申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2016-03-24

公开（公告）日：2019-05-31

公开（公告）号：CN105653828B

主分类号：G06F17/50(2006.01)I

分类号：G06F17/50(2006.01)I;G03F1/84(2012.01)I;G03F1/72(2012.01)I

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2019.05.31#授权;2016.07.06#实质审查的生效;2016.06.08#公开

摘要：本发明提供了一种针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法，包括：准备版图设计数据；执行版图设计数据的光刻友善性检查，此时判断版图设计数据是否定案；如果定案则处理结束，如果未定案则进行部分版图设计数据改版；在部分版图设计数据改版之后进行版图改版前后数据比对，以得到改版前后差异区域，随后将改版前后差异区域进行放大处理，在将改版前后差异区域进行放大处理之后针对改版前后差异区域再次执行版图设计数据的光刻友善性检查。

主权项：1.一种针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法，其特征在于包括：准备版图设计数据；执行版图设计数据的光刻友善性检查，此时判断版图设计数据是否定案；如果定案则处理结束，如果未定案则进行部分版图设计数据改版；在部分版图设计数据改版之后进行版图改版前后数据比对，以得到改版前后差异区域，随后将改版前后差异区域进行扩大处理，在将改版前后差异区域进行扩大处理之后针对改版前后差异区域再次执行版图设计数据的光刻友善性检查。

全文数据：针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法技术领域本发明涉及半导体制造领域，具体涉及可制造性设计DFMDesignForManufacture领域，更具体地说，本发明涉及一种针对版图设计数据改版的光刻工艺友善性检查LithographyFriendlyDesignCheck方法。背景技术集成电路诞生以来，一直遵循摩尔定律，即芯片的特征尺寸每18个月缩短一半。但是进入浸入式光刻后，在曝光机台没有更新的情形下，曝光图形尺寸不断缩小，会产生许多符合设计规则而实际工艺窗口较差的光刻图形。为避免版图设计数据出现这样的光刻工艺窗口较差的图形，需要在版图设计数据完成后进行光刻工艺友善性检查。图1所示为现有的版图设计光刻工艺流程检查。版图数据设计者一般在版图设计数据完成101后进行光刻友善性检查。当光刻工艺友善性检查通过111，版图设计数据设计流程结束，进入版图数据定案Tapeout流程。然而，在实际的设计过程中，经常会在版图设计数据完成、光刻工艺友善性检查通过均完成后再次判断版图设计数据是否定案121。如果定案则处理结束，如果未定案则进行部分版图设计数据改版131。改版的数据量一般相比原始版图设计数据量小很多，但是一旦改版发生就必须重新对整个版图设计数据进行光刻工艺友善性检查。这种做法会消耗大量的时间用于改版后的版图设计数据光刻工艺友善性检查。发明内容本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种针对版图设计数据改版后的高效光刻工艺友善性检查方法。为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法，包括：准备版图设计数据；执行版图设计数据的光刻友善性检查，此时判断版图设计数据是否定案；如果定案则处理结束，如果未定案则进行部分版图设计数据改版；在部分版图设计数据改版之后进行版图改版前后数据比对，以得到改版前后差异区域，随后将改版前后差异区域进行放大处理，在将改版前后差异区域进行放大处理之后针对改版前后差异区域再次执行版图设计数据的光刻友善性检查。优选地，所述在部分版图设计数据改版之后进行版图改版前后数据比对的步骤包括：对版图改版前后数据采用异或运算，产生差异不小于1个存储单位的版图数据差异区域作为改版前后差异区域。优选地，在将改版前后差异区域进行放大处理时，先判定差异区域的原始大小，随后将差异区域进行放大。优选地，在将改版前后差异区域进行放大处理时，放大处理的放大倍数为3倍设计关键尺寸。优选地，部分版图设计数据改版之后进行版图改版前后数据比对包括：将准备的版图设计数据中的所述部分版图设计数据与所述部分版图设计数据改版之后的数据进行比较。优选地，所述在将改版前后差异区域进行放大处理之后针对改版前后差异区域再次执行版图设计数据的光刻友善性检查的步骤包括：将放大后的改版前后差异区域延展预定尺寸以产生环带状，作为友善性检查的辅助区域。优选地，预定尺寸为1.5倍设计关键尺寸。优选地，最终的光刻工艺设计检查结果为改版后检查生成结果并上改版前非改版区域检查生成结果。本发明提供了一种针对版图设计数据改版后的光刻工艺友善性检查方法，解决了传统的版图设计数据的微小更改后光刻工艺友善性检查的效率低下问题。在此过程中，主要通过比对改版前后版图设计数据的差异，在采用局部区域光刻友善性检查使得检查时间大大缩短；尤其是高端集成电路制程下，版图设计数据量巨大，本发明更能发挥它的效率优势。附图说明结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：图1示意性地示出了现有的版图设计光刻工艺检查流程。图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法的流程图。图3表示本发明具体示例中的第一版版图设计数据的部分截图。图4表示本发明具体示例中的基于图3数据改版后的版图设计数据。图5表示本发明具体示例中的版图设计第一版与第二版数据对比结果。图6表示本发明具体示例中的光刻工艺友善性检查过程区域划分。图7表示本发明具体示例中的光刻工艺友善性检查结果生成区域划分。需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。具体实施方式为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。为解决上述版图设计数据微小的改版后却需要耗费大量时间用于光刻工艺友善性检查，根据本发明优选实施例，提出了图2所示的针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法的流程图。如图2所示，根据本发明优选实施例的针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法包括：准备版图设计数据第一步骤201；执行版图设计数据的光刻友善性检查第二步骤211，此时判断版图设计数据是否定案第三步骤221；如果定案则处理结束，如果未定案则进行部分版图设计数据改版第四步骤231；在部分版图设计数据改版之后进行版图改版前后数据比对即，将准备的版图设计数据中的所述部分版图设计数据与所述部分版图设计数据改版之后的数据进行比较，以得到改版前后差异区域第五步骤241，随后将改版前后差异区域进行放大处理第六步骤251，在将改版前后差异区域进行放大处理之后针对改版前后差异区域再次执行版图设计数据的光刻友善性检查第二步骤211。优选地，所述在部分版图设计数据改版之后进行版图改版前后数据比对的步骤包括：对版图改版前后数据采用异或运算，产生差异不小于或超出1个存储单位的版图数据差异区域作为改版前后差异区域。例如，在将改版前后差异区域进行放大处理时，可以先判定差异区域的原始大小，随后将差异区域进行放大。优选地，在将改版前后差异区域进行放大处理时，放大处理的放大倍数为3倍设计关键尺寸。例如，可以将改版后检查生成结果并上改版前非改版区域检查生成结果，作为最终的光刻工艺设计检查结果。下面结合具体示例对上述方法进行说明。假设第一版版图设计数据为J1，改版后生成第二版版图设计数据成为J2，本发明实施例突出的整个光刻工艺友善性检查可归纳为如下步骤：1第一版版图设计数据J1进行光刻工艺友善性检查后，生成检查结果为A1。2将改版后的版图设计数据J2与J1作异或运算，筛选运算结果大于1个存储单位的图形，即用J3来表示处理后筛选出的改版前后差异版图设计数据。3将筛选出的差异版图设计数据J3尺寸放大a，a的尺寸为3倍设计关键尺寸，即J3*a。而本次放大后产生的版图设计数据称作J4。4将放大后的版图设计数据J4延展尺寸b产生环带状该环带状区域只作为检查辅助区域，b的尺寸为1.5倍设计关键尺寸。将环带状的版图设计数据成为J5。5对J4进行光刻工艺检查，这一检查过程参考J5区域内的数据。检查产生的结果为B1。而第一版设计数据在J4区域内的结果用A2表示。6最终第二版版图设计数据的结果采用A1-A2+B1表示。本发明实现了更快速有效的版图设计光刻工艺友善性检查。经测试，某版图设计第一版数据光刻工艺设计友好性检查耗时4.5h，改版后采用传统的版图设计数据光刻工艺友善性检查耗时4.6h。而采用本发明的光刻工艺友善性检查流程耗时仅为0.2h。检查速度大幅度提升。图3至图7示出了本发明的一个具体示例。图3表示的是第一版版图设计数据的部分截图，第一版版图设计数据用D来表示。第一版版图设计数据已经过版图设计数据光刻工艺友善性检查，且生成的检查结果以F表示。图4表示的是基于图3数据改版后的版图设计数据。这一版版图设计数据用E来表示。通过异或运算来对比图3与图4版图设计数据,异或允许容差为1个存储单位，即生成新区域。如图5检查到本次改版共涉及版图设计改动3处，501，502与503。对上述三处差异进行放大处理，放大值为a，a值为3倍设计关键尺寸，得如图图例所示，产生虚线区域511。如图6所示，通过对601等同区域511区域各边向外延展尺寸b，产生环状带602区域。对新版设计数据E的光刻工艺设计友好性检查时，601为检查主区域，而602则为辅助区域。这种方法能保证光刻工艺友善性设计检查的准确性。检查后生成的结果以A表示，而第一版该主区域的光刻工艺友善性检查结果为C。如图7所示，新版版图设计数据的光刻工艺友善性检查结果则差异区域701内检查结果A并上版图设计其它区域702的之前检查结果B。而检查结果B则由第一版光刻工艺友善性检查的结果F排除出在701区域内的检查结果C。即改版后光刻工艺友善性检查的结果为F-C+A。此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

权利要求：1.一种针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法，其特征在于包括：准备版图设计数据；执行版图设计数据的光刻友善性检查，此时判断版图设计数据是否定案；如果定案则处理结束，如果未定案则进行部分版图设计数据改版；在部分版图设计数据改版之后进行版图改版前后数据比对，以得到改版前后差异区域，随后将改版前后差异区域进行扩大处理，在将改版前后差异区域进行扩大处理之后针对改版前后差异区域再次执行版图设计数据的光刻友善性检查。2.根据权利要求1所述的针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法，其特征在于，所述在部分版图设计数据改版之后进行版图改版前后数据比对的步骤包括：对版图改版前后数据采用异或运算，产生差异不小于1个存储单位的版图数据差异区域作为改版前后差异区域。3.根据权利要求1或2所述的针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法，其特征在于，在将改版前后差异区域进行扩大处理时，先判定差异区域的原始大小，随后将差异区域进行扩大。4.根据权利要求1或2所述的针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法，其特征在于，在将改版前后差异区域进行扩大处理时，扩大处理的扩大倍数为3倍设计关键尺寸。5.根据权利要求1或2所述的针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法，其特征在于，部分版图设计数据改版之后进行版图改版前后数据比对包括：将准备的版图设计数据中的所述部分版图设计数据与所述部分版图设计数据改版之后的数据进行比较。6.根据权利要求1或2所述的针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法，其特征在于，所述在将改版前后差异区域进行扩大处理之后针对改版前后差异区域再次执行版图设计数据的光刻友善性检查的步骤包括：将扩大后的改版前后差异区域延展预定尺寸以产生环带状，作为友善性检查的辅助区域。7.根据权利要求6所述的针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法，其特征在于，预定尺寸为1.5倍设计关键尺寸。8.根据权利要求1或2所述的针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法，其特征在于，最终的光刻工艺设计检查结果为改版后检查生成结果并上改版前非改版区域检查生成结果。

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