晶粒粒径的两倍。本发明实施...
压电MEMS谐振器、半导体器件、制造方法以及电子元件
本申请涉及半导体器件领域且提供一种压电MEMS谐振器、半导体器件、制造方法以及电子元件。该谐振器包括在第一方向上层叠的衬底、绝缘层、器件硅层、压电层和电极层,所述衬底的上侧设有空腔,所述器件硅层的与所述空腔对应的区域中包含在第一方向上的掺杂...
晶圆级封装的声表面波滤波器及其制造方法
本发明提供了一种晶圆级封装的声表面波滤波器及其制造方法,通过阻挡层形成空腔结构,其中,第一阻挡层可以作为空腔结构的盖体,第二阻挡层和牺牲层可以作为空腔结构的墙体,由于支撑盖体的墙体比较多,由此可以提高支撑的可靠性,避免空腔结构塌陷;进一步的...
弹性波滤波器以及多工器
弹性波滤波器(40)具备具有多个IDT电极和反射器的纵向耦合谐振器(1),[i]将电极指(Fe(k))和电极指(Fe(k+1))的距离定义为第k个电极指间距(P(k)),[ii]在电极指(Fe(k‑1))、电极指(Fe(k))以及电极指(F...
一种纳秒级高压陡脉冲发生器
本发明公开了一种纳秒级高压陡脉冲发生器,涉及高压脉冲技术领域,包括微控制器、Marx电路、触发控制模块、隔离高压驱动模块、安全模块和电源管理模块;微控制器包括主芯片,通过微控制器实时采集Marx电路输出端的参数;触发控制模块生成纳秒级同步触...
在牢固安装的声学谐振器中的蚀刻区域配置
提供了一种声学谐振器,该声学谐振器包括基板、压电层、设置在基板和压电层之间的布拉格反射层、以及压电层表面的IDT,该表面面向布拉格反射层。IDT包括从第一母线和第二母线延伸的多个交错指状物。此外,蚀刻区域延伸到压电层的至少一部分中,该蚀刻区...
一种可重构的多路开关滤波器模组
本发明公开了一种可重构的多路开关滤波器模组,该模组包括多层印制板,相邻的两层印制板之间采用半固化片进行粘接;底部的两层印制板用于传输射频信号,其它层用来传输控制信号;多层印制板进行开槽处理,露出底层印制板上表面的微带电路,用来装配两个MMI...
一种具有横向模式抑制结构的谐振器及其制作方法
本发明提供一种具有横向模式抑制结构的谐振器及其制作方法,该谐振器包括压电基底、位于其上的电极层、钝化层及抑制层,电极层包括两个在第一方向上相对设置的叉指电极,每一叉指电极均包括汇流条及多个电极指,不同叉指电极中电极指与汇流条之间具有间隙,钝...
一种环形放大器
本发明涉及模拟电路设计技术领域,公开了一种环形放大器,其特征在于,环形放大器包括:多级放大电路以及电平移位电路;多级放大电路的输入端与环形放大器的信号输入端连接,多级放大电路的输出端与电平移位电路的第一端连接;电平移位电路的第二端与所述环形...
放大电路、芯片和电子设备
本申请实施例提供一种放大电路、芯片和电子设备,放大电路包括:所述放大电路的第一输入端耦接所述第一晶体管的栅极;所述第一晶体管的源极与地耦接,漏极耦接所述第二晶体管的源极;所述第二晶体管的漏极耦接所述放大电路的第一输出端,且耦接电压提供端;所...
一种带前置放大器的比较器及其控制方法
本发明公开一种带前置放大器的比较器及其控制方法,首先控制前置放大器工作,锁存器处于复位状态;等前置放大器将输出节点的信号放大到预设增益之后,保持前置放大器仍然工作,控制锁存器进入工作,待锁存器将输入信号再进行放大到锁存器结点之后,控制前置放...
压电振动板、压电振动器件以及压电振动器件的制造方法
本发明具备:形成在压电基板的两个主面上的第一、第二激发电极;以及与第一、第二激发电极分别连接的第一、第二安装端子,第一、第二安装端子具有:形成在压电基板上的包括抗焊料金属膜的安装用金属膜;以及在该安装用金属膜上以与第一、第二激发电极分别相连...
移相器中的毛刺减少
公开了用于减少在实现高隔离度开关的移相器中的毛刺的方法和设备。当从一个相移转换至另一相移时,在移相器的输出处会出现这样的毛刺。所公开的方法在移相器转换的各个步骤中实施了延迟。提供了实现单刀多掷的示例性实施方式,并且还给出了所公开的方法的示例...
一种宽带低噪声放大器
本发明公开了一种宽带低噪声放大器,属于单片微波集成电路技术领域;包括:级联的电流复用结构低噪声放大器和平衡式低噪声放大器;电流复用低噪声放大器,包括:依次级联的第一级和第二级放大电路;平衡式低噪声放大器,包括:两个折叠兰格耦合器和两个放大支...
一种低计算复杂度的FIR滤波方法
本发明公开了一种低计算复杂度的FIR滤波方法,涉及信号处理技术领域,包括:获取输入序列;根据工程需求,设置FIR滤波器的抽头数并判断是否需要对原始系统函数中的各抽头系数进行重新配比;若需要,则对原始系统函数中各抽头系数进行重新配比,并基于重...
D类放大器的动态调制方法及其电子电路
本发明提供了一种D类放大器的动态调制方法及其电子电路,在该D类放大器的动态调制方法中,通过对音频放大信号的平均占空比进行动态调整,使该音频放大信号的平均占空比为一个合适的占空比,以降低电路功耗,即使得音频放大信号的平均占空比在没有音频输入时...
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