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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本申请的实施例涉及金属表面处理技术领域,具体涉及一种在金属基体表面涂敷镍‑钨复合涂层的方法,包括以下步骤:确定待涂敷的金属基体;采用磁控溅射的方式在金属基体的表面涂敷镍涂层;将金属基体放置于反应装置的反应空间内并加热;按照预定速度向反应空间...
  • 一种镀膜设备及其形成方法、半导体结构的形成方法,镀膜设备包括:腔体,包括相连接的第一部分和第二部分,第一部分和第二部分闭合后构成密闭腔;设置于腔体底部的载台,载台用于放置待镀膜物料,可沿第一方向和第二方向移动,第一方向和第二方向平行于第二部...
  • 本发明提供一种可用于等离子喷涂的耐高温石墨烯基吸波涂层粉料、制备方法及应用,涉及电磁波吸收材料领域。所述可用于等离子喷涂的耐高温石墨烯基吸波涂层粉料的制备方法,包括有以下步骤:制备水滑石粉末、制备水滑石/氧化石墨烯复合微粒、剪切包覆、热处理...
  • 本实用新型公开了一种氮化硅沉积炉管,包括底座,所述底座的一侧固定连接有内管,所述底座的一侧固定连接有外管,所述外管的侧壁设有流通管,所述外管远离底座的一端固定连接有端板,所述端板的一侧贯穿设有转动管,所述转动管位于外管的一端固定连接有内板,...
  • 本发明一种采用喷涂工艺制备低电阻率氧化锌锡靶材的方法,包括以下步骤:将氧化锌、氧化锡按照重量比52:48混合加入到氧化锌总量5‑7倍的改性液搅拌改性处理,然后水洗、干燥,得到改性的锌锡体;向改性的锌锡体中加入改性的锌锡体总量10‑15%的球...
  • 本申请公开了一种提高金属膜电学性能的前驱体组合物、金属膜及方法,前驱体组合物包括:第一浓度的前驱体,第二浓度的掺杂剂和第三浓度的溶剂。本申请通过向前驱体中添加掺杂剂,能够显著提升沉积得到的金属膜的电学性能,其中,电容密度增加了9%,介电常数...
  • 本发明公开了一种铆螺母的表面镀锌工艺及设备,先用石灰、粗糠以及木炭对铆螺母的表面除油,然后用清水清洗,以及用盐酸与缓蚀剂的混合液进行酸洗,酸洗完成再次经过清洗后加入到氯化锌铵溶液中浸泡,然后烘干后送入到镀锌设备中进行镀锌,镀锌完成后快速浸入...
  • 本发明涉及表面镀膜技术领域,具体涉及一种轴承端面薄膜图案的制备工装及方法。该工装包括转接板、图案掩模板、压板和紧固件,转接板可拆卸地安装于薄膜加工样品台,转接板与图案掩模板之间形成用于放置待镀轴承的安装空间,压板贴合压设于图案掩模板远离转接...
  • 本申请涉及氧化钇绝缘涂层制备技术领域,且公开了一种应用在PECVD腔体内的碳纤维载板的氧化钇绝缘涂层的制备方法,本方案以下所述的步骤:步骤一:将碳纤维载板进行除污作业;步骤二:将碳纤维载板进行干燥作业;步骤三:将碳纤维载板进行喷涂作业;步骤...
  • 本申请公开了一种基于MXene/ZnIn2S4复合气敏材料的制备及其阴极阵列涂覆方法,其属于半导体纳米材料与MEMS气体传感器制造技术领域,通过MXene表面终端调控实现ZnIn2
  • 本实用新型涉及溅镀设备技术领域,特别是涉及一种溅镀上下料设备,包括溅镀上料缓存机构;溅镀盖取治具机构,与所述溅镀上料缓存机构连接,用于将溅镀后的产品上的治具取下,并将治具盖于待溅镀的产品上;分选打标签机构,与所述溅镀盖取治具机构连接,用于对...
  • 本发明提供了一种PEALD腔体结构,涉及镀膜设备技术领域。该结构包括外腔体、内腔体、升降系统、加热载台、抽气系统及压力控制器。内腔体设置于外腔体内部,底部形成适配加热载台的开口,升降系统控制加热载台与内腔体的连接与分离。内腔体内设置分隔体,...
  • 本发明公开了一种液压元件用自反应润滑涂层及其制备方法,包括基体预处理、Cr打底、制备梯度层和掺W类金刚石层等步骤。该涂层结构由Cr底层、Cr/C梯度层、W/C梯度层和W‑DLC顶层组成,这种梯度多晶层结构设计使得基体和涂层之间的机械性能过渡...
  • 本发明涉及热障涂层技术领域,特别涉及一种热障涂层的制备方法。本发明实施例提供一种热障涂层的制备方法,包括:将浆料利用离子喷涂工艺喷涂在待保护的基底上,得到具有纵向裂纹的隔热层;其中,所述纵向裂缝垂直于所述隔热层,所述纵向裂纹的一端延伸至所述...
  • 本发明涉及塑料铁丝技术领域,具体为一种镀锌铁丝的生产工艺,包括以下步骤:生产输送、铁丝定向移动、铁丝镀锌和镀锌液循环。本发明能有效的保证镀锌液浓度的均匀性,避免出现镀锌液溢流的情况,能有效回收镀锌液,还能添加新的镀锌液,保证镀锌液浓度的均匀...
  • 公开了用于在表面上沉积氮化硅之前预处理所述表面的方法和系统。示例性方法包含通过将所述表面暴露于由包括氮和氢的一种或多种气体形成的活性物种来预处理所述表面。预处理的步骤可另外包含将所述表面暴露于包括硅的气体的步骤。
  • 用于控制基板温度的方法及设备包括:测量经受沉积处理的基板;分析所述基板的测量以检测所述基板的缺陷;及基于若检测到缺陷的所述分析,发送反馈信号以修改使用于在所述沉积处理中控制所述基板的温度的温度控制器的温度控制参数,且若未检测到缺陷,不发送反...
  • 一种防止损坏下部图案化结构的基板处理方法包括:通过多次执行第一循环来形成具有一定厚度的第一薄膜,该第一循环包括将第一反应物供应到结构上并吹扫残留物;以及通过改变具有一定厚度的第一薄膜的化学成分来形成第二薄膜。
  • 本申请公开了一种自动化学气相沉积装置及其应用。本申请自动化学气相沉积装置包括炉体、样品管、样品杆、密封件和位移平台;炉体具有容纳样品管的腔体;密封件用于对炉体和样品管进行密封,密封件有开口,便于样品杆穿过,伸入样品管;样品杆可拆卸安装于位移...
  • 本发明涉及实体碳化硅制造领域,尤其涉及实体碳化硅制造工艺,包括有大型反应器、喷气口、腔体、排气管线、真空泵、初级尾气设备、次级尾气设备、中和水处理系统;本发明安装60°、120°的分流喷嘴,使基材的沉积均匀,以多管喷嘴形式减少Si气体种类的...
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