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最新专利技术
  • 一种降低全钒液流电池内阻的方法
    一种降低全钒液流电池内阻的方法_中国石油天然气集团有限公司_202311518407.9
    本发明公开了一种降低全钒液流电池内阻的方法，包括：对石墨毡电极和双极板进行前处理；对导电银浆进行预处理；在前处理后的双极板上均匀涂敷预处理后的导电银浆；将前处理后的石墨毡电极与涂敷导电银浆的双极板压合成型，得到一体化电极。本发明处理工艺简单...
    2025-07-12
  • 负极浆料及其制备方法、负极极片、钠二次电池和用电装置
    负极浆料及其制备方法、负极极片、钠二次电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311524591.8
    本申请提供了一种负极浆料及其制备方法、负极极片、钠二次电池和用电装置。该负极浆料包括负极活性材料和包覆于负极活性材料表面的改性剂，负极活性材料包括硬碳、硬碳包覆的石墨中的一种或多种，改性剂包括重均分子量为20000～150000的羧甲基纤维...
    2025-07-12
  • 双面散热型封装结构及封装结构
    双面散热型封装结构及封装结构_同欣电子工业股份有限公司_202311525103.5
    本申请公开一种双面散热型封装结构及封装结构。所述封装结构包含一板体、一内金属层、一金属件及一缓冲导体。所述内金属层设置于所述板体的内侧，并包含有一连接区块。所述金属件具有一第一段，其间隔地面向所述连接区块。所述第一段与所述连接区块具有外型彼...
    2025-07-12
  • 一种晶圆对准系统、晶圆键合设备及晶圆键合对准方法
    一种晶圆对准系统、晶圆键合设备及晶圆键合对准方法_苏州芯睿科技有限公司_202311517921.0
    本申请提供了一种晶圆对准系统、晶圆键合设备及晶圆键合对准方法，所述晶圆对准系统包括：热盘、穿设于所述热盘上的限位机构及配置于所述热盘两侧的至少两个辅助对准机构。限位对准机构，包括至少两个并共同形成限位区域以对晶圆进行支撑和限位的支撑组件，所...
    2025-07-12
  • 一种硅片缓存系统及方法
    一种硅片缓存系统及方法_天津市环智新能源技术有限公司_202311524206.X
    本发明提供一种硅片缓存系统及方法，所述缓存系统循环运行于具有产能差的生产工序之间，其包括：承载装置、识别装置、缓存单元和控制装置，所述承载装置中配置有硅片保护介质；所述识别装置用以识别所述承载装置的属性信息；所述缓存单元用以转运所述承载装置...
    2025-07-12
  • 接触窗缺陷检测方法
    接触窗缺陷检测方法_成都紫光半导体科技有限公司_202311526439.3
    本公开涉及一种接触窗缺陷检测方法，该方法包括：获取待测元件，所述待测元件具有接触窗；在所述待测元件的表面制备金属层，以使所述金属层覆盖所述接触窗，得到形成有金属层的待测元件；对所述形成有金属层的待测元件进行光学缺陷检测。本公开能够实现对尺寸...
    2025-07-12
  • 半导体产品的引线键合设备
    半导体产品的引线键合设备_杰群电子科技(东莞)有限公司_202311523813.4
    本申请提供一种半导体产品的引线键合设备。半导体产品的引线键合设备用于对具有引线框上设有芯片的中间组件进行引线焊接，以将设于引线框上的芯片与引线框的引脚进行电性连接，形成包括引线框、芯片及引线的半导体组件。半导体产品的引线键合设备包括设备操作...
    2025-07-12
  • 流量比例控制方法、装置和半导体加工设备
    流量比例控制方法、装置和半导体加工设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202311526828.6
    本发明提供一种流量比例控制方法、装置和半导体加工设备，该方法包括：根据预先配置的硬件参数，确定各进气管路组中所有进气管路的通气截面积中的最大值；确定多个区域中流量比值最大的区域，并将该区域对应的目标通气面积设定为最大值；根据最大值以及各区域...
    2025-07-12
  • 断路器
    断路器_施耐德电气(中国)有限公司_202311524132.X
    一种断路器，包括：分断单元，包括动触头和静触头，所述动触头能够在闭合位置和断开位置之间移动，在闭合位置，动触头与静触头接触，在断开位置，动触头与静触头分离；灭弧系统，包括灭弧室和气道结构，所述气道结构的第一侧面向动触头与静触头的分断区域，所...
    2025-07-12
  • 三稳态永磁接触器
    三稳态永磁接触器_西安中熔电气股份有限公司_202311517476.8
    本发明涉及电路保护和接触器领域，具体指一种三稳态永磁接触器，包括驱动系统和触头系统，驱动系统包括驱动线圈、永磁组件、动铁芯、第一静铁芯、第二静铁芯、第一反力弹性件；通过驱动线圈正向通电产生磁场力，或断电，或反向通电产生磁场力，并在第一反力弹...
    2025-07-12
  • 一种线圈自动绕制装置
    一种线圈自动绕制装置_中国石油天然气集团有限公司_202311527169.8
    本发明公开一种线圈自动绕制装置，包括夹持单元，所述夹持单元对骨架进行夹持固定，并使骨架沿其周向进行旋转；位移控制单元，所述位移控制单元控制待绕制的金属线在三维空间中的移动；张力控制单元，待绕制的金属线经过所述张力控制系统与位移控制单元连接；...
    2025-07-12
  • 差模共模一体化结构电感及其制作方法
    差模共模一体化结构电感及其制作方法_横店集团东磁股份有限公司_202311518536.8
    本发明属于电磁干扰技术领域，公开了一种差模共模一体化结构电感及其制作方法，包括壳体、磁环、差模元件及第一磁块，壳体包括底壳和顶盖，顶盖可拆卸地连接于底壳，底壳的底部连接有两个间隔的中空柱，顶盖靠近底壳的一侧设有凹槽，磁环和差模元件设于底壳中...
    2025-07-12
  • 一种干式变压器
    一种干式变压器_襄阳中车电机技术有限公司_202311538549.1
    本发明公开了一种干式变压器，包括变压器本体，所述变压器本体上设有用来接地的n点，所述n点通过连接件直接与所述变压器本体上的金属结构件相连，通过金属结构件完成变压器本体的可靠接地。本发明具有结构简单、成本低廉、安装调试更加方便简洁等优点。
    2025-07-12
  • 一种酸岩反应速率确定方法及装置
    一种酸岩反应速率确定方法及装置_中国石油天然气股份有限公司_202311524000.7
    本发明提供了一种酸岩反应速率确定方法及装置。该方法包括：基于工区的岩石矿物组成、孔隙度、渗透率确定工区酸蚀裂缝缝宽；利用工区平均孔隙直径和单位面积上的孔隙个数、酸液与工区岩石反应形成的裂缝的壁面粗糙度系数对初始参与反应的岩石表面积进行校正得...
    2025-07-12
  • 线粒体基因组序列的测序方法、装置、设备及存储介质
    线粒体基因组序列的测序方法、装置、设备及存储介质_深圳华大基因科技服务有限公司_202311529102.8
    本申请公开了线粒体基因组序列的获得方法、装置、设备及存储介质，方法包括：获取物种数据库中的各种读长测序序列，通过将各种读长测序序列逐一与目标物种线粒体的参考基因组序列进行比对，确定每种读长测序序列的比对率及覆盖率，在各种读长测序序列中，将比...
    2025-07-12
  • 存储设备检验方法、电子设备及存储介质
    存储设备检验方法、电子设备及存储介质_深圳市江波龙电子股份有限公司_202311527471.3
    本申请涉及存储领域，提供一种存储设备检验方法、电子设备及存储介质，所述方法包括：对存储设备执行预设次数的数据存储异常检验，其中每次数据存储异常检验包括：对所述存储设备执行多次数据写入操作；当确定所述存储设备异常断电时，中止所述数据写入操作；...
    2025-07-12
  • 软解码方法、电子设备以及存储介质
    软解码方法、电子设备以及存储介质_中山市江波龙电子有限公司_202311528709.4
    本申请公开了一种软解码方法、电子设备以及存储介质。所述软解码方法包括：对存储设备进行硬读取，基于硬读取的读数据进行硬解码；若硬解码失败，基于硬读取的读数据确定软解码参考数据；基于软解码参考数据进行软解码。上述方案，能够提高硬读取的读数据的利...
    2025-07-12
  • 一种存储装置、存储装置的操作方法及存储系统
    一种存储装置、存储装置的操作方法及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202311538222.4
    本申请提供了一种存储装置、存储装置的操作方法及存储系统，涉及半导体芯片技术领域。存储装置包括存储阵列和耦接到存储阵列的外围电路；存储阵列包括存储单元和与存储单元耦接的位线；外围电路包括页缓冲器，页缓冲器包括：耦接到位线的感测节点，耦接到感测...
    2025-07-12
  • 内容可定址存储器与存储器控制方法
    内容可定址存储器与存储器控制方法_瑞昱半导体股份有限公司_202311524288.8
    本申请涉及内容可定址存储器与存储器控制方法。内容可定址存储器包含预搜索内容可定址存储器阵列、控制电路以及主搜索内容可定址存储器阵列。预搜索内容可定址存储器阵列用以执行一第一数据搜索，以选择性地调整该预搜索内容可定址存储器阵列中的多条匹配线的...
    2025-07-12
  • 存储器系统、主存储器、计算机架构及内存访问方法
    存储器系统、主存储器、计算机架构及内存访问方法_北京超弦存储器研究院_202311522131.1
    本申请公开了一种存储器系统、主存储器、计算机架构及内存访问方法，将原本在内存芯片内消耗时间和功耗的内存I/O和内存控制电路迁移到AP芯片内部，使得内存芯片实现了以更宽的带宽、更低的延迟和功耗向AP芯片提供数据，同时，AP芯片就像响应速度更高...
    2025-07-12
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