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五金工具产品及配附件制造技术
  • 异型腔内壁蒸镀磁控溅射靶系统
    异型腔内壁蒸镀磁控溅射靶系统_上海科技大学_202411830712.6
    本发明异型腔内壁蒸镀磁控溅射靶系统，涉及对超导加速腔体内壁溅射镀膜的高能脉冲磁控溅射领域。本发明包括适于装载超导加速腔体的真空机构、设于超导加速腔体内腔中的磁控溅射靶机构和与磁控溅射靶机构连接的驱动机构。本发明实现了环状靶材在超导加速腔体内...
    2025-06-29
  • 镀膜设备及镀膜方法
    镀膜设备及镀膜方法_武汉锐晶激光芯片技术有限公司_202311812880.8
    本申请公开了一种镀膜设备及镀膜方法。镀膜设备的转动件在镀膜腔内，动力组件的驱动件与转动件连接，驱动件可以驱动动力组件中升降件升降，升降件相对转动件的位置可以发生变化。将基片安装至载具上，载具再可翻转地转动连接于升降件。镀膜腔内镀膜源转化为基...
    2025-06-29
  • 金属化薄膜加工装置及工艺
    金属化薄膜加工装置及工艺_安徽赛福电容股份有限公司_202211097417.5
    本发明提供了金属化薄膜加工装置，涉及金属化薄膜加工技术领域，该加工装置，包括密封箱体、气泵、涡旋管，密封箱体内从对薄膜放料至对薄膜收料方向依次转动设置有放卷辊、预热辊、冷却辊、收卷辊，气泵、涡旋管均设置在密封箱体外部，涡旋管具有输入端、热气...
    2025-06-29
  • 一种铝加热器的表面改进方法
    一种铝加热器的表面改进方法_宁波江丰电子材料股份有限公司_202510375806.7
    本发明涉及一种铝加热器的表面改进方法，所述表面改进方法包括如下步骤：(1)铝加热器坯体经过前处理，得到铝加热器成品；(2)对步骤(1)所得铝加热器成品的表面依次进行镀镍处理与镀氮化铝处理，得到改进的铝加热器。本发明通过在铝加热器的表面先镀镍...
    2025-06-29
  • 一种耐丝状腐蚀锌铝镁镀层钢板及其制备方法
    一种耐丝状腐蚀锌铝镁镀层钢板及其制备方法_首钢集团有限公司_202510423464.1
    本申请涉及一种耐丝状腐蚀锌铝镁镀层钢板及其制备方法，属于金属表面改性技术领域。所述钢板包括锌铝镁镀层和附着于所述锌铝镁镀层至少部分表面的化学转化膜，所述化学转化膜由化学转化液与所述锌铝镁镀层通过化学反应形成。通过合理控制化学转化液中的成分及...
    2025-06-29
  • 一种pvd镀膜工艺用等离子体清洗组件及其清洗方法
    一种pvd镀膜工艺用等离子体清洗组件及其清洗方法_日晟昌纳米材料技术(苏州)有限公司_202510406955.5
    本发明属于材料表面处理设备技术领域，且公开了一种pvd镀膜工艺用等离子体清洗组件及其清洗方法，包括底座，底座的顶部固定安装有箱体，箱体的顶部固定安装有控制器，箱体的顶部内壁上固定安装有等离子体喷头，所述底座的内壁上滑动安装有移动板，所述底座...
    2025-06-29
  • 一种镀铝设备监控真空度装置
    一种镀铝设备监控真空度装置_上海艺畅汽车配件有限公司_202422142583.3
    本实用新型涉及镀铝设备技术领域，且公开了一种镀铝设备监控真空度装置，包括镀铝机，所述镀铝机左侧固定连接有气压计一，所述镀铝机后端固定连接有连接管一，所述连接管一后端固定连接有连接管二。该镀铝设备监控真空度装置，通过加固组件将对接的两个管路进...
    2025-06-29
  • 一种不锈钢表面制备六方氮化硼薄膜及减少水垢生成的方法
    一种不锈钢表面制备六方氮化硼薄膜及减少水垢生成的方法_北京工业大学_202510418316.0
    一种不锈钢表面制备六方氮化硼薄膜及减少水垢生成的方法，属于六方氮化硼制备及防水垢技术领域。所述方法采用等离子体增强化学气相沉积设备制备六方氮化硼，具体步骤为：将不锈钢衬底和前驱体分别依次置于管式炉和加热带中心区域，预抽真空至1Pa以下；通入...
    2025-06-29
  • 一种气相沉积室
    一种气相沉积室_楚赟精工科技(上海)有限公司_202510423365.3
    本申请提供一种气相沉积室，包括生长腔室、承载座、轴体、承载盘、倾斜支撑机构和源气注入装置，轴体固设于承载座中部，轴体顶部突出于承载座顶面，承载座顶面设置的第一凹槽靠近轴体的一侧侧壁开口；承载盘容纳于第一凹槽，承载盘包括活动端部和自由端部，活...
    2025-06-29
  • 一种气相沉积设备及其上衬垫
    一种气相沉积设备及其上衬垫_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311828579.6
    本发明提供一种气相沉积设备及其上衬垫，包含一反应腔，反应腔内的下方设有托盘，托盘的上表面为晶圆承载面，所述设备包含：上衬垫，其设置在反应腔内并与晶圆承载面相对，上衬垫与晶圆承载面之间形成反应区域；进气装置，用于横向地向反应区域内注入工艺气体...
    2025-06-29
  • 一种氮化钛薄膜的生长方法、装置、设备及介质
    一种氮化钛薄膜的生长方法、装置、设备及介质_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202510299607.2
    本发明公开一种氮化钛薄膜的生长方法、装置、设备及介质，涉及半导体薄膜制备技术领域，所述氮化钛薄膜的生长方法，包括：在真空条件下，通过脉冲交替的方式在原子层沉积反应室通入含钛前驱体和氨气等离子体，以在所述原子层沉积反应室内的玻璃基底的表面完成...
    2025-06-29
  • 一种利用旋转掩膜生长高通量薄膜材料的方法
    一种利用旋转掩膜生长高通量薄膜材料的方法_上海大学_202510213512.4
    本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种利用旋转掩膜生长高通量薄膜材料的方法。本发明包括以下步骤：在超高真空条件下，将衬底置于掩膜结构中，其中，掩膜结构设置有开口，衬底位于开口的正下方；将掩膜结构置于超高真空蒸镀设备中，采用真空蒸镀法，根据...
    2025-06-29
  • 一种物理气相沉积辅助激光冲击强化钛合金的方法
    一种物理气相沉积辅助激光冲击强化钛合金的方法_中芯联源(北京)科技有限公司_202510420358.8
    本发明公开了一种物理气相沉积辅助激光冲击强化钛合金的方法，方法包括：通过磁控溅射在钛合金表面沉积第一NiZn层；通过磁控溅射在第一NiZn层表面沉积第一NiAl层；通过磁控溅射在第一NiAl层表面沉积第二NiZn层；通过磁控溅射在第二NiZ...
    2025-06-29
  • 一种采用高功率脉冲磁控溅射制备TiAlSiN纳米复合薄膜的方法
    一种采用高功率脉冲磁控溅射制备TiAlSiN纳米复合薄膜的方法_华南理工大学_202510400180.0
    本发明公开了一种高功率脉冲磁控溅射沉积TiAlSiN纳米复合硬质薄膜的方法。采用电弧增强辉光放电技术配合高功率脉冲磁控溅射技术的先进组合技术，获得与基体结合良好的高硬度、良好韧性、高耐磨性的TiAlSiN薄膜。本发明首先利用电弧增强辉光放电...
    2025-06-29
  • 一种用于热镀锌或者热镀锌铝合金钢丝用单轮旋转压线轴
    一种用于热镀锌或者热镀锌铝合金钢丝用单轮旋转压线轴_天津市万达远扬科技有限公司_202310173163.9
    本发明涉及镀锌压线轴技术领域，尤其涉及一种用于热镀锌或者热镀锌铝合金钢丝用单轮旋转压线轴。其技术方案包括：一种用于热镀锌或者热镀锌铝合金钢丝用单轮旋转压线轴，包括横板、立板、压线轴轮片和侧板，所述横板的下方安装有立板，所述立板内插接安装有耐...
    2025-06-29
  • 一种气相生长室
    一种气相生长室_蓝河科技(绍兴)有限公司_202510421728.X
    本申请提供一种气相生长室，包括生长腔室、底座、轴体、托盘和气体注入机构，将轴体密封贯穿生长腔室并固设于底座中部，轴体顶部突出于底座顶面，底座顶面设置的顶面开口的托盘容纳腔靠近轴体顶部的一侧壁开口；托盘容纳于托盘容纳腔，托盘的第一端部靠近轴体...
    2025-06-29
  • 阴极电弧源
    阴极电弧源_欧瑞康表面解决方案股份公司,普费菲孔_202080061854.4
    本发明涉及阴极电弧蒸发设备，其包含：‑靶(3)，其具有包含活性表面(3’’)的靶表面(3’)，在阴极电弧方法中材料能够从其蒸发；‑围绕所述靶表面(3’)的外边界的限制部(4)；‑具有电子接受表面(2’，2’’，2’’’)的阳极(2)，所述阳...
    2025-06-29
  • 一种薄膜镀层均匀性的评价方法、改善方法和评价系统
    一种薄膜镀层均匀性的评价方法、改善方法和评价系统_重庆金美新材料科技有限公司_202211738634.8
    本发明提供了一种薄膜镀层均匀性的评价方法、改善方法和评价系统，通过在薄膜(1)镀膜的整个过程获取镀膜单元中挡板(2)表面不同位置的涂层(3)厚度或质量，对薄膜镀层均匀性进行评价。所述挡板(2)表面较厚的涂层(3)对应的薄膜(1)的镀层较薄，...
    2025-06-29
  • 涂层切削工具
    涂层切削工具_山特维克科洛曼特公司_202380081680.1
    本发明涉及一种涂层切削工具(1)，所述涂层切削工具(1)包含基体(5)和涂层(6)，其中所述涂层(6)包含由以下的交替层组成的纳米多层(8)：i)Ti1‑XAlXN的第一纳米...
    2025-06-29
  • 半导体衬底的处理方法
    半导体衬底的处理方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202311804319.5
    本发明的半导体衬底的处理方法包括：将半导体衬底、石墨靶置于真空腔室；以及向所述真空腔室通入碳氢类气体以及聚氨酯单体气体，所述碳氢类气体的流量大于所述聚氨酯单体气体的流量，在所述半导体衬底的表面形成类金刚石碳层并在所述类金刚石碳层上掺杂聚氨酯...
    2025-06-29
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