Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
摄影电影;光学设备的制造及其处理,应用技术
  • 一种方法可包含接收来自两个或更多个光电检测器的与光栅结构及参考光栅结构相关联的时变干扰信号。所述光栅结构可包含一或多个衍射光栅,其中所述参考光栅结构包含经布置为接近所述光栅结构的所述一或多个衍射光栅的参考光栅,且其中在相对于一或多个照明光束...
  • 本发明公开了一种掩模版优化方法,其可避免掩模版图型产生桥连现场,可确保光刻效果、提升产品良品率,掩模版优化方法基于OPC修正模型实现,该方法包括:提供一目标版图;采用OPC修正模型对目标版图上的初始图型进行优化,获得优化掩模版;OPC修正模...
  • 本发明提供了一种接触式双工位自动曝光机的对准显微镜定位机构,包括曝光光源移动组件、曝光光源组件和对准显微镜限位组件,所述曝光光源移动组件包括光源移动滚珠丝杠、光源移动电机、滑动机构和安装板。本发明在高效率和较低成本的情况下保证了第一对准显微...
  • 本发明涉及包含使用可交联硅氧烷聚合物的正型光刻胶配制剂。用于该正型光刻胶配制剂中的硅氧烷聚合物是可交联的且包含含有至少一个马来酰亚胺基团的第一重复单元及不含有马来酰亚胺基团的第二重复单元。本发明进一步提供使用根据本发明的正型光刻胶配制剂制造...
  • 本发明提供了一种正性光刻胶组合物及其用途,涉及光刻技术领域。该正性光刻胶组合物,原料组分包括:溶质和第一溶剂;其中,所述溶质包括70wt%‑96wt%化学放大正性光刻胶基体树脂、1wt%‑30wt%光致产酸剂、0.1wt%‑15wt%酸淬灭...
  • 本发明涉及发电装置技术领域,具体公开了一种利用重力惯性发电装置,伸缩立柱沿环形轨道内外两侧之间的中心环线均匀设置,相邻的两个伸缩立柱之间通过链条连接;齿轮与动力轴滑键连接,齿轮与链条配合转动;动力轴两端对称设有结构相同的第一飞轮,第一飞轮与...
  • 本揭露的实施例提供一种去除极紫外光光刻光罩上的缺陷的方法,包括以下步骤。接收在极紫外光光刻光罩上具有至少一缺陷的极紫外光光刻光罩,其中吸收层及图案层共同地在覆盖层上形成具有覆盖部分及暴露部分的图案,且至少一缺陷在覆盖层上的暴露部分中形一被遮...
  • 本发明提供了一种用于微型投影的变焦物镜系统,包括:依次排布的第一群组透镜、光阑、第二群组透镜、振镜、分光器件、保护玻璃和成像面;所述成像面用于发出光线;所述振镜用于成像的像素;所述分光器件用于将所述光线进行分束;所述光阑用于控制分束后的光的...
  • 本案关于一种光学遮蔽件,适用于投影显示装置。投影显示装置包含发光单元及数字微镜装置。发光单元以入射光投射至数字微镜装置,使数字微镜装置反射入射光,并投影成像。光学遮蔽件包含框体及镀膜层。框体包含本体及中空部。本体环绕形成中空部。本体包含内侧...
  • 本发明公开一种成像镜头、取像装置及电子装置,所述成像镜头具有光轴。成像镜头包含多个光学元件、镜筒、光学辨识结构以及可固化液体。光学元件沿光轴排列。光学元件包含非圆形元件。非圆形元件包含承靠部。镜筒环绕光轴。非圆形元件收纳于镜筒。承靠部与镜筒...
  • 本发明公开了一种极紫外光刻掩模相位缺陷的相干调制检测方法及装置,通过迭代算法实现纳米级相位缺陷的高精度全场重建。该装置采用紧凑型极紫外光源生成高亮度相干光,经多层膜聚焦光学器件反射聚焦探针光,以布拉格角入射掩模,反射光携带相位缺陷信息,经调...
  • 本申请涉及一种消散斑光路结构及激光投影设备,该消散斑光路结构包括:激光光源,用于发出激光束;消散斑元件,用于透射激光光源发出的激光束;以及反射光路组件,包括反射面,激光光源发出的激光束进入消散斑元件后到达反射面,由反射面反射进入消散斑元件,...
  • 本申请涉及制备透明树脂层的方法和制造包括透明树脂层的显示设备的方法。制备透明树脂层的方法包括:通过将光固化组合物施加到包括第一区的基板上来形成光固化组合物层;进行(a)曝光工艺,用掩模覆盖光固化组合物层的第一区并用第一光曝光光固化组合物层;...
  • 本实用新型提供相机系统及附属品,其容易视觉辨认基于发光部的发光。该相机系统具备:相机,其具有能够通过发光来通知相机的信息的发光部;及附属品,能够安装于相机上,其中,附属品在安装于相机的状态下,作为用于确认相机的摄影范围的取景器而发挥功能,当...
  • 本申请提供一种硅片定位装置和接触式曝光机,涉及光刻技术领域。硅片定位装置包括承片台和多个定位销组件,多个定位销组件均安装于承片台上,多个定位销组件在预设路径上间隔排布,多个定位销组件中位于最边侧的两个定位销组件之间形成待定位的供硅片本体进出...
  • 本申请公开了掩模版及其修正方法。该掩模版包括:基板;位于所述基板上的主图案和辅助图案,所述辅助图案的线宽小于所述主图案的线宽,其中,所述辅助图案包括外轮廓及其围绕的开口,以使所述辅助图案的有效线宽小于实际线宽。该掩模版的修正方法包括相对于亚...
  • 本申请公开一种基于混合表面等离子体波导曝光结构的纳米光刻方法及装置,涉及集成电路制造工艺领域。方法包括:基于所述表面等离子体光刻曝光结构的场强分布数据,结合双曲线拟合方式确定所述表面等离子体光刻曝光结构的曝光图形深度理论解析式;基于所述第一...
  • 根据本公开的示例实施例提供了用于光学邻近校正(OPC)建模的方法、设备和存储介质。该方法包括:初始化用于OPC模型的多个核函数,多个核函数至少包括第一类别的核函数和第二类别的核函数,第一类别的核函数指示随距离增加而衰减的光学邻近效应,第二类...
  • 本实用新型公开了一种多媒体影像展示装置,包括支撑架,所述支撑架顶端固定连接有调平安装机构,所述调平安装机构上安装有幕布,所述支撑架底端安装有万向轮和稳定机构,所述调平安装机构包括固定板,所述固定板上转动连接有转动轴,所述转动轴侧表面固定连接...
  • 本申请公开了一种晶圆曝光方法,主要采用曝光机根据该晶圆曝光方法对晶圆进行曝光,曝光时晶圆位于晶圆载台的承片台上。晶圆曝光方法包括:将预设的子程序写入曝光机的执行程序中;在曝光机停机重启后的第一时间内调用子程序对承片台上的晶圆进行曝光;在曝光...
技术分类