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一种正极材料及其制备方法与应用
本发明提出了一种正极材料及其制备方法与应用,正极材料至少包括:正极活性材料,所述正极活性材料包括LiNi
0.5
Mn
1.5
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4
;以及包覆层,包覆在所述正极活性材料上,所述包覆层...
一种正极材料及其制备方法与应用
本发明提出了一种正极材料及其制备方法与应用,正极材料至少包括:正极活性材料,所述正极活性材料包括Li
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一种正极材料及其制备方法与应用
本发明提出了一种正极材料及其制备方法与应用,所述正极材料至少包括:正极活性材料;以及包覆层,包覆在所述正极活性材料上,所述包覆层包括卤化物固态电解质;其中:所述正极活性材料包括nLi
2
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3
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正极活性材料及其处理方法、正极极片、电池、用电装置
一种正极活性材料及其处理方法、正极极片、电池、用电装置,属于电池技术领域。处理方法包括:将原始正极活性材料加入酸性溶液,得到浆料;对浆料进行搅拌处理和超声处理,以得到酸性改性的正极活性材料。本申请实施例的技术方案有利于提升电池单体的倍率性能...
负极极片及其制备方法、锂离子电池和用电装置
本申请实施例提供一种负极极片及其制备方法、锂离子电池和用电装置。该负极极片包括负极集流体;负极膜层,负极膜层设置于负极集流体的至少一侧,负极膜层包括氟化锂颗粒。该负极极片应用于锂离子电池中能够有效抑制析锂,帮助提高锂离子电池的循环性能。
负极极片及其制备方法、锂离子电池和用电装置
本申请实施例提供一种负极极片及其制备方法、锂离子电池和用电装置,包括:负极集流体;负极膜层,设置于负极集流体的至少一侧,负极膜层包括负极活性材料,负极活性材料包括杂原子官能团,杂原子官能团在负极活性材料中的质量含量的取值范围为0.5%~5%...
具有镶嵌式热稳定性纳米粒子的富镍阴极材料
本发明提供了一种阴极电极,其包括阴极集流体和阴极活性材料层,该阴极活性材料层包括多个含镍的阴极活性材料粒子和多个纳米粒子,该多个纳米粒子机械镶嵌在多个阴极活性材料粒子的外表面上以形成镶嵌式阴极活性材料粒子。
电池、制备电池的方法、用电装置
本申请公开了电池、制备电池的方法和用电装置,电池包括:负极极片,所述负极极片包括负极集流体和至少位于所述负极集流体一侧的负极活性材料层,所述负极活性材料层包括粘结剂,所述粘结剂包括丁二烯类共聚物;隔离膜,所述隔离膜包括基膜和至少位于所述基膜...
封装基板及其制备方法、芯片封装结构、电子设备
本公开提供了一种封装基板及其制备方法、芯片封装结构、电子设备,涉及半导体封装技术领域,旨在解决封装基板制备工艺复杂的问题。所述封装基板包括堆叠结构、多个导电部和多个隔槽。堆叠结构包括交替层叠设置的多个第一材料层和多个第二材料层,第一材料层为...
制造用于半导体封装的半导体结构
提供了用于制造用于半导体封装的半导体结构的系统、装置和方法。一种示例性方法包括在半导体装置的重分布层(RDL)结构中形成与隔离层交错的导电层的堆叠体。在RDL结构中形成第一接触结构和第二接触结构,其中第一接触结构中的每一个延伸穿过导电层和隔...
半导体封装结构和用于形成半导体封装结构的方法
公开了一种半导体封装结构和用于形成半导体封装结构的方法。在某些方面中,一种半导体封装结构包括中介层结构,中介层结构包括互连桥、装置电路、一组导电元件、以及模制层。互连桥包括交替设置的导电层与电介质层的堆叠体以及形成在堆叠体中并且贯穿至少部分...
封装体及制备方法、存储系统
本申请提供了一种封装体及制备方法、存储系统。封装体包括塑封体、电路层和第一互连结构。塑封体包括在第一方向相对的第一表面和第二表面;电路层包括分别设置于第一表面和第二表面的第一电路层和第二电路层;第一互连结构沿第一方向贯穿塑封体,并分别与第一...
减少基板于构装程序发生翘曲的方法
本发明公开了一种减少基板于构装程序发生翘曲的方法,其包含以下步骤:黏接晶粒于基板的上表面;黏接胶材于基板的下表面,且胶材具有第一固化温度;施加液态封装材料于晶粒的周围,且液态封装材料具有第二固化温度;加热基板、胶材及液态封装材料至加热温度,...
一种封装基板的分离方法
本发明涉及封装基板制造技术领域,公开了一种封装基板的分离方法,包括:在功能层的每一侧边缘上划线,在功能层表面形成预切割线;基于预切割线,对粘胶层和功能层的部分区域进行切割,在基板表面形成预切割部;基于预切割部,对其余部分的粘胶层和功能层进行...
晶圆及封装方法
一种晶圆及封装方法,晶圆包括:衬底;介电层,位于衬底上,介电层背向衬底一侧的面为键合面;第一键合层,位于中心芯片区的介电层内,且第一键合层露出键合面,第一键合层用于实现多个晶圆的键合面之间的键合;第二键合层,位于边缘芯片区的介电层内,第二键...
预成型封装导线架的制造方法
本发明提供一种预成型封装导线架的制造方法。于暂时载板上形成金属铝图案层。执行化学置换反应程序,使金属铝图案层的至少一部分被置换成金属铜,而得到金属铜导线层。于金属铜导线层的周围形成模封体。移除暂时载板。
多晶硅中砷离子注入方法
本发明提供一种多晶硅中砷离子注入方法,在向多晶硅层中注入砷离子时,增加碳离子注入步骤,当碳原子进入多晶硅层中后,碳原子取代硅原子形成碳‑硅键,由于碳原子半径小于硅原子及砷原子的半径,所以晶格点位之间的距离减小,砷原子周围的硅‑硅键被碳‑硅键...
一种电的融合保护电器
本发明提供一种电的融合保护电器,至少包括断路器、熔断器,断路器至少包括绝缘外壳、斥力型静触头、动触头、灭弧室、操作机构、第一接线端、第二接线端,熔断器的两端至少设置一个常开型开关装置,常开型开关装置与熔断器组成常开型熔断器装置,常开型熔断器...
断路器
断路器包括外壳、手柄机构、操作机构、短路保护机构、延时保护机构、短路指示机构和延时指示机构,短路指示机构包括短路指示件和第一弹性件,短路保护机构在正常工作状态时限位短路指示件并使第一弹性件储能,短路保护机构动作时与短路指示件解除限位,第一弹...
辅助接触部分及继电器
本申请公开一种辅助接触部分及继电器,辅助接触部分包括辅助动簧和辅助静组件,辅助动簧包括簧片和辅助动触点,辅助动触点连接于簧片;辅助静组件包括引出脚和辅助静触头,引出脚的尾部具有支撑段,辅助静触头固定连接于支撑段的末端;辅助静触头用于与辅助动...
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