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信息存储应用技术
  • 存储器及其制作方法、存储器系统、电子设备
    存储器及其制作方法、存储器系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202311466880.7
    本公开实施例公开了一种存储器及其制作方法、存储器系统、电子设备，该存储器包括键合的第一半导体结构和第二半导体结构；第一半导体结构包括：全局数据处理电路；第二半导体结构包括：堆叠的多个管芯，管芯包括多个存储体；其中，至少两个存储体耦接全局数据...
    2025-05-10
  • 计算装置、成像装置和计算方法
    计算装置、成像装置和计算方法_索尼半导体解决方案公司_202280100307.1
    本公开提供一种计算装置，该计算装置配备有第一信号线、连接到第一信号线的第一电容器、连接到第一信号线的一个或多个子阵列、以及用于生成与第一信号线的电荷相对应的数字信号的读出电路，其中，子阵列具有经由第一开关元件连接到第一信号线的第二信号线、连...
    2025-05-10
  • 一种用电流完全翻转人工合成反铁磁结构中磁畴的方法、磁性存储单元及存储器
    一种用电流完全翻转人工合成反铁磁结构中磁畴的方法、磁性存储单元及存储器_香港中文大学(深圳)_202011361147.5
    本发明提供一种用电流完全翻转人工合成反铁磁结构中磁畴的方法，所述反铁磁结构包括依次层叠设置的第一磁性层、非磁性金属层和第二磁性层，所述方法包括如下步骤：S1、将所述反铁磁结构接入电路中，对所述反铁磁结构加第一方向电流，所述第一磁性层和所述第...
    2025-05-10
  • 一种用于节能的CAM操作和内存计算的可重构10T SRAM单元电路
    一种用于节能的CAM操作和内存计算的可重构10T SRAM单元电路_合肥工业大学_202510038258.9
    本发明涉及集成电路领域，公开了一种用于节能的CAM操作和内存计算的可重构10T SRAM单元电路。本发明的10T SRAM电路包含水平和垂直方向解耦的读端口，支持跨行和列的读操作，并实现了矩阵转置、逻辑操作及并行搜索功能。本发明提出一种自抑...
    2025-05-10
  • 存储器器件
    存储器器件_台湾积体电路制造股份有限公司_202011208387.1
    本公开涉及存储器器件。公开了一种器件。该器件包括第一跟踪控制线、第一跟踪电路、第一感测电路和预充电电路。第一跟踪控制线被配置为传送第一跟踪控制信号。第一跟踪电路被配置为响应于第一跟踪控制信号而生成与存储器阵列中的第一跟踪单元相关联的第一跟踪...
    2025-05-10
  • 存储器装置和执行存储器装置的存储器内处理的方法
    存储器装置和执行存储器装置的存储器内处理的方法_三星电子株式会社_202411568574.9
    提供了一种存储器装置和一种存储器装置的执行存储器内处理的方法。该存储器装置包括：存储器单元阵列；以及存储器内处理(PIM)单元，其包括多个乘法和累加(MAC)运算器，多个MAC运算器被配置为基于存储在存储器单元阵列中的数据来执行乘法累加运算...
    2025-05-10
  • 基于多孔GaN的耐高温微型超级电容器及其制备方法
    基于多孔GaN的耐高温微型超级电容器及其制备方法_西安电子科技大学广州研究院_202510091252.8
    本发明提出了一种基于多孔GaN的耐高温微型超级电容器及其制备方法，方法的实现步骤为：将多孔GaN生长在预处理后的绝缘衬底的上表面；获取图案化集流体‑多孔GaN‑蓝宝石结构；得到微型超级电容器的主体结构；对其进行封装完成基于多孔GaN的耐高温...
    2025-05-10
  • 一种高性能电容碳材料及其制备方法
    一种高性能电容碳材料及其制备方法_江苏大学_202310352917.7
    本发明公开了一种高性能电容碳材料的制备方法，包括：以碳化钙为前驱体，先对其进行球磨处理，然后在氮气气氛下煅烧得到；所述煅烧温度为500‑700℃。所述方法克服了现有采用氯气等有毒气体刻蚀的缺点，并且得到的电容碳材料能够作为超级电容器的电极材...
    2025-05-10
  • 具有牺牲层的磁记录介质和最小化磁头到介质的间距的对应蚀刻工艺
    具有牺牲层的磁记录介质和最小化磁头到介质的间距的对应蚀刻工艺_西部数据技术公司_202410600934.2
    公开了各种装置、系统、方法和介质以提供包括牺牲层的热辅助磁记录(HAMR)介质和最小化磁头到介质的间距的对应蚀刻工艺。该介质可包括该牺牲层和封盖层，其中这些层中的每一者被蚀刻以降低粗糙度。该牺牲层被配置为确保允许选择性蚀刻的蚀刻速率并且可沉...
    2025-05-10
  • 一种方便清除卡纸的清分扎把一体机以及清除卡纸的方法
    一种方便清除卡纸的清分扎把一体机以及清除卡纸的方法_上海古鳌电子科技股份有限公司_201810188440.2
    本申请公开了一种方便清除卡纸的清分扎把一体机以及清除清分扎把一体机卡纸的方法，包括并行放置的清分单元和扎把单元，所述清分单元的底部设置扎把带盘，所述扎把单元沿置钞口设置扎把带槽，扎把带通道穿过清分单元和扎把单元的结合部连通至所述扎把带槽的进...
    2025-05-10
  • 一种超级电容器上盖及超级电容器、超级电容器模组
    一种超级电容器上盖及超级电容器、超级电容器模组_天津力神超电科技有限公司_202420851148.5
    本实用新型公开了一种超级电容器上盖及超级电容器、超级电容器模组，所述超级电容器上盖包括盖板、正极极耳、负极极耳、平衡电阻和密封垫；水平分布的盖板上，设置有间隔分布的正极极耳和负极极耳，以及向下凹陷的平衡电阻容纳凹槽；该平衡电阻容纳凹槽内，嵌...
    2025-05-10
  • 非易失性存储器的消除和验证
    非易失性存储器的消除和验证_恩智浦有限公司_202411401335.4
    描述一种用于执行多个非易失性存储器(NVM)单元的消除和验证的方法。所述方法包括执行用于将所有所述多个NVM单元设置为单个状态的操作。取决于NVM架构，所述单个状态可以是导通或非导通状态中的一个。在完成用于将所述单元设置为所述单个状态的所述...
    2025-05-10
  • 一种溴化锂溶液制备溶解浆/碳导电材料/聚吡咯复合膜材料的方法及应用
    一种溴化锂溶液制备溶解浆/碳导电材料/聚吡咯复合膜材料的方法及应用_陕西科技大学_202510229546.2
    本发明属于超级电容器电极材料技术领域，具体涉及一种溴化锂溶液制备溶解浆/碳导电材料/聚吡咯复合膜材料的方法及应用。具体制备方法包括：溶解浆的溶解，碳导电材料在纤维素溶液中的分散形成膜材料，吡咯在膜材料内部的聚合。溴化锂水溶液可有效溶解溶解浆...
    2025-05-10
  • 一种防摔效果好的移动硬盘
    一种防摔效果好的移动硬盘_广州佳翼信息科技有限公司_202420876296.2
    本实用新型公开了一种防摔效果好的移动硬盘，包括底壳、上盖，所述底壳上方设置有上盖，所述上盖前侧面中部设置有左右对称的固定块，所述固定块之间架设有固定轴，所述固定轴上套设有旋转连接件，所述旋转连接件下方连接有密封板，所述固定块内侧设置有左右对...
    2025-05-10
  • 对非易失性存储器单元的引退块进行排序
    对非易失性存储器单元的引退块进行排序_美光科技公司_202411038570.X
    本申请涉及对非易失性存储器单元的引退块进行排序。存储器系统可以使用重新鉴定过程恢复已被标记为“不良”的块。例如，在针对所述块在错误保护模式下进行操作之后，所述存储器系统可以监测所述块以确定是否设置了指示存取错误的状态标志。如果设置了所述状态...
    2025-05-10
  • 总线数据检测模块及检测方法
    总线数据检测模块及检测方法_苏州旗芯微半导体有限公司_202510426760.7
    本发明揭示了一种总线数据检测模块及检测方法，对总线数据进行写入模式处理或对总线数据进行读取模式处理，当M.ECC生成模块生成的目标从机ID和M.ECC校验码分别与S.ECC生成模块获取的从机ID和S.ECC校验码对比均一致时才能将主机M发出...
    2025-05-10
  • 一种图像处理方法、装置、电子设备和存储介质
    一种图像处理方法、装置、电子设备和存储介质_北京字节跳动网络技术有限公司_202111443970.5
    本公开实施例公开了一种图像处理方法、装置、电子设备和存储介质，该方法包括：基于待处理栅格图确定至少一个像素点集合，其中，同一个像素点集合中的像素点属于同一种颜色类别；针对所述至少一个像素点集合分别进行矢量化，获得与所述至少一个像素点集合分别...
    2025-05-10
  • 用于存储器感测的快速预充电
    用于存储器感测的快速预充电_美光科技公司_202011185975.8
    本申请涉及用于存储器感测的快速预充电。可在存储器器件处配置与相对于另一操作模式具有减少的持续时间的命令序列相关联的操作模式。可基于确定程序不尝试保存或独立于保存所存取的存储器单元的逻辑状态，以及其它条件来配置所述操作模式。当在所述模式中操作...
    2025-05-10
  • 用于控制屏蔽位线的存储器件
    用于控制屏蔽位线的存储器件_三星电子株式会社_202410964722.2
    一种存储器件，包括存储单元阵列、感测放大器、电压产生电路和控制电路。存储单元阵列包括：多条位线，连接到多个存储单元；以及屏蔽位线，布置在多条位线之间以及多条位线的下部上。感测放大器被配置为：感测并放大从多个存储单元之中选择的存储单元中存储的...
    2025-05-10
  • 存储器子系统中的编程操作期间的预增压方案
    存储器子系统中的编程操作期间的预增压方案_美光科技公司_202110703175.9
    本申请涉及存储器子系统中的编程操作期间的预增压方案。存储器装置中的控制逻辑在存储器阵列上起始编程操作，所述编程操作包括在编程阶段之前发生的预增压阶段。所述控制逻辑致使在所述预增压阶段期间将第一正预增压电压施加到所述存储器阵列的数据块的第一多...
    2025-05-10
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