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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本发明公开了一种宽温区高性能抗激光反射膜及其制备方法,包括:基底、第一超导功能层、高低折射率多层介质反射堆栈和第二超导功能层,第一超导功能层设置在基底的上方,高低折射率多层介质反射堆栈设置在第一超导功能层的上方,第二超导功能层设置在高低折射...
  • 本发明公开了一种耐蚀耐磨的硅青铜合金材料及其制备方法,包括以下工艺:将硅青铜原料熔融,浇注,凝固成型后进行均匀化热处理,热轧,形变热处理,得到硅青铜合金材料;碳化,激光熔覆,得到耐蚀耐磨的硅青铜合金材料,涉及铜硅合金技术领域。本发明通过在硅...
  • 本发明提供了一种供气装置以及镀膜设备,涉及真空镀膜技术领域。供气装置包括气体发生模块、气体控制模块、气体传输管路以及控制器;气体发生模块用于存储液态原料,并将液态原料转换为目标气体;气体控制模块的进气口与气体发生模块的出气口连通;气体控制模...
  • 本发明公开了一种耐高温液态铅/铅铋合金腐蚀的复合涂层及其制备方法,所述复合涂层为AlTiYO/CrAl涂层,以CrAl作为涂层过渡层,所述AlTiYO/CrAl涂层沉积在结构钢基体上。制备方法包括对结构钢材基体材料进行预处理;采用CrAl作...
  • 本实用新型公开了一种卷对卷常压沉积设备及卷对卷常压沉积系统,涉及薄膜沉积技术领域。该卷对卷常压沉积设备包括放卷机构、反应装置及收卷机构,反应装置具有料带通道及多个依次连接的功能室,料带通道依次穿过多个功能室;多个功能室中包括ALD沉积室、两...
  • 本实用新型涉及真空处理技术领域,具体公开了一种真空处理设备,包括真空处理室、等离子体发生装置、溅射装置和抽真空装置;真空处理室内转动设置有基板架;等离子体发生装置包括至少两个设于真空处理室的等离子体发生组件;溅射装置与等离子体发生装置间隔设...
  • 本发明涉及一种碳/碳复合材料表面用高红外发射率涂层及其制备和应用,高红外发射率涂层是采用等离子喷涂工艺制备的Fe3O4涂层;采用的等离子喷涂原料为纳米Fe3O4
  • 用于将蒸气供应至衬底处理工具的处理模块的蒸气供应系统包含汽化器组件,以使液体汽化并将汽化液体作为蒸气供应至处理模块。汽化器组件位于衬底处理工具外部。蒸气供应系统包含气体箱,以接收由汽化器组件所供应的蒸气并将蒸气从气体箱供应至处理模块。气体箱...
  • 本发明公开了一种物化协同抗CMAS腐蚀稀土共掺杂氧化锆热障涂层及制备方法,制备方法包括如下步骤:将含有多元稀土共掺杂氧化锆陶瓷粉末、粘结剂与水的浆料球磨后,进行粉末的团聚,得到团聚陶瓷粉体;采用宽速域高能等离子喷涂技术在高温合金试样表面喷涂...
  • 本实用新型公开了一种回流控制系统,包括:至少一个水槽;收集区,设置于与其相应的水槽相邻位置;中间存储装置,分别与水槽和收集区连通;液位检测装置,设置于水槽内;第一输送装置,设置于中间存储装置和水槽之间,用于将中间存储装置内的液体输送至水槽;...
  • 本发明公开一种明火加热炉炉辊表面涂层及其制备方法,所述涂层由以下质量百分比的成分配制而成:CoNiCrAlYTa:50%~60%,ZrB2:10%~15%,Y2O3:25%~...
  • 本发明提供一种SiC晶圆表面碳保护膜及其制备方法和应用,属于半导体器件技术领域。制备方法包括以下步骤:提供PECVD设备,PECVD设备的腔室内放置有SiC晶圆;向腔室通入前驱体源,并维持在第一条件;在第二条件下进行第一沉积,以在SiC晶圆...
  • 本发明公开了一种高熵合金涂层及其制备方法,涉及制备高熵合金涂层技术领域。所述高熵合金及其涂层不含硅元素,所述制备方法包括:根据所述高熵合金的成分配比,采用磁控溅射技术,将各成分的金属单质靶作为溅射靶材进行溅射,以在基体上依次沉积单质膜形成多...
  • 本实用新型公开了一种铝管在线钝化防腐装置,包括冷却槽,其特征是在所述冷却槽长度向两端分别设置液体输入口和液体输出口,液体输入口和液体输出口外接并联布置的钝化液系统和单一冷却系统;钝化液的流动方向与铝管移动方向相反;所述钝化液系统中具有自身冷...
  • 本申请公开了一种安全互锁控制装置、半导体工艺设备及其控制方法,以降低电路设计复杂度,减少元器件的数量,并降低设备成本。安全互锁控制装置包括:压力触发模块、多个继电器和控制模块;控制模块包括多个第一输出引脚和多个第二输出引脚;压力触发模块,用...
  • 本实用新型涉及螺母丝锥加工技术领域,公开了一种螺母和丝锥生产加工用氧化处理装置,包括机体,所述机体内部两侧中部均固定设置有电动伸缩柱,两个所述电动伸缩柱顶部均固定设置有承载板,两个所述承载板前后两端均固定设置有导向杆,所述机体内部四角均开设...
  • 本发明公开了一种锆合金表面多级强化涂层的制备方法,通过磁控溅射方法在Zry‑4基体上制备了一种CrTaNbSiO多组元氧化层和CrAlTaNbSi多组元金属层交替分布的多层膜,每层厚度为0.8~1.2μm。CrAlTaNbSi层通过高熵效应...
  • 本申请的实施例提供了一种气体传输装置及原子沉积系统,涉及原子沉积技术领域,用于提高晶圆上所沉积的薄膜中原子的分布均一性。该气体传输装置包括:气体混合结构、出气管和多个进气管。气体混合结构内设置有气体混合腔。出气管的一端连接于气体混合结构,并...
  • 本申请涉及半导体制备技术领域,公开一种用于薄膜沉积设备的进气系统,进气系统包括主进气结构和副进气结构,副进气结构包括多个进气通道,多个进气通道设置于反应腔室的顶部、底部和侧部中的一个或多个位置,且每个进气通道内分别设置有能够在封堵位置和导通...
  • 本实用新型公开了一种Glens镀膜装载夹具,属于透镜夹具技术领域,一种Glens镀膜装载夹具,包括上模具和下模具,所述上模具、下模具相对应的一侧均开设有凹槽,两两对应设置的凹槽之间形成一个限位槽口,所述限位槽口的内壁之间设有装夹件一、装夹件...
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