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最新专利技术
  • 一种植物基美拉德发酵豆乳的制备方法
    一种植物基美拉德发酵豆乳的制备方法_东北农业大学_202311506290.2
    本发明公开了一种植物基美拉德发酵豆乳的制备方法，属于食品发酵技术领域。为了有效的提高发酵豆乳的感官色泽品质，本发明提供了一种植物基美拉德发酵豆乳的制备方法，其主要工艺包括：(1)清理大豆，浸泡；(2)射流空化机处理，浆渣分离，闪蒸，复配；(...
    2025-06-29
  • 用于电池组的高电压接线盒
    用于电池组的高电压接线盒_阿切尔航空公司_202380071698.3
    本公开提供了一种用于电动飞行器的电池组组件，所述电池组组件包括电池组，所述电池组包括电池组外壳和一个或多个电池芯。所述电池组组件进一步包括接线盒，所述接线盒包括接线盒外壳，所述接线盒外壳包括一个底壁、四个侧壁和一个开口端。电池管理单元、至少...
    2025-06-29
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_株式会社东芝_202380070983.3
    本发明提供一种能够提高特性的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括：在包括含有SiC且包含第一面的基板的结构体的所述第一面形成包含第一金属元素的第一金属层。所述制造方法包括：经由所述第一金属层向所述第一面注入包含选自H...
    2025-06-29
  • 电阻器以及用于制造电阻器的方法
    电阻器以及用于制造电阻器的方法_松下知识产权经营株式会社_202380073407.4
    本公开所解决的问题是使得容易调整电阻体的电阻值。根据本公开的电阻器(1)包括绝缘基底(11)、电阻体(12)、电极(13)和氧氮化物膜(14)。电阻体(12)含有Cr、Si和N，并且设置在绝缘基底(11)上。电极(13)含有Cu和/或Ag，...
    2025-06-29
  • 存储器件的形成方法和存储器件
    存储器件的形成方法和存储器件_浙江驰拓科技有限公司_202311524025.7
    本发明提供了一种存储器件的形成方法和存储器件。形成方法包括：提供半导体基体；在半导体基体的一侧顺序形成自旋轨道力矩层和磁性隧道结，以使自旋轨道力矩层位于磁性隧道结和半导体基体之间，且自旋轨道力矩层远离半导体基体的一侧具有没有被磁性隧道结覆盖...
    2025-06-29
  • 一种HZO铁电电容
    一种HZO铁电电容_无锡华润微电子有限公司_202311521099.5
    一种HZO铁电电容，所述HZO铁电电容包括至少两个电容单元，每个所述电容单元包括HZO铁电薄膜和位于所述HZO铁电薄膜两侧的电极层，所述至少两个电容单元彼此串联。本发明改善了HZO铁电电容整体的铁电性，同时施加在每个HZO铁电薄膜两端的驱动...
    2025-06-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311516933.1
    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括存储区，存储区包括相邻的存储单元区和位线区，基底上形成有叠层材料层，叠层材料层包括第一栅极材料层和位于第一栅极材料层上的第二栅极材料层，叠层材料层上形成有分立的硬掩模层；沿硬掩模层图形化叠...
    2025-06-29
  • 三维存储器件及其制造方法
    三维存储器件及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202311530776.X
    公开了三维(3D)存储器件及其制造方法的实施方式。一种公开的半导体器件包括：堆叠结构，包括交替的导电层和电介质层；以及栅极线结构，垂直延伸穿过所述堆叠结构并沿着第一横向方向横向延伸，以将所述堆叠结构分成存储块。所述栅极线结构包括：栅极线缝隙...
    2025-06-29
  • 三维存储器件及其制造方法
    三维存储器件及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202311530703.0
    公开了三维(3D)存储器件及其制造方法的实施方式。一种公开的半导体器件包括：堆叠结构，包括阵列区域和接触区域；以及栅极线缝隙结构，垂直延伸穿过所述堆叠结构并沿着第一横向方向横向延伸，以将所述堆叠结构分成存储块。所述栅极线缝隙结构包括：第一虚...
    2025-06-29
  • 三维存储器件及其制造方法
    三维存储器件及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202311525995.9
    公开了三维(3D)存储器件及其制造方法的实施方式。一种公开的半导体器件可以包括：堆叠结构，包括交替的导电层和电介质层；以及栅极线结构，垂直延伸穿过所述堆叠结构并沿着第一横向方向横向延伸，以将所述堆叠结构分成存储指状物。所述栅极线结构可以包括...
    2025-06-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202311516241.7
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；悬浮栅层，位于基底的顶部；盖帽层，位于悬浮栅层的顶部；栅绝缘层，位于盖帽层的顶部，盖帽层的介电常数大于栅绝缘层的介电常数；控制栅层，位于基底上且覆盖悬浮栅层的顶部和侧壁，控制栅层还覆盖栅绝缘层。通...
    2025-06-29
  • 半导体装置中的合并方案
    半导体装置中的合并方案_长江存储科技有限责任公司_202311530623.5
    本公开内容涉及用于半导体装置(诸如三维(3D)半导体装置)中的合并方案的方法、装置、系统和技术。在一方面，一种半导体装置包括半导体结构，半导体结构包括沿第一方向彼此交替的导电层和绝缘层的堆叠体。半导体结构包括阵列区域和在垂直于第一方向的第二...
    2025-06-29
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202311530867.3
    本申请实施方式提供了一种半导体器件及制备方法、存储器系统。半导体器件包括：第一半导体结构和第二半导体结构。第二半导体结构沿第一方向设置于第一半导体结构的一侧，并与第一半导体结构直接接触，其中第二半导体结构包括多个存储器单元，第一半导体结构包...
    2025-06-29
  • 闩锁组件
    闩锁组件_索斯科锁定技术(深圳)有限公司_202311523120.5
    本申请公开一种闩锁组件，用于第一物件和第二物件彼此接触。闩锁组件包括：第一框架，安装到第一物件；第二框架，设置为能操作地靠近第一框架，以使第二物件抵靠第一物件；多个夹具，分别连接到第二框架；多个第一弹簧，分别连接到夹具，且将夹具与第二框架偏...
    2025-06-29
  • 电子设备
    电子设备_北京小米移动软件有限公司_202311517243.8
    本公开是关于一种电子设备。电子设备包括：边框，所述边框包括开口；透光键帽，所述透光键帽穿设所述开口；灯源，所述灯源设置于所述透光键帽的内侧，且所述灯源的出光面朝向所述透光键帽。
    2025-06-29
  • 叠层设计的PCB板、功率模块电路及PCB板设计方法
    叠层设计的PCB板、功率模块电路及PCB板设计方法_深圳朗特智能控制股份有限公司_202311518873.7
    本发明公开了一种叠层设计的PCB板、功率模块电路及PCB板设计方法，包括至少设置有两层且层叠设置的导电层，导电层上设有若干半桥臂、主路正极接线区及主路负极接线区；半桥臂包括上桥臂及与上桥臂设于不同层的下桥臂；上桥臂的上桥臂输入端与主路正极接...
    2025-06-29
  • 液体微波加热装置
    液体微波加热装置_宏硕系统股份有限公司_202311513851.1
    本发明为一种液体微波加热装置，其依序连接有一微波产生器、一循环器、一阻抗调整器、一连接管、一拓宽管及一加热腔，连接管弯折朝向上方方向延伸，拓宽管其内径逐渐增加且内壁面设置有多个调整片，加热腔包含一外锅、一调整底板及一内锅，外锅具有一底开口、...
    2025-06-29
  • 通信网络系统及连接方法
    通信网络系统及连接方法_成都鼎桥通信技术有限公司_202311526347.5
    本申请提供一种通信网络系统及连接方法，系统包括5G基站和5G核心网，5G基站和5G核心网之间通信连接；5G基站和用户终端之间通信连接，用户终端向5G基站发送RRC恢复消息，其中，RRC恢复消息包括RRC恢复标识；5G基站从RRC恢复消息中提...
    2025-06-29
  • 连接建立方法、相关设备及存储介质
    连接建立方法、相关设备及存储介质_中国移动通信有限公司研究院_202311517347.9
    本申请公开了一种连接建立方法、装置、终端、第一接入网设备、第二接入网设备及存储介质。其中，方法包括：终端接收第一信息，所述第一信息至少包含候选中继终端和/或候选小区的执行条件和配置信息；当满足所述执行条件时，选择候选中继终端和/或候选小区，...
    2025-06-29
  • 通信方法、装置、电子设备及存储介质
    通信方法、装置、电子设备及存储介质_北京小米移动软件有限公司_202311514958.8
    本公开是关于一种通信方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：第一设备与第二设备建立第一通信连接，与第三设备建立第二通信连接，第一通信连接所使用的信道为第一通信信道，第二通信连接所使用的信道为第二通信信道；当第一通信信道和第二通信信道处于...
    2025-06-29
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