申请/专利权人：松下知识产权经营株式会社

申请日：2019-01-10

公开（公告）日：2019-11-19

公开（公告）号：CN110473943A

主分类号：H01L33/24(20100101)

分类号：H01L33/24(20100101);H01L33/32(20100101);H01L33/00(20100101)

优先权：["20180511 JP 2018-092360"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.04.15#授权;2019.12.13#实质审查的生效;2019.11.19#公开

摘要：本发明提供一种能够降低横向电阻的倒装芯片型的发光二极管元件。该倒装芯片型的发光二极管元件具备依次层叠载流子浓度为1×1019cm‑3以上且小于3×1020cm‑3的第一n型III族氮化物半导体层102、载流子浓度为5×1017cm‑3以上且小于1×1019cm‑3的第二n型III族氮化物半导体层103、由III族氮化物半导体构成的发光层104、以及p型III族氮化物半导体层105的层叠体结构，所述第一n型III族氮化物半导体层102与所述第二n型III族氮化物半导体层103的界面的凹凸的高低差大于所述第二n型III族氮化物半导体层103与所述发光层104的界面的凹凸的高低差。

主权项：1.一种发光二极管元件，其是倒装芯片型的发光二极管元件，其具备依次层叠载流子浓度为1×1019cm-3以上且小于3×1020cm-3的第一n型III族氮化物半导体层、载流子浓度为5×1017cm-3以上且小于1×1019cm-3的第二n型III族氮化物半导体层、由III族氮化物半导体构成的发光层、以及p型III族氮化物半导体层的层叠体结构，所述第一n型III族氮化物半导体层与所述第二n型III族氮化物半导体层的界面的凹凸的高低差大于所述第二n型III族氮化物半导体层与所述发光层的界面的凹凸的高低差。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 松下知识产权经营株式会社 发光二极管元件、以及发光二极管元件的制造方法

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