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最新专利技术
  • 一种原位构筑固体电解质复合富锂锰基正极材料及其制备方法和应用
    一种原位构筑固体电解质复合富锂锰基正极材料及其制备方法和应用_宁波富理电池材料科技有限公司_202311507498.6
    一种原位构筑固体电解质复合富锂锰基正极材料的制备方法，包括以下步骤：将镍源、钴源和锰源中的两种以上的水溶液，与沉淀剂、络合剂进行共沉淀反应，得到氢氧化物悬浮液；将上述氢氧化物悬浮液依次经水洗、过滤、干燥，得到复合材料前驱体；将上述复合材料前...
    2025-06-26
  • 一种物品推荐的方法和装置
    一种物品推荐的方法和装置_北京京东拓先科技有限公司_202311511454.0
    本发明公开了物品推荐的方法和装置，涉及互联网医疗技术领域。该方法的一具体实施方式包括：从用户的问诊对话数据中提取关键信息；从所述用户的历史交互行为数据中获取与所述关键信息匹配的物品作为参考物品；根据各个其他物品与所述参考物品之间的物品相似度...
    2025-06-26
  • 图片生成的方法和装置
    图片生成的方法和装置_北京京东拓先科技有限公司_202311511443.2
    本发明公开了图片生成的方法和装置，涉及计算机技术领域。该方法的一具体实施方式包括：从物品的会话数据中提取用户问题及其对应的应答信息；将所述用户问题与各个预设诉求类别进行匹配，以确定所述用户问题所属的诉求类别；根据所述用户问题所属的诉求类别及...
    2025-06-26
  • 日志解析规则确定方法及相关设备
    日志解析规则确定方法及相关设备_三六零数字安全科技集团有限公司_202311508990.5
    本申请的实施例提供了一种日志解析规则确定方法及相关设备。该日志解析规则确定方法包括：将样例日志库输入语言模型，得到语义向量库；将待检测日志输入语言模型，得到目标语义向量；根据所述语义向量库和所述目标语义向量，得到相似样例结果，所述相似样例结...
    2025-06-26
  • 提示词的调整方法及电子设备
    提示词的调整方法及电子设备_华为技术有限公司_202311514834.X
    本申请实施例提供了一种提示词的调整方法及电子设备，该方法包括：首先，获取用户输入的原始提示词；接着，对原始提示词进行识别处理，得到结构化信息，其中，结构化信息包括多个信息项，单个信息项的值为空或者原始提示词中的至少部分；随后，对结构化信息中...
    2025-06-26
  • AMR的控制方法和装置
    AMR的控制方法和装置_芜湖灵动加速度机器人科技有限公司_202311518345.1
    本申请涉及一种AMR的控制方法，所述ARM牵引笼车，其特征在于，包括：获取所述笼车的运动属性信息；根据所述运动属性信息确定所述AMR的控制信息；以及根据所述控制信息控制所述AMR执行牵引所述笼车的运动。根据本申请的方案，考虑ARM牵引笼车过...
    2025-06-26
  • AMR及其避障方法
    AMR及其避障方法_芜湖灵动加速度机器人科技有限公司_202311518199.2
    本申请涉及一种AMR及其避障方法，该AMR用于牵引笼车，该方法包括：通过前向传感器获取所述ARM前进方向上的障碍物信息；获取所述笼车的尺寸信息；以及根据所述障碍物信息和所述笼车的尺寸信息，确定避障方案。根据本申请提供的AMR及其避障方法，一...
    2025-06-26
  • 一种挂衣组件及洗衣机
    一种挂衣组件及洗衣机_佛山市云米电器科技有限公司_202311514457.X
    本申请提供应用于一种挂衣组件及洗衣机，挂衣组件包括机架、移动座和挂衣模块，移动座可移动地安装于机架；挂衣模块包括衣架主体和至少一个张开件；衣架主体连接于移动座，并随着移动座的移动而移动；此时，衣架主体可移动地连接于机架，衣架主体连接于移动座...
    2025-06-26
  • 基于聚合物的部分、消费电子产品以及制造方法
    基于聚合物的部分、消费电子产品以及制造方法_康宁股份有限公司_202311507946.2
    本申请涉及基于聚合物的部分、消费电子产品以及制造方法。基于聚合物的部分包括0.005MPa至0.20MPa弹性模量和1.4至1.6折射率。基于聚合物的部分可包括至少具有聚醚嵌段和聚氨酯嵌段的一个或多个链。消费电子产品包括具有前表面、背表面和...
    2025-06-26
  • 管道焊接调节方法及装置
    管道焊接调节方法及装置_中国石油管道局工程有限公司_202311503710.1
    本申请涉及焊接技术领域，公开了一种管道焊接调节方法及装置，方法包括：获取当前的焊接电压；根据当前的焊接电压以及第一对应关系，确定当前的焊接电压对应的当前的焊接距离，其中第一对应关系为焊接电压和焊接距离之间的对应关系，并且焊接距离为焊枪与管道...
    2025-06-26
  • 一种具有烘干功能的消防水枪清洗装置
    一种具有烘干功能的消防水枪清洗装置_南通亚龙消防器材有限公司_202311503753.X
    本发明公开了一种具有烘干功能的消防水枪清洗装置，具体涉及消防器械技术领域，包括四个支撑腿，位于后侧两个所述支撑腿前端共同固定有传输装置，所述支撑腿后端设有推动部件，所述传输装置上表面设有多个夹持部件，位于前侧的两个所述支撑腿后端共同固定有安...
    2025-06-26
  • 一种植物基美拉德发酵豆乳的制备方法
    一种植物基美拉德发酵豆乳的制备方法_东北农业大学_202311506290.2
    本发明公开了一种植物基美拉德发酵豆乳的制备方法，属于食品发酵技术领域。为了有效的提高发酵豆乳的感官色泽品质，本发明提供了一种植物基美拉德发酵豆乳的制备方法，其主要工艺包括：(1)清理大豆，浸泡；(2)射流空化机处理，浆渣分离，闪蒸，复配；(...
    2025-06-26
  • 用于电池组的高电压接线盒
    用于电池组的高电压接线盒_阿切尔航空公司_202380071698.3
    本公开提供了一种用于电动飞行器的电池组组件，所述电池组组件包括电池组，所述电池组包括电池组外壳和一个或多个电池芯。所述电池组组件进一步包括接线盒，所述接线盒包括接线盒外壳，所述接线盒外壳包括一个底壁、四个侧壁和一个开口端。电池管理单元、至少...
    2025-06-26
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_株式会社东芝_202380070983.3
    本发明提供一种能够提高特性的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括：在包括含有SiC且包含第一面的基板的结构体的所述第一面形成包含第一金属元素的第一金属层。所述制造方法包括：经由所述第一金属层向所述第一面注入包含选自H...
    2025-06-26
  • 电阻器以及用于制造电阻器的方法
    电阻器以及用于制造电阻器的方法_松下知识产权经营株式会社_202380073407.4
    本公开所解决的问题是使得容易调整电阻体的电阻值。根据本公开的电阻器(1)包括绝缘基底(11)、电阻体(12)、电极(13)和氧氮化物膜(14)。电阻体(12)含有Cr、Si和N，并且设置在绝缘基底(11)上。电极(13)含有Cu和/或Ag，...
    2025-06-26
  • 存储器件的形成方法和存储器件
    存储器件的形成方法和存储器件_浙江驰拓科技有限公司_202311524025.7
    本发明提供了一种存储器件的形成方法和存储器件。形成方法包括：提供半导体基体；在半导体基体的一侧顺序形成自旋轨道力矩层和磁性隧道结，以使自旋轨道力矩层位于磁性隧道结和半导体基体之间，且自旋轨道力矩层远离半导体基体的一侧具有没有被磁性隧道结覆盖...
    2025-06-26
  • 一种HZO铁电电容
    一种HZO铁电电容_无锡华润微电子有限公司_202311521099.5
    一种HZO铁电电容，所述HZO铁电电容包括至少两个电容单元，每个所述电容单元包括HZO铁电薄膜和位于所述HZO铁电薄膜两侧的电极层，所述至少两个电容单元彼此串联。本发明改善了HZO铁电电容整体的铁电性，同时施加在每个HZO铁电薄膜两端的驱动...
    2025-06-26
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311516933.1
    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括存储区，存储区包括相邻的存储单元区和位线区，基底上形成有叠层材料层，叠层材料层包括第一栅极材料层和位于第一栅极材料层上的第二栅极材料层，叠层材料层上形成有分立的硬掩模层；沿硬掩模层图形化叠...
    2025-06-26
  • 三维存储器件及其制造方法
    三维存储器件及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202311530776.X
    公开了三维(3D)存储器件及其制造方法的实施方式。一种公开的半导体器件包括：堆叠结构，包括交替的导电层和电介质层；以及栅极线结构，垂直延伸穿过所述堆叠结构并沿着第一横向方向横向延伸，以将所述堆叠结构分成存储块。所述栅极线结构包括：栅极线缝隙...
    2025-06-26
  • 三维存储器件及其制造方法
    三维存储器件及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202311530703.0
    公开了三维(3D)存储器件及其制造方法的实施方式。一种公开的半导体器件包括：堆叠结构，包括阵列区域和接触区域；以及栅极线缝隙结构，垂直延伸穿过所述堆叠结构并沿着第一横向方向横向延伸，以将所述堆叠结构分成存储块。所述栅极线缝隙结构包括：第一虚...
    2025-06-26
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