申请/专利权人：株式会社瑞萨科技

申请日：2006-08-18

公开（公告）日：2007-02-28

公开（公告）号：CN1921150A

主分类号：H01L29/78(2006.01)

分类号：H01L29/78(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L29/36(2006.01)

优先权：["2005.08.25 JP 2005－243547"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2011.05.18#发明专利申请公布后的视为撤回;2007.04.25#实质审查的生效;2007.02.28#公开

摘要：提供在平面型MOSFET中即使使沟道层浅结化也可防止沟道层的穿通并可实现低导通电阻和低反馈电容的MOSFET的技术。解决方法是在平面型MOSFET、特别是N沟道的DMOSFET中使用P型多晶硅7作为栅电极。

主权项：1.一种N沟道型DMOSFET，其特征在于：用P型多晶硅电极形成了栅电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社瑞萨科技 DMOSFET和平面型MOSFET

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