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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本发明公开了一种锆合金表面多级强化涂层的制备方法,通过磁控溅射方法在Zry‑4基体上制备了一种CrTaNbSiO多组元氧化层和CrAlTaNbSi多组元金属层交替分布的多层膜,每层厚度为0.8~1.2μm。CrAlTaNbSi层通过高熵效应...
  • 本申请的实施例提供了一种气体传输装置及原子沉积系统,涉及原子沉积技术领域,用于提高晶圆上所沉积的薄膜中原子的分布均一性。该气体传输装置包括:气体混合结构、出气管和多个进气管。气体混合结构内设置有气体混合腔。出气管的一端连接于气体混合结构,并...
  • 本申请涉及半导体制备技术领域,公开一种用于薄膜沉积设备的进气系统,进气系统包括主进气结构和副进气结构,副进气结构包括多个进气通道,多个进气通道设置于反应腔室的顶部、底部和侧部中的一个或多个位置,且每个进气通道内分别设置有能够在封堵位置和导通...
  • 本实用新型公开了一种Glens镀膜装载夹具,属于透镜夹具技术领域,一种Glens镀膜装载夹具,包括上模具和下模具,所述上模具、下模具相对应的一侧均开设有凹槽,两两对应设置的凹槽之间形成一个限位槽口,所述限位槽口的内壁之间设有装夹件一、装夹件...
  • 本实用新型公开了一种掩膜条,涉及异形显示OLED技术领域。所述掩膜条包括与异形显示屏一一对应设置的成膜区,每一成膜区包括有效镀膜区以及蚀刻缓冲区,所述蚀刻缓冲区位于所述有效镀膜区外围,且所述蚀刻缓冲区的外围为矩形;所述蚀刻缓冲区的蚀刻孔为非...
  • 本实用新型涉及一种用于气相沉积的加热装置及镀膜设备,括镀膜腔室、加热板和加热管,所述镀膜腔室的内部设置有样品台,样品台与镀膜腔室的底板构成加热腔体,加热腔体内设置加热板和加热管,加热管设置在加热板的上方,加热管用于对加热板的边缘位置进行温度...
  • 本发明涉及一种动态自适应蒸镀系统及蒸镀方法,蒸镀系统包括真空腔体、蒸发源与基片载板,真空腔体包括由下至上依次连通的蒸发区、过渡区与沉积区,蒸发区与过渡区之间设有第一隔板,第一隔板的中心通气并设有第一隔断装置,过渡区与沉积区之间设有第二隔板,...
  • 本发明提供了一种准直器调节模块及其使用方法、磁控溅射设备、介质,准直器调节模块用于安装在靶材放置位置与原始准直器之间;准直器调节模块,被配置为:调节原始准直器上的目标调节区域的粒子通过量,以优化待沉积晶圆的表面的沉积均匀度;其中,目标调节区...
  • 本发明涉及纳米多层复合涂层技术领域,更具体地,涉及一种纳米多层梯度异质复合涂层及其制备方法和应用。纳米多层梯度异质复合涂层包括依次设置的AlCrN底层、AlCrN/TiSiN纳米多层、AlCrTiSiN高熵层和TiSiN顶层;其中,所述Al...
  • 本发明提供了一种流化床化学气相沉积装置,包括支撑架、流化组件、加热组件、上料组件和下料组件,流化组件包括多个流化床,所述流化床连接于相应的所述固定位;所述加热组件用于对所述流化床加热;上料组件包括用于储存原料的上料仓、连接于所述上料仓的多根...
  • 本申请涉及蒸发装置的技术领域,尤其是涉及到一种高蒸发效率的蒸发装置。本申请公开了一种高蒸发效率的蒸发装置,包括设置在蒸发装置内左侧和右侧的蒸发舟;所述左侧的蒸发舟和右侧的蒸发舟为错落式布置;所述蒸发舟的上方设置有检测设备。本申请所述一种高蒸...
  • 本发明涉及一种碳化硅涂层及其制备方法。该制备方法包括如下步骤:对基板进行化学气相沉积处理形成碳化硅涂层;其中,化学气相沉积处理包括依次进行的低温成核阶段、中温生长阶段和高温生长阶段,化学气相沉积处理所采用的气源包括稀释气体、氢气和有机硅源气...
  • 本发明提供成膜装置和具有含硅膜的部件的制造方法。抑制氧化地进行成膜。排气部将腔室内减压到预定的真空度。保持部配置于腔室内,保持成膜对象构件。供给部向成膜对象构件的表面供给含有硅的成膜材料。热源能够在预定的真空度中进行加热,将供给来的成膜材料...
  • 本发明公开了一种同质多层级Cr涂层及其制备方法,属于金属高温防护涂层技术领域。该制备方法为:将锆合金基体进行靶材的预溅射处理和氩等离子体刻蚀处理后,得到刻蚀锆合金;以Cr为靶材,以氩气为溅射气体在‑200V~0V的电压条件下,在刻蚀锆合金上...
  • 本发明涉及金刚石制备的技术领域,公开了一种彩色大颗粒金刚石制备装置及制备工艺,包括工作台、生长舱罩,工作台的顶部安装有吹气组件、控压机构,工作台内壁位于第一环形卡槽的下方开设有第二环形卡槽,第一环形卡槽的内壁转动连接有环形盘,环形盘内壁的边...
  • 本实用新型提供了一种镀膜装置,涉及光伏及半导体技术领域。镀膜装置包括蒸镀腔、ALD腔、载料台以及第一输送件。其中,蒸镀腔内设置有蒸发件,蒸发件用于对基底进行蒸镀工艺;ALD腔内设置有喷淋件,ALD腔与蒸镀腔连接,喷淋件用于对基底进行ALD工...
  • 本发明涉及控制系统、处理装置及半导体器件的制造方法。提供一种对蒸气压低的原料进行流量控制并向处理室供给的技术。该技术中,具备:流量控制器,其具有构成为能够调节气体的流量的调节部;和控制部,其构成为能够通过使所述调节部动作而对将所述气体的流量...
  • 本发明涉及一种用于重载铁路钢轨的防腐涂层及其涂装方法。本发明的涂层包括紧贴在所述重载铁路钢轨上的合金层以及设置在所述合金层外侧的钝化层。本发明采用合金层与钝化层双层结构,得到的涂层附着力高、耐磨性高。本发明的钝化层既起到钝化作用,又起到封孔...
  • 本实用新型提供了一种逆止结构及气体分流系统。所述逆止结构包括旋转模组及限位密封模组。所述旋转模组包括多个叶片,其中,各所述叶片的内端连接于第一旋转轴,以在正向气流的驱动下正向旋转。所述限位密封模组,其第一端单向弹性地安装于所述止逆结构的外壳...
  • 本实用新型提供了一种具有保护膜结构的掩模版,包括:掩模基底、掩模图形层和保护膜结构,其中掩模基底的表面开设有环状的凹槽,掩模图形层位于掩模基底开设有凹槽的一侧;保护膜结构包括环状的框架和保护膜,框架的顶部与保护膜连接,框架的底部嵌入凹槽内以...
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