申请/专利权人：陕西亚成微电子股份有限公司

申请日：2021-10-25

公开（公告）日：2021-11-23

公开（公告）号：CN113690320A

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);H01L27/06(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.23#授权;2021.12.10#实质审查的生效;2021.11.23#公开

摘要：本发明提供一种垂直DMOSFET及其制备方法、BCD器件，主要解决现有LDMOSFET漏极区占用面积大、导通电阻较大以及VDMOSFET兼容性较差的问题，该垂直DMOSFET包括，P型衬底；在P型衬底上表面形成的NBL埋藏层，在NBL埋藏层上表面形成的N型外延层；在N型外延层上表面形成的氧化层；N型外延层内依次设有N‑Well区和P‑Body区；N‑Well区的上表面设置有N+接触区，形成漏极，N‑Well区的底端与NBL埋藏层相连通；P‑Body区的上表面设置有N+接触区，形成源极；N型外延层的上表面自下至上依次设置有栅氧化层和多晶硅层，形成栅极。

主权项：1.一种垂直DMOSFET，其特征在于，包括P型衬底；在所述P型衬底上表面形成的NBL埋藏层，所述NBL埋藏层的注入离子为N型离子；在所述NBL埋藏层上表面形成的N型外延层；在所述N型外延层上表面通过局部氧化隔离形成的氧化层；所述N型外延层内依次设有N-Well区和P-Body区；所述N-Well区的上表面设置有N+接触区，形成漏极，所述N-Well区的底端与NBL埋藏层相连通；所述P-Body区的上表面设置有N+接触区，形成源极；所述N型外延层的上表面自下至上依次设置有栅氧化层和多晶硅层，形成栅极，所述多晶硅层和栅氧化层位于P-Body区上表面N+接触区的一侧，且部分覆盖P-Body区上表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 陕西亚成微电子股份有限公司 垂直DMOSFET及其制备方法、BCD器件

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